如今,“更多的摩尔”和“超过摩尔”设备体系结构已大大提高了新型材料的重要性,从而需要提供适当的表征和计量,以实现可靠的过程控制。 例如,在多通道场效应设备或升高来源中使用的SIGE或SIP化合物的引入导致需要确定所得膜的精确组成。 在这项工作中,已经使用主要无损haxpes和TOF-SIMS研究了二进制材料(例如SIP和SIGE)的定量。 的确,虽然使用RB的主要障碍是薄膜的表征,但具有适当定量功能(例如Atom探针断层扫描和传输电子显微镜)的技术既耗时又耗时,并且由于其高度局部的分析量而缺乏灵敏度。 对于定量表征,常规的X射线光电子光谱(XPS)是一个强大的工具。 然而,其低分析深度仍然是研究掩埋界面的主要限制因素,尤其是在本研究中,因为所获得的基于SI的层在环境条件下被氧化(或者应该受到一些纳米计的金属层保护)。 ,由于电子在二元材料表面的化学组成和SIO 2在层中的深入分布,因此使用了一种基于实验室的硬X射线源(HAXPE),这既要归功于层次的SIO 2的深度分布,这要归功于电子的非弹性平均自由路径随光子能量增加的增加(铬Kα,Hν= 5414.7 ev)[1] [1]。如今,“更多的摩尔”和“超过摩尔”设备体系结构已大大提高了新型材料的重要性,从而需要提供适当的表征和计量,以实现可靠的过程控制。例如,在多通道场效应设备或升高来源中使用的SIGE或SIP化合物的引入导致需要确定所得膜的精确组成。在这项工作中,已经使用主要无损haxpes和TOF-SIMS研究了二进制材料(例如SIP和SIGE)的定量。的确,虽然使用RB的主要障碍是薄膜的表征,但具有适当定量功能(例如Atom探针断层扫描和传输电子显微镜)的技术既耗时又耗时,并且由于其高度局部的分析量而缺乏灵敏度。对于定量表征,常规的X射线光电子光谱(XPS)是一个强大的工具。然而,其低分析深度仍然是研究掩埋界面的主要限制因素,尤其是在本研究中,因为所获得的基于SI的层在环境条件下被氧化(或者应该受到一些纳米计的金属层保护)。,由于电子在二元材料表面的化学组成和SIO 2在层中的深入分布,因此使用了一种基于实验室的硬X射线源(HAXPE),这既要归功于层次的SIO 2的深度分布,这要归功于电子的非弹性平均自由路径随光子能量增加的增加(铬Kα,Hν= 5414.7 ev)[1] [1]。确认通过HAXPES测量获得的感兴趣材料的组成并计算出适当的相对灵敏因子(RSF),相同的膜以TOF-SIMS为特征。但是,例如Haxpes,SIP/SIGE层的次级离子质谱法(SIMS)表征通常由于p/ge含量的电离产量的非线性变化而受到基质效应。通过分析参考样本,遵循MCS 2+辅助离子或使用完整的光谱协议[2],可以通过分析参考样品来超越此限制。最后,计算了次级离子束的P和GE(Si)组成,并将其与X射线衍射确定的参考组成进行比较。还研究了测量值的可重复性和层氧化的影响。得出结论,通过将haxpes结果与TOF-SIM耦合,准确评估了层的深入组成和表面氧化物的厚度。
对位置敏感的SIPM在所有光检测应用中都有用,需要少量读出通道,同时保留有关传入光的相互作用位置的信息。专注于2x2阵列的LG-SIPM,覆盖15的面积。5×15。 5 mm只有6个读数,我们提出了一种定量方法来评估图像重建性能。 该方法基于一种统计方法,以评估设备的精度(空间分辨率)和重建重点重心的精度(线性)。 通过大米概率分布函数拟合来实现此评估。 我们获得了平均传感器空间分辨率的最佳值81±3 µm(标准偏差),这是通过以通道输出信号的幅度重建每个位置来实现的。 相应的精度为231±4 µm。5×15。5 mm只有6个读数,我们提出了一种定量方法来评估图像重建性能。该方法基于一种统计方法,以评估设备的精度(空间分辨率)和重建重点重心的精度(线性)。通过大米概率分布函数拟合来实现此评估。我们获得了平均传感器空间分辨率的最佳值81±3 µm(标准偏差),这是通过以通道输出信号的幅度重建每个位置来实现的。相应的精度为231±4 µm。
