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硅阳极固态电池中的断裂动力学
图1：来自Operando XCT的实验设计和选定图像。（a）操作XCT细胞设计，成像和图像重建过程的示意图。（b）在0.5 mA CM -2电流密度，10 MPa堆栈压力和25°C下，在Operando XCT实验中循环的硅半细胞的电静态电压谱图。XCT图像是在第一次锂化之前和之后收集的，然后在划界和重新构度期间每15分钟收集一次。（c）从XCT数据中重建单元堆的3D渲染，突出显示了不同的2D切片。（d）垂直横截面图像显示了（i）原始的硅/LPSC界面，（ii）锂化，（iii）界定，（iii）截然不见，（iv）重新列为较高的状态，false-Color叠加层，突出显示了（I）中的硅和LPSC。（E-G）平面图像来自（e）锂化，（f）删除和（g）重新列为的硅电极中点的平面图像。
Kamalakanta Satpathy博士 - 硅技术研究所 练习学校手册 - 硅技术学院 Lopamudra Das博士 - 硅技术研究所 b'' Mihir Hota博士 - 博士 - 硅技术研究所 Debasish Nayak博士 - 硅技术研究所 b'' Shreela Dash，博士 - 硅技术研究所 入学博士学位。计划（1月至2025年会议） 入学手册 - 硅技术研究所 b'' Pradeep Kumar Singh博士博士 - 硅技术研究所 Sushree Satapathy，M.Tech。 - 硅技术研究所
[1]。K. SATPHATY“液体金属快速反应器热库中气体夹带的研究”，快速反应堆气溶胶研究当前情况和未来方向（FARAR -2023），Indira Gandhi原子研究与安全研究所中心，Kalpakkam，Kalpakkam，Kalpakkam，Kalpakkam，TN，10月26日至27日。工业报告：
用于人工智能处理单元的硅光子微环
该博士项目将与意法半导体密切合作，意法半导体多年来一直致力于硅光子平台光子集成电路的开发。该项目的目标是与 STM 一起开发集成到光子芯片中用于人工智能应用的有源光学元件。这些元件和电路将在都灵理工大学和 STM（意大利卡斯特莱托基地）的团队中建模和设计；在 STM（法国克罗尔基地）制造，并在 STM 和都灵理工大学实验室进行测试。因此，该研究项目涵盖了不同的方面：理论和建模、设计、制造和测试。博士生将参与所有这些步骤，并将在卡斯特莱托（意大利）和克罗尔（法国）基地的 STM 上度过一段时间。具体来说，研究活动将涵盖：- 硅光子高速低功耗的设计、制造和测试
硅谷公司如何推动数据科学转型
影响数字政府与私营数字技术公司之间的关系会影响数年甚至数十年的投资。然而，公共管理和问责研究中对近期变化的研究不足。直到 2010 年代，系统集成商 (SI) 一直占据主导地位，他们生产的专有传统计算机系统仍影响着今天的政府技术。从那时起，政府越来越依赖硅谷 (SV) 公司和平台公司开发的在线工具和云技术。为了使数字投资跟上商业和民间社会的进步，政府必须赶上并创新最新一代数据密集型技术，如人工智能 (AI)，并在政府中采用一些 SV 组织文化和实践。然而，之前公共部门响应的长期滞后为当今的数字政府变革先驱者提供了许多教训。特别是，本文阐述了数字管理者加速政府组织文化变革和发展管理合同多样性的专业知识的重要性。
低损坏硅方向耦合器，基于弯曲的波导
摘要 - 我们为满足宽带耦合的基本要求，任意耦合率的支持，超低损失，高损坏，高制造公差和紧凑的足迹的支持，展示了一个高性能2×2分离器的设计。这是基于对弯曲方向耦合器（DC）的宽带响应的严格耦合模式理论分析来实现的，并通过演示完整的耦合模型，该模型的宽带值为0.4、0.5、0.6和0.7。作为基准，我们演示了一个0.5：0.5的分离器，可显着将耦合变化从传统DC中的0.391降低到80 nm波长跨度的0.051。这代表了耦合变化的显着降低7.67倍。此外，在提出的设计中使用了新发明的低损失弯曲，导致超低损坏设计，并具有可忽略的多余损失（0。003±0。013 dB）。拟议的0.5：0.5硅条波导的设计具有耐受性，并且在完整的300 mm晶圆上显示出持续的较低量变化，在80 nm波长范围内显示了最大的交叉耦合变化，在晶片的极端边缘处。futhermore，我们通过波导宽度耐受耐受性研究增强了晶圆映射，并确定了该设备在80 nm波长范围内的波导宽度偏差仅为±20 nm的最大耦合变化的设备的耐受性。这些规格使提出的分离器成为具有质量生产的实际应用的有吸引力的组成部分。
直拉硅中氧化物沉淀过程中 Si 自填隙发射的实验测定
我们采用了 Torigoe 和 Ono [ J. Appl. Phys. , 121 , 215103 (2017)] 的方法来研究直拉硅中氧化物沉淀过程中 β 的动力学，β 是每个沉淀氧原子发射的自间隙子数量。为此，我们使用了具有埋入式高 B 掺杂外延层的 pp 外延晶片，并在 950 °C 下进行和未进行热预处理进行退火。根据结果，我们得出结论，在没有热预处理的氧化物沉淀的初始阶段，β 非常高，然后下降到较低的值。在 800 °C 下进行 2 小时的热预处理后，β 的初始值会稍低，然后也会下降。如果在 950 °C 热处理之前进行成核退火，β 值从一开始就很低。所有这些结果都通过实验证实了我们之前发表的理论预测。这项研究还表明，晶体拉制过程会影响初始 β 值，因为生长的氧化物沉淀物核可以通过空位吸收来降低其应变。因此，在氧化物沉淀物成核时晶体冷却过程中的高空位过饱和会导致初始 β 值略低。© 2024 作者。由 IOP Publishing Limited 代表电化学学会出版。这是一篇开放获取的文章，根据知识共享署名 4.0 许可条款分发（CC BY，http://creativecommons.org/licenses/ by/4.0/ ），允许在任何媒体中不受限制地重复使用作品，前提是对原始作品进行适当引用。[DOI：10.1149/ 2162-8777/ad670d ]
