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硅片中的分布式量子计算
具有商业影响力的量子算法（例如量子化学和 Shor 算法）需要的量子比特和门数量远远超出了任何现有量子处理器的容量。分布式架构通过联网模块水平扩展，为商业实用提供了一条途径，最终将超越任何单个量子计算模块的能力。此类处理器使用分布在模块之间的远程纠缠来实现分布式量子逻辑。因此，联网量子计算机将需要能够在模块之间快速分配高保真度纠缠的能力。在这里，我们介绍了在同位素富集硅中的硅 T 中心上一些关键分布式量子计算协议的初步演示。我们展示了模块之间纠缠的分布，并利用它来应用传送门序列，为 T 中心作为分布式量子计算和联网平台建立了概念验证。
朝硅光子学4.0
• Most manufacturing and product companies in the field of silicon photonics are US based or SE/E-Asia based • The EU has very strong R&D players in silicon photonics • India is building up strong R&D capacity in silicon photonics • The field is diversifying quickly (new materials, technologies, markets) • The diversity will bring opportunities for both EU and India • Cooperation may be key in this context
创建二维硅碳化物
通过将碳和硅添加到碳化物表面上，我的论文揭示了一种创建二维碳化硅碳化物的新方法，这种材料可能导致更有效的电子设备。如大多数人所知道的那样，今天的电子产品严重依赖硅。为了改善我们的设备，这些硅电子设备已变得越来越小，但现在已经达到了极限。想象一下，如果不使用庞大的三维结构，我们可以使用堆叠在一起的超薄原子。这些床单被称为二维（2D）材料，自2010年获得诺贝尔奖获奖石墨烯以来就引发了一波研究。石墨烯是一层碳原子，向我们展示了2D材料可以彻底改变技术，但它有局限性。例如，石墨烯没有带隙，这对于控制计算机等设备中的电流至关重要，我们需要清除开/关状态（例如管理汽车流量的交通信号灯）。此频段间隙对于创建二进制二进制（电流）和零（无电流）是计算机逻辑的基础至关重要。带有带隙的材料称为半导体，具有直接带隙的材料对于LED，激光器和太阳能电池等设备特别有用。直接带隙就像是一条井井有条的道路，在交通信号灯处停止后，允许汽车平稳，高效地加速，而间接的频段隙就像是一条扭曲的道路，使汽车需要更长的时间才能达到全速。建立在这一发现的基础上，我的目标是直接在TAC水晶上创建2D SIC。在我的研究中，我专注于创建一种新的2D材料：碳化硅（SIC），将硅原子和碳原子组合成单层。科学家认为，2D SIC可能是一个改变游戏规则的人，因为它具有直接的乐队差距，但使其非常具有挑战性。最近，一个突破表明，在顶部加热用薄薄的碳化物（TAC）加热碳化硅晶体可以帮助形成2D SIC。通过将碳和硅添加到加热的TAC表面，我成功形成了2D SIC。这种方法使我可以更好地控制编队过程，并更深入地了解2D SIC的成长方式。另外，通过调整碳的量，我可以在2D SIC的顶部创建石墨烯层。石墨烯的稳定性提高了将其用作2D SIC上的保护层的令人兴奋的可能性。未来的研究可以探索这种可能性。最重要的是，我的作品展示了一种创建2D SIC的新方法，使其更接近被用于下一代电子和光学设备。这可能会导致更快，更高效的技术，继续我们用硅取得的进步，但将其提升到一个新的水平。
检测硅中的单W-中心
控制硅中各个荧光缺陷的量子特性是对高级量子光子设备容易伸缩的关键挑战。迄今为止，研究的重点是基于硅晶格中纳入的杂质的外部缺陷。在这里，我们证明了硅中单个固有缺陷的检测，该缺陷与称为W-Center的三个互化络合物相关，在1.218 µm处的零孔子线。研究其单光子发射特性揭示了有关该常见辐射损伤中心的新信息，例如其偶极取向及其光物理学。我们还确定了其显微镜结构，并表明，尽管此缺陷不具有带隙中的电子状态，但库仑相互作用导致硅带隙下方的激子辐射重组。这些结果可能会基于硅的固有发光缺陷（例如综合量子光子学和量子通信）的固有发光缺陷为多种量子观点树立阶段。
