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以壳聚糖为新型还原剂合成硅量子点
硅 (Si) 是电子工业中一种成功的活性材料。其特有的间接带隙限制了基于光发射的应用。然而，这种半导体最近因其纳米尺度上的新颖特性而引起了研究人员的关注，例如可调光致发光响应 [1]、低毒性 [2] 和生物相容性 [3]。自从室温下在多孔硅薄膜上发射以来，纳米结构硅的光致发光 (PL) 研究有所增加 [4]。硅量子点具有广泛的潜在应用；它们已被用于提高太阳能电池的效率 [5]、制造发光二极管 (LED) [6]、非线性光学和安全通信加密 [7]。根据多份报告，SiQD 具有延长的荧光寿命。这一特性在使用荧光生命成像显微镜 [8] 和生物成像 [9] 进行细胞成像时尤为有用。因此，这些硅量子点特性的融合为潜在的生物医学应用开辟了一条新途径。如今，硅纳米粒子通常被称为 SiQD。该主题的一个重大突破是将这些 SiQD 的发光与其尺寸和电子结构变化联系起来的报告；量子限制效应 (QCE) 与此现象有关 [10]。因此，最近对合成 SiQD 的新途径的研究有所增加；化学和物理方法是合成技术的核心分类。物理方法采用以下方法
高检测性UV敏感的2D MOS2光晶体管通过硅量子点增强
摘要：二维（2D）半导体最近由于其独特的光学和电子特性而引起了光传递的极大兴趣。然而，对于单层光晶体管，可检测到的光谱范围和光吸收效率通常非常有限。在这里，我们演示了基于零差（0D）硅量子点（SIQDS）和二硫化钼（MOS 2）形成的范德华异质结构（VDWH）（VDWH）（VDWH）（VDWH），尤其是在Ultraviolet（UV）的光谱范围内，该光谱（MOS 2）表现出很高的检测和响应率。与单独基于单层MOS 2的光晶体管相比，SIQD/MONOLAYER MOS 2 VDWH光晶体管的探测率提高了100倍（从1.0×10 12到1.0×10 12到1.0×10 14 cm×Hz 1/2/w），响应率提高了89倍，响应率提高了66.7秒66.7至66.7 s/f。对于SIQD/几层MOS 2 VDWH，还观察到增强的检测和响应性。分析和对照实验表明，跨SIQD/MOS 2 VDWH的电荷转移导致光子效应和光量。高性能SIQD/MOS 2 VDWH光晶体管对超敏化光检测，基于紫外线的光学通信，神经形态视觉传感和发射速度计算应用具有巨大的希望。关键字：0d/2d van der waals异质结构，Si Quantum Dot，MOS 2，光晶体管，高检测性，高响应率■简介