如此高度蓝色的SIV发射线提出了有关其起源的审讯。到目前为止,有人建议这些蓝线可能起源于新的基于硅的缺陷[1]。我们认为它们起源于受到强量子电动力效应的SIV中心。为了支持这一主张,我们研究了在SIV发光光谱中观察到的声子侧带。图s1a,我们比较了单个SIV缺陷的室温发射光谱(蓝色曲线),并在k(粉红色曲线,[2]中获取的数据8)中获得的室温(蓝色曲线)[2-7]。引人注目的相似性,并且可以绘制振动模式之间的直接对应关系。根据在实验曲线上执行的分解多洛伦兹拟合,侧带特征位于MEV,MEV,MEV,MEV,MEV,MEV和〜43 〜43 〜75 〜92 〜92 〜92 〜143 〜143 〜156 MEV相对于ZPL(见图。s1b)。频谱显示出与大约166个幅度和宽度相同的模式,但由于应变诱导的变形而在位置移动。
摘要:大规模量子网络要求实现长寿命的量子记忆,因为固定节点与光量线相互作用。外恋种植的量子点具有高纯度和无法区分性的单个单个和纠缠光子的需求产生的巨大潜力。将这些发射器与长期连贯性时间的记忆耦合,可以开发混合纳米光子设备,这些设备结合了两个系统的优势。在这里,我们报告了通过液滴蚀刻和纳米填充方法生长的第一个GAAS/ALGAA量子点,它发射了带有狭窄波长分布(736.2±1.7 nm)的单个光子,接近硅变量中心的零孔子线。极化纠缠的光子是通过biexciton-依赖性(0.73±0.09)产生的。较高的单光子纯度从4 K(g(2)(0)= 0.07±0.02)至80 K(g(2)(0)= 0.11±0.01),因此使该混合系统在技术上具有对现实世界中量子光谱应用的技术吸引力。关键字:GAAS半导体量子点,单光子,纠缠光子对,液氮温度,钻石颜色中心,SIV零声子线Q
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