Mihir Hota博士 - 博士 - 硅技术研究所
预测甲状腺功能减退疾病风险的分类模型”，2016年国际发明计算技术会议（ICICT），2016年，pp。1-4，doi：10.1109/inventive.2016.7824794。14。s.dash。Mamatarani Das，Kartik Chandra Jena，“基于地区的数据隐藏
Saroj Kanta Misra，博士- 硅谷科技学院
4. SK Srivastava, SK Misra, AK Sahu, N. Lakhimpur 作物规划降雨概率分析, 印度阿萨姆邦土壤研究杂志 26(2): 162-165, 1998. 5. SK Srivastava, SK Misra, AK Sahu 等, 孙德尔本斯蒸发皿蒸发量与气候参数相关性案例研究, IE杂志 (印度), 第 81 卷, 55-58, 2000 年 12 月. 6. SK Srivastava, SK Misra, AK Sahu 等, 根据贾巴尔普尔的计量数据估算蒸发皿蒸发量, 印度阿萨姆邦土壤研究杂志29(3), 224-228, 2001。 7. Golak Bihari Panda，Saroj Kanta Misra，三维射影空间和四面体 Desmic 系统中的直射群，国际几何杂志，卷。 3，第 1 期，48 – 52，2014 年。 8. Golak Bihari Panda，Saroj Kanta Misra，与四面体 Desmic 系统相关的共极系统，奥里萨邦数学会杂志，第 32 卷，26-31，2013 年 7 月。
Ramakrushna Swain博士博士 - 硅技术研究所
•“加权伯格曼空间上的Toeplitz和Hankel操作员”，Ann。学院。rom。Sci。，ISSN 2066-6594，第1卷。 12，编号 1-2/2020。 •“加权伯格曼空间上的Fredholm Toeplitz操作员”，Ann。 学院。 rom。 Sci。，Ser。 数学。 Appl。，13（2021），178-194。 •“具有有界谐波符号的Toeplitz操作员”，Ann。 学院。 rom。 Sci。，Ser。 数学。 Appl。，14（2022），166-179。 •“在加权伯格曼空间上的一类统一运营商上”，Filomat，37：7（2023），2013 - 2026年。Sci。，ISSN 2066-6594，第1卷。12，编号1-2/2020。 •“加权伯格曼空间上的Fredholm Toeplitz操作员”，Ann。 学院。 rom。 Sci。，Ser。 数学。 Appl。，13（2021），178-194。 •“具有有界谐波符号的Toeplitz操作员”，Ann。 学院。 rom。 Sci。，Ser。 数学。 Appl。，14（2022），166-179。 •“在加权伯格曼空间上的一类统一运营商上”，Filomat，37：7（2023），2013 - 2026年。1-2/2020。•“加权伯格曼空间上的Fredholm Toeplitz操作员”，Ann。学院。rom。Sci。，Ser。数学。Appl。，13（2021），178-194。 •“具有有界谐波符号的Toeplitz操作员”，Ann。 学院。 rom。 Sci。，Ser。 数学。 Appl。，14（2022），166-179。 •“在加权伯格曼空间上的一类统一运营商上”，Filomat，37：7（2023），2013 - 2026年。Appl。，13（2021），178-194。•“具有有界谐波符号的Toeplitz操作员”，Ann。学院。rom。Sci。，Ser。数学。Appl。，14（2022），166-179。 •“在加权伯格曼空间上的一类统一运营商上”，Filomat，37：7（2023），2013 - 2026年。Appl。，14（2022），166-179。•“在加权伯格曼空间上的一类统一运营商上”，Filomat，37：7（2023），2013 - 2026年。
碳和硅杂质缺陷
摘要：硝酸盐（GAN）中的缺陷单光子发射器（SPE）近年来由于其提供的优势而引起了人们的关注，包括在室温下操作，狭窄的排放线宽和高亮度。尽管如此，由于可能在GAN中形成的许多潜在缺陷，单光子发射机制的确切性质仍然不确定。在这项工作中，我们对从头算计算进行的系统研究表明，碳和硅作为氮化碳中的常见掺杂剂可以与GAN中的固有缺陷相互作用，并形成新的高速缺陷单光子来源。我们的发现确定了三元缺陷n ga v n c n，其寿命短于1 ns，而小零光子线（ZPL）为864 nm。换句话说，此缺陷可以用作短波长窗口中的高速单光子源进行纤维通信。在尖锐的对比度中，Si支持的缺陷N GA V n Si N具有较高的无占缺陷能水平，该缺陷能水平进入传导带，因此不适合单个光子发射。已经对潜在的缺陷，热稳定性和单光子发射特性进行了系统的研究。分别采用了perdew-burke-ernzerhof交换相关功能和HEYD-SCUSERIA-ERNZERHOF交换相关功能的放松计算和自洽计算。这些发现表明了通过碳或硅掺杂剂的高性能单光子来源的潜力。