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为可持续未来的HPQ二氧化硅解决方案创新
DR。 Mauro Cesar terence -CTO毛罗博士拥有Presbiteriana Mackenzie大学（UPM）的化学学位，博士学位，博士学位。以及圣保罗大学的核技术博士后。 他是UPM的教授25年，在那里他协调了材料工程和纳米技术的研究生课程。 他的研究着重于聚合物，电离辐射，纳米材料（石墨中的石墨烯和氧化石墨烯）和材料表征。 他参与了该项目的创建，并且是UPM的MackGraphe（石墨烯和纳米材料研究中心）的成员。。DR。 Mauro Cesar terence -CTO毛罗博士拥有Presbiteriana Mackenzie大学（UPM）的化学学位，博士学位，博士学位。以及圣保罗大学的核技术博士后。他是UPM的教授25年，在那里他协调了材料工程和纳米技术的研究生课程。他的研究着重于聚合物，电离辐射，纳米材料（石墨中的石墨烯和氧化石墨烯）和材料表征。他参与了该项目的创建，并且是UPM的MackGraphe（石墨烯和纳米材料研究中心）的成员。他参与了矿业项目Noovamineração和AquanitásHolding。此外，毛罗（Mauro）还从CNPQ - 巴西获得了他对技术发展和创新的贡献。
硅纳米片在4H-SIC（0001）底物上略有缺陷的外延石墨烯中插入
图4 A：RT 1 mL Si蒸发后，EpiGr/Bl/4H-SIC（0001）表面的STM（6.5 nm x 6.5 nm）图像。值得注意的是，位于（6x6）bl bump的一个（6x6）BL凸起之一中的Si原子插入引起的额外质量。其表观高度由D中报告的线轮廓（绿线）证明（请参阅红色箭头）。偏置电压0.1 V，反馈电流0.36 Na。图像上显示了比例尺。b：RT 1 ml Si蒸发后的EpiGr/Bl/4H-SIC（0001）表面的STM（12 nm x 12 nm）图像，显示了两个不同尺寸的纳米结构。偏置电压0.17 V，反馈电流0.5 Na。c：在b中成像的区域的2d-fft。虽然微弱，但请注意石墨烯蜂窝晶格的典型六边形模式以及6个斑点的伸长表明存在几个石墨烯晶格参数，这可能是由于Epi-Gr遭受的菌株而导致的菌株。e：较小的纳米结构的变焦在B中的方形白框中，显示了石墨烯网络和红色箭头指示的错位的存在。f。该区域的2d-fft在E中的缩小，显示了石墨烯蜂窝网络典型的六边形模式。在A和B中的STM图像上扫描的所有区域都可以看到石墨烯网络。在SM2C中的线轮廓中报告了该纳米结构的明显高度。
NEO电池材料和Rockwell自动化，以合作Windsor Silicon Anode Manufacturing工厂
“计划”，“期望”或“不期望”，“预期”，“预算”，“预计”，“估计”，“预测”，“预测”，“预期”，“预期”，“预期”，“不期望”或“相信”或“信仰”或“或“信仰”，或“或“不期望”或“事件”或“事件或结果”或“可能”或“可能”或“可能”或“可能”或“可能”，“可能”或“可能”，“”或“”，“”或“”可能“”，“”或“”或“”，“”或“”，“”或“”或“”，“”或“”或“”或“”或“”或“”，“”实现”。前瞻性信息受到已知和未知的风险，不确定性和其他因素，可能导致公司的实际结果，活动水平，绩效或成就与此类前瞻性信息所表达或暗示的因素有实质上的不同，包括但不限于：挥发性股票价格；全球一般市场和经济状况；写下和障碍的可能性；与先进和电池相关技术的研究和开发相关的风险；尚未在商业规模上测试或证明技术的有效性和可行性相关的风险；制造工艺规模的风险，包括保持一致的材料质量，生产收益率以及商业规模的过程可重复性；与现有电池化学的兼容性问题，并无法预料与与电池电池制造商一起进行合作，合资或合作伙伴关系，原始设备
针对节能硅互连的芯片集成锗 Pin 光电探测器的全面研究
摘要 — 光学互连是片上通信中铜基布线的有前途的替代品。集成 IV 族纳米光子学的最新进展应该能够解决与速度、能耗和成本相关的一系列挑战。单片集成锗 pin 光电探测器位于绝缘体上硅 (SOI) 波导上，是这一蓬勃发展的研究领域中不可或缺的设备。在这里，我们全面研究了异质结构 pin 光电探测器的光电特性。所有光电探测器均采用工业级半导体制造工艺在 200 毫米 SOI 基板上制造。在 1 V 的低偏置电压下，pin 光电探测器的暗电流为 5 nA 至 100 nA，暗电流密度为 0.404 A/cm 2 至 0.808 A/cm 2，响应度在 0.17 A/W 至 1.16 A/W 范围内，截止频率为 7 GHz 至 35 GHz。这些成就使它们有望用于以 40 Gbps 运行的节能光链路，器件能量耗散仅为每位几 fJ。
通过嵌段共聚物薄膜超低能量注入磷离子在硅中形成周期性掺杂阵列
