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练习学校手册 - 硅技术学院
[4] L. Das, J. K. Das, and S. Nanda, “Detection of Exon Location in Eukaryotic DNA using a Fuzzy Adaptive Gabor Wavelet Transform”- Genomics (Elsevier)- (SCI) Volume 112, Year 2020, Pages 4406-4416 DOI:10.1016/j.ygeno.2020.07.020 [5] L. Das, J. K. DAS，S。Mohapatra和S. Nanda，“外显子预测的DNA数值编码方案：近期历史” - 核苷，核苷酸和核酸 - （Taylor和Francis） - （SCI） - （SCI）2021 2021体积40（10），第2021年，第2021页，第2021页，第2021页，页面985-1017doi.org/10.1080/15257770.2021.1966797 [6] Das，L.，Das，J.K.，Nanda，S。等。“用于预测映射核苷酸序列中乳腺癌疾病的自适应神经网络模型。”伊朗科学技术杂志，电气工程交易，施普林格（SCI）2023年，卷（47），第1569-1569-1582页，doi.org/10.1007/s40998-098-023-23-3-23-3-19-44-4
硅量子点器件的快速虚拟门提取
硅量子点器件由于其延长的相干时间、紧凑的尺寸以及最近在实验中演示的相当大的量子比特阵列，成为大规模量子计算的有希望的候选者。尽管潜力巨大，但控制这些阵列仍然是一项重大挑战。本文介绍了一种新的虚拟门提取方法，以快速建立对单个量子点电位的正交控制。利用对器件物理学的深入了解，所提出的方法通过关注电荷态转变周围的关键区域，显著降低了实验开销。此外，通过采用高效的电压扫描方法，我们可以有效地精确定位这些电荷态转变线并滤除错误点。使用真实量子点芯片数据集进行的实验评估表明，与传统方法相比，速度提高了 5.84 倍到 19.34 倍，从而展示了加速硅自旋量子比特器件扩展的良好前景。
入学博士学位。计划（1月至2025年会议） 入学手册 - 硅技术研究所 b'' Pradeep Kumar Singh博士博士 - 硅技术研究所 Sushree Satapathy，M.Tech。 - 硅技术研究所
参加第21届国际铬金细胞生物学研讨会，汉堡德国，2022年）。IIT Bombay（2015）的博士学位论文卓越奖。
Manas Ranjan Singh，博士 - 硅谷科技学院
[7] Bathrinath, S.、Saravanasankar, S.、Mahapatra, SS、Manas Ranjan Singh . 和 Ponnambalam, SG (2016)。一种改进的元启发式方法，用于解决相同的并行处理器调度问题。机械工程师学会会刊，B 部分：工程制造杂志，230(6)，1114-1126，索引：SCI。
层次覆盖硅/碳阳极材料通过垂直石墨烯片改进商业锂离子电池应用
蛋黄壳结构化硅/碳（YS-SI/C）阳极材料显示出对商用锂离子电池（LIB）的希望，因为它们具有很高的特定容量和出色的循环寿命。但是，尽管研究了近十年，但仍未实现其商业化，这主要是由于机械强度差，速率能力有限和能量密度低。本研究报告了通过热化学蒸气沉积合成的层次YS-SI/C阳极材料，用于垂直石墨烯片的生长（VGS），聚合物自组装和一步碳化，从而通过VGSS建立了SI核心和碳壳之间的连接，从而增强了YS-Chemical和机械的特征。独特的材料的表现优于无VGSS的复合材料，该复合材料在0.1 c时的高特定容量为1683.2 mAh g-1，在10 c时在10 c时的出色速率性能为552.2 mAh g-1，在1000个循环后，较高的速率性能为552.2 mAh g-1，卓越的容量保留率为80.1％。与LINI 0.8 CO 0.1 Mn 0.1 O 2个阴极匹配时，安培小时袋细胞分别提供高重量和大量能密度分别为429.2 WH kg-1和1083 WH l-1。有限元分析表明，VGSS降低了碳壳上的应力浓度，有助于空心材料承受工业电极日历。这项工作证明了在实用液体中YS-SI/C阳极材料的商业应用的潜力。
硅岛——爱尔兰的半导体机遇
爱尔兰是欧洲微电子生态系统中的关键参与者，拥有超过 20,000 名员工，是全球 30 家最大半导体公司中的 15 家的所在地。在过去 18 个月中，AMD、Analog Devices、Infineon 和 Qualcomm 等公司宣布了超过 1,100 个制造和研发岗位，在爱尔兰的投资总额接近 10 亿欧元。此外，英特尔在爱尔兰开设了 Fab 34，投资额达 170 亿欧元，将在欧洲最先进的半导体工厂中使用尖端的 EUV 技术。凭借数十年来在制造和研发/设计方面的信誉，加上主要 EDA 和 IP 参与者（如 ARM、Cadence、Siemens Mentor Graphics 和 Synopsys）的运营影响力，爱尔兰可以发展这些活动，并扩大外包装配和测试服务 (OSAT) 和先进封装方面的产品。
毫米波集成硅器件：有源与……
𝜖 O3 = 𝑆 0P 𝑑𝐵−𝑁𝐹。（5）𝜖 O3 可视为初步评估 LNA 基本性能的定性参考，与接收器性能的潜在优势有关。图 1(a) 和 (b) 中的 LNA 分别显示 𝜖 O3 为 -0.3 dB 和 3.1 dB。这意味着，图 1(a) 中的 LNA 具有负 𝜖 O3（NF 高于增益），可能会损害整体接收器性能，并且从成本效益的角度来看，采用它可能是不合理的，因为这取决于接收器下一阶段的性能，甚至可能导致性能下降和功耗浪费。对于图 1(b) 中的 LNA，𝜖 O3 略微超过 3dB，这可以视为其在接收器中采用的初步定性要求。尽管噪声系数略有增加，但 MT 0 和 𝜖 O3 均支持具有 IIM 的共源共栅放大器对于 MPmCN 的优势。
硅光子微孔子基于高
光脉冲成型是超快光学，射频光子和量子通信的强大技术。现有系统依赖于带有平面波导段的批量光学元件或集成平台进行空间分散，但它们在实现填充器（少量或sub-GHz）频谱控制方面面临限制。这些方法需要相当大的空间，或者在组装以实现实现分辨率的情况下，从预测的相误差和光损失中进行了措施。解决这些挑战时，我们使用具有内联相位控制和高光谱分辨率的微波炉过滤器库提出了铸造式六通道硅光子塑造器。利用现有的基于梳子的光谱技术，我们设计了一个新型系统来减轻热串扰并实现我们的芯片上塑形器的使用。我们的结果表明，在3、4和5 GHz的可调通道间距上，塑形器能够在六个梳子线上相同的能力。特别是在3 GHz通道间距下，我们展示了时间域中的任意波形的产生。这种可扩展的设计和控制方案有望满足未来对高精度光谱塑形功能的需求。
iii-V光电探测器单拼合地整合在硅互连应用上
Difficult to grow III-V on Si with high crystal quality due to mismatch in lattice constant & thermal expansion coefficient (CTE), and polarity Lattice constant mismatch: Crystal configuration (atom spacing) is different and higher for most of III-V compounds than Si CTE: Si and III-V compounds expand/contract differently Polarity: Si is non-polar, while III-V is polar