深层地下中微子实验 (DUNE) 的远探测器 (FD) 将配备液氩时间投影室 (LArTPC),其中闪烁光将由适合低温应用的硅光电倍增管探测。在 DarkSide 实验的要求推动下,FBK 开发了一种用于低温应用的 SiPM 技术 (NUV-HD-Cryo SiPM),该技术的特点是在低温下具有极低的暗噪声,约为几 mHz/mm2,后脉冲概率低,并且淬灭电阻随温度的变化有限。在 DUNE 合作框架内,NUV-HD-Cryo 技术得到了进一步开发,通过增加深沟槽隔离 (DTI) 的数量来获得具有高增益但串扰有限的设备,目的是为 DUNE 读出模块提供更好的信噪比。大型物理实验通常需要具有最高性能的设备,并在短时间内以低到中等的产量完成紧张的实验计划。在 FBK,我们开发了一个小型供应链,其中包括一家使用 FBK 技术制造 SiPM 的外部代工厂和一家外部封装公司,能够提供中等批量的封装硅探测器。在这项工作中,我们将从 SiPM 的击穿电压、暗电流和正向电阻的均匀性以及 SiPM 板封装的质量评估方面报告 NUV-HD-Cryo 技术的性能和 DUNE 实验的 FBK SiPM 生产状态。
Design Methods of Signal Processing Systems: • Optimization of signal processing algorithms • Compilers and tools for signal processing systems • Algorithm-to-architecture transformation • Dataflow-based design methodologies Software Implementation of Signal Processing Systems: • Software on programmable digital signal processors • Application-specific instruction-set processor (ASIP) architec- tures and systems • SIMD, VLIW, and multi-core CPU architectures • GPU-based massively parallel implementation Hardware Implementation of Signal Processing Sys- tems: • Low power/complexity signal processing circuits & applica- tions • FPGA and reconfigurable architecture-based systems • System-on-chip and network-on-chip • VLSI for sensor network and RF identification systems • Quantum signal processing • Neuromorphic computing
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SiPM的传统应用是ToF-PET,此外,随着SiPM性能的不断提升,其正在多个大物理实验的升级中接受评估。
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信号处理系统(SIPS)的第37 IEEE研讨会是信号处理系统设计和实施领域的首要国际论坛。它解决了这些系统的体系结构和设计方法的所有方面。重点是学术界和工业研究和发展的当前和未来挑战。
由5.9 t活性LXE(166 K)填充的TPC直接检测DM。wimps与LXE核的相互作用产生闪烁光(46ɣ /kev @ 178 nm)。253(顶部)和241(底部)Hamamatsu R11410-21低背景低温PMTS由Hamamatsu和Xenon合作共同开发。PMT选择在操作过程中几乎10%的PMT失败。5%高脉冲率,<5%的光泄漏。1.5 kV偏置,以避免不稳定性,例如瞬态闪光灯。对于所有PMT,在LXE温度下测量了约40 Hz的典型暗计数。
▪“包装光子系统包装的动机(PSIP)”▪包装概念▪MOPA系统作为一个示例的实验结果▪包装设计▪玻璃结构(金属布线,空腔,滑动,镜面,镜面,镜面)▪层堆叠和密封件,划分•逐步划分•进一步划分•进一步划分•进一步的构建•▪进一步的构建▪▪▪▪▪▪•▪•▪进一步的构建▪▪▪▪▪▪•▪•▪•▪•平面外耦合▪纤维耦合▪通用图片测试平台▪2PP,用于印刷微观磁带和光子线键▪取回回家消息