完整作者列表：Kuschlan，Stefano； CNR 微电子与微系统研究所 Chiarcos，Riccardo；东皮埃蒙特大学阿梅代奥阿伏伽德罗 - 亚历山德里亚校区，DISIT Laus，Michele；东皮埃蒙特大学，DISIT Perez-Murano，Francesc；巴塞罗那微电子研究所 Llobet，Jordi； IMB CNM 费尔南德斯-雷古莱兹，玛尔塔；巴塞罗那微电子研究所，纳米制造 Bonafos，Caroline； CEMES Perego，米歇尔； CNR，微电子与微系统研究所 Seguini，Gabriele； CNR、IMM、玛瑙布里安扎德米奇利斯单位、马可； CNR 微电子与微系统研究所 Tallarida，Graziella；国家研究委员会微电子与微系统研究所，Agrate Brianza 单位
检测硅中的单W-中心
控制硅中各个荧光缺陷的量子特性是对高级量子光子设备容易伸缩的关键挑战。迄今为止，研究的重点是基于硅晶格中纳入的杂质的外部缺陷。在这里，我们证明了硅中单个固有缺陷的检测，该缺陷与称为W-Center的三个互化络合物相关，在1.218 µm处的零孔子线。研究其单光子发射特性揭示了有关该常见辐射损伤中心的新信息，例如其偶极取向及其光物理学。我们还确定了其显微镜结构，并表明，尽管此缺陷不具有带隙中的电子状态，但库仑相互作用导致硅带隙下方的激子辐射重组。这些结果可能会基于硅的固有发光缺陷（例如综合量子光子学和量子通信）的固有发光缺陷为多种量子观点树立阶段。
通过薄膜中的反应性扩散硅氧化的机理 使用神经形态的癫痫发作检测 - Gibbs三重连接过剩测定的方法 专用于四销噪声噪声测量的低噪声和准理论直流电流源
摘要。在许多应用中引起了硅化的形成，尤其是在微电子中的接触形成和互连。在此主题上发表了一些评论，本章的目的是通过重点关注新的实验结果来提供这些评论的更新。本章在理解主要机制（扩散/反应，成核，横向生长…）方面给出了一些进展（即在4至50 nm之间）。提出了有关硅质形成机制的最新实验结果，并将其与模型和/或模拟进行比较，以提取与反应性扩散相关的物理参数。这些机制包括成核，横向生长，扩散/界面控制生长以及扩散屏障的作用。几种技术的组合（包括原位技术（XRD，XRR，XPS，DSC）和高分辨率技术（APT和TEM）被证明是必不可少的，这对于在薄膜中的固态反应中获得了理解，并更好地控制这些反应以在微电机设备或其他应用程序中接触或其他应用。
使用IniLicoseq
动机：元基因组数据集的计算机模拟中的准确性对于基准生物信息学工具以及实验设计至关重要。用户不仅取决于大规模的模拟，不仅是设计实验和新项目，而且还取决于项目中计算需求的准确估计。不幸的是，当前大多数读取模拟器都不适用于过时的宏基因组学，或者记录了相对较差。在本文中，我们描述了Inilicoseq，这是一个软件包，用于模拟宏基因组光明测序数据。Inilicoseq具有简单的命令行接口和广泛的文档。结果：iNilicoseq在Python中实现，能够以具有明智的默认参数的并行方式模拟现实的Illumina（Meta）基因组数据。可用性和实施：源代码和文档可在https://github.com/hadrieng/insilicoseq和https://insilicoseq.readthedocs.io/上获得。联系人：hadrien.gourle@slu.se补充信息：补充数据可从BioInformatics在线获得。
通过原地SI@C-raphene复合合成li-ion电池应用来改善基于硅的复合电极
摘要：由于循环时的形态进化和SEI修饰，使用Si作为锂离子电池的阳极材料仍然具有挑战性。目前的工作旨在开发一个由碳涂层的Si纳米颗粒（SI@C NPS）组成的复合材料，该复合物紧密嵌入了三维（3D）石墨烯水凝胶（GHG）结构中，以稳定LIB电极内的SI。而不是简单地混合两个组件，而是合成过程的新颖性在于原位热液过程，该过程显示出成功产生氧化石墨烯还原，3D石墨烯组装的产生以及SI@C NPS在GHG Matrix中的均匀分布。在不包含其他导电添加剂的电极上的半细胞中的电化学特性揭示了保护性C壳对于达到高特定能力的重要性（最高2200 mAh.g-1），以及良好的稳定性（200个循环，平均CEFF> 99％）。这些性能远高于用非C涂层Si NP制成的电极或通过混合两个组件制备的电极。这些观察结果突出了C壳对SI NP的协同作用，以及单步的原位制备，使SI@C-GHG混合复合材料具有具有物理化学，结构和形态学特性的SI@C-GHG混合材料的产量，从而促进了样品电导率和Li-ion扩散途径。
碳化硅和其他宽带隙材料
《材料》（ISSN 1996-1944）于 2008 年创刊。该期刊涵盖 25 个综合主题：生物材料、能源材料、先进复合材料、先进材料特性、多孔材料、制造工艺和系统、先进纳米材料和纳米技术、智能材料、薄膜和界面、催化材料、碳材料、材料化学、材料物理、光学和光子学、腐蚀、建筑和建筑材料、材料模拟和设计、电子材料、先进和功能性陶瓷和玻璃、金属和合金、软物质、聚合物材料、量子材料、材料力学、绿色材料、通用材料。《材料》为投稿高质量文章和利用其庞大的读者群提供了独特的机会。