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将超薄单晶硅膜从绝缘体上硅转移到聚合物上
本研究报告了聚合物上硅 (SOP) 的制造。它描述了将直径为 200 毫米的硅薄膜从绝缘体上硅 (SOI) 衬底转移到柔性聚合物的过程。单晶硅膜的厚度小于 200 纳米，转移是通过使用粘合聚合物将 SOI 晶片粘合到临时硅载体上来实现的。研究了转移的各种参数：堆叠的粘附性、粘合温度、临时载体和 Si 膜厚度。通过机械研磨和化学蚀刻去除衬底和 SOI 埋层氧化物。将 Si 薄膜固定在柔性胶带上，然后卸下临时载体。成功获得了由柔性聚合物 (230 µm) 上 20 至 205 nm 的薄 Si 膜组成的 SOP。可以转移直径为 200 毫米的全晶片或图案化晶片。关键词：纳米材料、单晶、硅、键合 1. 简介
硅中近红外单光子发射器的广泛多样性
硅在半导体技术中的蓬勃发展与控制其晶格缺陷密度的能力密切相关 [1]。在 20 世纪上半叶，点缺陷被视为对晶体质量的危害 [2]，如今它已成为调节这种半导体电学性质的重要工具，从而推动了硅工业的蓬勃发展 [1]。进入 21 世纪，硅制造和注入工艺的进步引发了根本性变革，使人们能够在单个层面上控制这些缺陷 [3]。这种范式转变将硅带入了量子时代，如今单个掺杂剂被用作可靠的量子比特来编码和处理量子信息 [4]。这些单个量子比特可以通过全电方式有效控制和检测 [4]，但其缺点是要么与光耦合较弱 [5]，要么发射中红外波段的辐射 [6]，不适合光纤传播。为了分离具有光学接口的物质量子比特，从而实现量子信息的长距离交换，同时又能从先进的硅集成光子学中获益 [7]，一种策略是研究在近红外电信波段具有光学活性的硅缺陷 [8, 9]。
英特尔新芯片将推动硅自旋量子比特研究，助力量子计算
桑迪亚国家实验室杰出技术人员 Dwight Luhman 博士表示：“桑迪亚国家实验室很高兴成为 Tunnel Falls 芯片的接收者。该设备是一个灵活的平台，使桑迪亚的量子研究人员能够直接比较不同的量子比特编码并开发新的量子比特操作模式，这在以前是不可能做到的。这种复杂程度使我们能够在多量子比特范围内创新新的量子操作和算法，并加快我们在硅基量子系统中的学习速度。Tunnel Falls 的预期可靠性还将使桑迪亚能够快速入职并培训从事硅量子比特技术的新员工。”
Silicon Crossroads Microelectronics Commons
FOR IMMEDIATE RELEASE Silicon Crossroads Microelectronics Commons Marks Milestone Year CRANE, Ind. – As 2024 comes to a close, the Silicon Crossroads Microelectronics Commons (SCMC) Hub has emerged as a powerful catalyst for innovation and growth in the Midwest's microelectronics ecosystem. Under the leadership of Applied Research Institute (ARI), the hub has made substantial strides in fostering collaboration, driving technological advancements, and nurturing talent. SCMC is poised to help shape the future of microelectronics, strengthening America's global competitiveness and driving economic and national security. In its first year, SCMC focused on standing up its internal operations, and established a robust and diverse membership base spanning academia, small businesses, industry leading commercial companies and defense industrial base system integrators. This vibrant community was integral to driving ideation, advancing technologies through prototyping, and positioning projects for efficient transition to production. SCMC innovation processes and framework has made significant strides to accelerate microelectronics technology advancements through the proven innovation architecture. The nucleus of this framework incorporates collaborative ideation sessions, networking collisions, innovation templates/best practices, and the convergence of project teams. For example, SCMC's collaborative ideation sessions, such as the one held in June 2024, are designed to reduce innovation barriers. SCMC implemented a suite of tools, revolutionizing the operational capabilities. With these tools, the SCMC Hub can communicate efficiently, ensuring clear and timely information exchange among all members. This improved communication has resulted in better teaming opportunities, enabling more cohesive and strategic collaborations. The online member engagement platform houses all hub engagement, outreach, communications, event calendar, teaming profiles, member resources, data calls, and membership data. By utilizing this platform, SCMC members can interact with other hub members, receive pertinent Hub communications, partner with new innovative companies, share noteworthy news/articles, view announcements, and explore upcoming events. Upon the launch of this platform, our membership base consisted of 136 members, but saw significant and constant growth each quarter, bringing us to over 250 members, an 83% increase. Members can utilize the newly opened Silicon Crossroads Collaboration Center (SC3), which serves as a state-of-the-art hub for the SCMC, providing a modern and flexible space to foster collaboration, innovation, and knowledge sharing among the hub's diverse membership. The center's modular design accommodates a variety of events, workshops, and meetings, and already hosted over 36 activities that brought in more than 800 members and ecosystem partners. As a central gathering place for the three-state hub coalition, the SC3 plays a vital role in enabling the rich engagement and community-building that are critical to the hub's success. One of the most notable in 2024 was the establishment of the R1 Nucleus (R1N), an unprecedented collaboration between four prestigious regional universities: Purdue University, University of Notre Dame, University of Michigan, and University of Illinois Champaign- Urbana.