Silicontech-硅技术研究所
2021年4月至6月的季度开始，首先是第一年的学生，这是第一次来校园。不幸的是，由于政府施加了锁定而与第二浪浪潮作斗争，这种兴奋是短暂的。，我们通过课堂设置回到了混合教学模式，并继续教学过程。课程和暑期实习计划在线完成，包括结束学期考试。一项关于“电力电子高级控制技术”，“硅技术2021”的STTP - 针对学生的全国性在线海报演示竞赛，以及本季度的“ 5G技术” FDP也进行了。第二波的共同浪潮使硅家族的成员留下了深刻的伤痕。我们的几个学生和工作人员都输给了Corona。我们的咨询心理学家一直在与学生和员工进行情感康复的不懈努力。该研究所还采取了行动，为失去了唯一的家庭成员的学生安排各种来源的财政支持。由BMC在Silicontech校园设立的驱动式疫苗接种中心已被认为是社区中最好的中心之一。还组织了专门为学生和员工的特殊疫苗接种驱动器。直到大流行状况过去，让我们保持安全，照顾我们的健康，并保持我们对卓越的承诺。
微机械硅静电Chuck
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用于硅光子电路的设计测试
硅光子学领域的研究努力和商业企业都显着增加。这在很大程度上是由光子元素的有效性以及过去十年中光子整合的规模和复杂性的提高所驱动的。硅光子学特别适合需要高带宽，具有成本效益和远程互连能力的应用。这一趋势进一步强调了数字经济中数据的指数扩展，推动了计算，存储和网络技术的创新[1]，[2]，[3]。The adoption of silicon for photonics is underpinned by sev- eral pivotal factors, with a notable emphasis on the high refrac- tive index contrast between silicon and silicon oxide, which allows strong light confinement and a compact waveguide footprint in the silicon-on-insulator (SOI) layer.此外，通过载体注入或提取产生的高速调节的可用性使硅光子学吸引了将切换元素嵌入路由/通信织物中的嵌入开关元素，从而带来了计算和连接的融合 - 在光学神经网络[4]，光学逻辑[4]等应用中。这些有利的特性通过固定的CMOS生态系统固有的制造过程进一步受益，CMOS生态系统可以很容易地用于硅PIC制造[6]，[7]。以及优势，Si-Photonics还带来了一些挑战。但是
将超薄单晶硅膜从绝缘体上硅转移到聚合物上
本研究报告了聚合物上硅 (SOP) 的制造。它描述了将直径为 200 毫米的硅薄膜从绝缘体上硅 (SOI) 衬底转移到柔性聚合物的过程。单晶硅膜的厚度小于 200 纳米，转移是通过使用粘合聚合物将 SOI 晶片粘合到临时硅载体上来实现的。研究了转移的各种参数：堆叠的粘附性、粘合温度、临时载体和 Si 膜厚度。通过机械研磨和化学蚀刻去除衬底和 SOI 埋层氧化物。将 Si 薄膜固定在柔性胶带上，然后卸下临时载体。成功获得了由柔性聚合物 (230 µm) 上 20 至 205 nm 的薄 Si 膜组成的 SOP。可以转移直径为 200 毫米的全晶片或图案化晶片。关键词：纳米材料、单晶、硅、键合 1. 简介
英特尔俄勒冈州：硅森林
社区学院、Worksource、华盛顿县和希尔斯伯勒市通过为期两周的快速启动计划开展工作，该计划包括为未来的技术人员提供加速职业准备和实践学习。快速启动旨在增加该领域代表性不足的群体和女性的机会。截至 2024 年 10 月，已有 27 个快速启动班毕业，超过 200 名毕业生从该计划中受聘。
硅技术和组件 - CEA-Leti
在 CEA Tech 和 Leti 内部，硅技术和组件研究活动由两个部门共同承担，共有约 600 名研究人员：硅技术部门开展创新工艺工程解决方案和研究，全年 24/7 全天候运营，7,500 平方米的先进洁净室空间分为三个不同的技术平台。硅组件部门开展纳米电子和硅异质集成研究，重点关注两个主要领域：CMOS 器件的不断缩小，以扩展摩尔定律，实现更快、更便宜的计算能力，以及将新功能集成到 CMOS 中，例如传感器、功率器件、成像技术和新型内存，以实现新应用。本手册包含 47 份一页的研究摘要，涵盖了我们硅器件和技术部门重点领域的进展，重点介绍了 2015 年取得的新成果。