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硅中可编程量子发射器的形成
硅基量子发射器因其单光子发射特性和在长自旋相干时间的自旋光子界面中的潜力而成为大规模量子比特集成的候选者。在这里，我们展示了使用飞秒激光脉冲结合基于氢的缺陷激活和钝化在单中心水平上对选定的发光缺陷进行局部写入和擦除。通过在碳注入硅的热退火过程中选择合成气体（N 2 /H 2 ），我们可以选择形成一系列与氢和碳相关的量子发射器，包括T 和C i 中心，同时钝化更常见的G 中心。C i 中心是一种电信S波段发射器，具有良好的光学和自旋特性，由硅晶格中的单个间隙碳原子组成。密度泛函理论计算表明，在氢存在的情况下，C i 中心亮度提高了几个数量级。 Fs 激光脉冲局部影响量子发射器的氢钝化或活化，从而可编程形成选定的量子发射器。
用于辐射探测的碳化硅装置
CNR-IMM – 卡塔尼亚 CNR-INO – 比萨 PSI – 瑞士 ENEA- 弗拉斯卡蒂 布鲁诺凯斯勒基金会 (FBK) – 特伦托 ST 微电子 – 卡塔尼亚 LPE – 卡塔尼亚 (LPE)
Quobly 相信硅自旋量子比特
Tristan 是一位国际知名的实验物理学家，因其在量子点阵列中相干传输和自旋操控方面的开创性研究而闻名。他在巴黎高等师范学院 (ENS) 的卡斯特勒布罗塞尔实验室 (LKB) 获得博士学位，师从诺贝尔奖获得者 Serge Haroche，随后在代尔夫特理工大学获得博士后奖学金，该大学是自旋量子比特实验研究的先驱中心。在加入 Quobly 担任全职 CTO 之前，Tristan 还曾领导法国国家科学研究中心 (CNRS) 格勒诺布尔的量子自旋量子比特社区。
碳化硅预陶瓷聚合物Pre-Preg
该项目将涉及各种危险化学品和气体的使用和处理以及危险废物的产生。这些包括溶剂、陶瓷前聚合物前体、涂层前体、石墨工具、陶瓷纤维和粉末。加利福尼亚州圣地亚哥的 GA 站点的所有活动都将按照 GA 的危险工作授权流程进行，该流程由 GA 的许可、安全和核合规 - 健康与安全部门授权。所有活动都将在安全的实验室环境中进行，符合美国环境保护署 (USEPA)、加利福尼亚州有毒物质和控制部 (DTSC) 以及 GA 的化学和危险废物处理和管理规范。所有危险材料都将根据美国环境保护署、DTSC 和圣地亚哥县当地环境和安全法规进行管理。
硅光伏电池中的光子管理
全面探讨了各种前后光子管理结构。 提出了进一步改善已实现的电池性能的建议。 解释决定光伏电池中各种能量转换损失的底层物理和材料特性。 探讨光子管理结构的光学优势及其对复合和电阻损耗的影响。 这篇独特的评论讨论了光子管理的最新进展，并提供了深入分析和进一步改进的途径。 术语：
3D 打印导电碳化硅
图 3 | 3D 打印多孔导电陶瓷的结构分析。A 和 B，3D 打印多孔陶瓷的 SEM 图像。C，3D 打印多孔陶瓷的 TEM 图像，显示石墨烯渗透到多孔颗粒中。比例尺代表 50 纳米。D，BET-BJH 氮吸附等温曲线。E，孔径分布图。F，具有不同石墨烯/二氧化硅比率的 3D 打印样品的热导率测量。G，放置在热板上的 3D 打印 UB 标志的红外 (IR) 图像。该图像是在将样品在热板上放置 30 分钟后拍摄的。H，单轴压缩试验的应力-应变曲线。I，3D 打印样品的抗压强度摘要。经 SPS 处理的样品的抗压强度提高了 96.19%。
ML-2664-4030-DT1H4 顶置式数字硅麦克风
超过这些“绝对最大额定值”的应力可能会对设备造成永久性损坏。这些仅为应力额定值。在这些条件下或“声学和电气规格”中指示的任何其他条件下，不暗示功能操作。长时间暴露在“声学和电气规格”中指示的条件之外可能会影响设备可靠性。
Chipmetrics 的 PillarHall LHAR 硅芯片
https://zenodo.org/communities/ald-saturation-profile-open-data/?page=1&size=20 在这里你可以与其他科学家分享数据
GW2.1基因调节晶粒性状的靶向突变，并诱导大麦的产量损失
尽管目前正在探索SIC材料平台上几种新应用的开发，但仍被广泛认为是电力电子首选的材料。二维（2D）材料（例如石墨烯和钼二硫）（MOS 2）的整合提供了碳化硅（SIC）具有其他功能，从而可以扩大其应用范围。本文回顾了SIC上石墨烯和MOS 2的可扩展生长的最新方法，特别是在六边形多型上。还讨论了材料整合中的一些开放研究方向，例如使用外延石墨烯（Epi-Gr）作为van der waals（vdw）在SIC底物上的GAN或GA 2 O 3的外观上的相互膜，以及由epi-gr/SIC接口处的受封闭性外观的2D形式的GAN材料的生长。最后，提供了这些物质系统的最近提出的电子/光电应用的概述，特别是针对高频电子，量子计量，THZ和UV检测器的概述。这项工作可能是在这些开放研究方向上的硅碳化物社区的有用指南。
路线图制图下一代硅光子学
硅光子学已发展为由光学通信进步驱动的主流技术。当前一代导致综合光子设备从数千到数百万人扩散，这是数据中心的通信收发器的形式。在许多令人兴奋的应用中（例如传感和计算）中的产品在拐角处。将硅光子学从数百万单元增加到数十亿个单位需要什么？下一代硅光子学将是什么样的？Sili-Con Photonic应用所面临的集成和制造瓶颈中的共同线程是什么，哪些新兴技术可以解决它们？这篇观点文章是试图回答此类问题的尝试。我们绘制了硅光子技术的世代趋势，从