使用 LF-OCT 表征硅胶凝胶下键合线的电-热-机械变形
摘要：键合线是电力电子模块 (PEM) 中最容易发生故障的部件之一，通常使用硅胶包裹键合线。为了研究硅胶包裹键合线的变形，本文报告了使用线场光学相干断层扫描 (LF-OCT) 技术精确测量键合线的电-热-机械 (ETM) 变形的方法。由于 LF-OCT 系统具有有利的并行检测方案，因此我们开发了一种 LF-OCT 系统，该系统可一次性捕获键合线样品的整个横截面图像 (B 扫描)。结合傅里叶相位自参考技术，可以定量测量键合线的变形，精度可达 0.1 nm。当将相机成像尺寸设置为 1920×200 像素时，实现的变形测量的最大采样率（帧率）为 400 Hz，为监测键合线的 ETM 变形动态提供 2.5 ms 的时间分辨率。我们发现凝胶包裹的键合线的 ETM 变形比裸键合线的 ETM 变形大约小三倍。这些结果首次实验证明，LF-OCT 可成为研究硅凝胶包裹键合线随时间变化的 ETM 变形的有用分析工具。索引术语-键合线可靠性、硅凝胶、电-热-机械变形、线场光学相干断层扫描 (LF-OCT) I. 引言电力电子模块 (PEM) 广泛用作可再生能源发电和运输电气化中的开关半导体器件 [1]。由于 PEM 通常应用于安全和关键任务场景，如电力列车、航空航天和海上风电，因此 PEM 的可靠性受到学术界和工业界的广泛关注 [2-4]。引线键合技术是目前最广泛使用的封装方法
可扩展的原子阵列用于硅中的基于自旋的量子计算机
半导体旋转量子尺将出色的量子性能与使用行业标准的金属氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化量（MOS）工艺相结合的量子性能。这也适用于离子植入的供体旋转，这些供体的旋转进一步提供了特殊的连贯性时间和核旋转中的较大希尔伯特空间尺寸。在这里，我们演示并整合了多种策略来制造基于规模的供体量子计算机。，我们使用31 pf 2分子植物将放置确定性三倍，而在检测植入物方面达到99.99％的情况。通过植入较重的原子（例如123 SB和209 BI）来保留类似的结合，这些原子代表用于量子信息处理的高维Qudits，而SB 2分子可以确定性地形成紧密间隔的Qudits。我们使用纳米孔径使用渐进式植入，证明了具有300 nm间距的供体原子的常规阵列的确定性形成。这些方法涵盖了在硅中基于供体的量子计算机构建的技术要求。
使用X射线衍射映射硅晶片中经纱的计量学
*通讯作者：nima.gorji@tudublin.ie摘要 - X射线衍射（XRD）映射是一种非破坏性计量技术，可以通过热机械应力重建在硅晶片上引起的经线的重建。在这里，我们使用基于X和Y方向的一系列线扫描以及同一样品的不同90度旋转的方法绘制了晶圆的扭曲。这些线扫描从晶圆的表面收集摇摆曲线，记录由于表面不良导致的衍射角（ω）偏离了布拉格角。表面经线通过诱导测得的衍射角与参考角度角度（ω -ω0）和摇摆曲线扩展（FWHM）之间的差异来反映XRD测量。通过收集和整合摇摆曲线（RCS）和FWHM从整个表面和晶圆的多个旋转范围扩大，我们可以生成表面函数f（x）的3D地图和角度的不良方向（Warpage）。经线表现出凸形，与文献中报道的光学验证测量值对齐。基于实验室的XRDI有可能在较短的时间内和原位绘制晶圆的翘曲，这可以在同步加速器辐射源中完美地执行。关键字：计量学，硅，扭曲，X射线衍射，晶圆。I.简介
使用 X 射线衍射映射对硅晶片翘曲进行计量
* 通讯作者：nima.gorji@tudublin.ie 摘要 — X 射线衍射 (XRD) 映射是一种非破坏性计量技术，可以重建通过热机械应力在硅晶片上引起的翘曲。在这里，我们使用一种基于在 x 和 y 方向以及对同一样品进行不同 90 度旋转的一系列线扫描的方法来映射晶片的翘曲。这些线扫描从晶片表面收集摇摆曲线，记录由于表面取向错误而偏离布拉格角的衍射角 (ω)。表面翘曲通过引起测量的衍射角和参考布拉格角 (ω − ω0) 之间的差异和摇摆曲线增宽 (FWHM) 反映在 XRD 测量中。通过收集和整合整个表面和晶圆多次旋转的摇摆曲线 (RC) 和 FWHM 加宽，我们可以生成表面函数 f(x) 和角度错位 (翘曲) 的 3D 图。翘曲呈现凸形，与文献中报道的光学轮廓测量一致。基于实验室的 XRDI 有可能在更短的时间内原位绘制晶圆的翘曲图，就像在同步辐射源中完美执行一样。关键词：计量学、硅、翘曲、X 射线衍射、晶圆。I.介绍