摘要:维持基于硅的阳极的物理完整性,该阳极受到骑自行车期间严重变化造成的损害,这是其实际应用的重中之重。通过将纳米座粉与硅片与锂离子电池(LIBS)制造阳极(libs)的阳极(LIBS)的阳极(LIBS)混合,从而显着改善了基于硅粉的阳极的性能。纳米 - 膜粘附在硅片的表面上,并分布在薄片之间的粘合剂中。借助丰富的反应性表面连锁官能团和暴露的纳米原子悬挂键,促进了一致且坚固的固体电解质相(SEI),从而促进了硅片和阳极的物理完整性的增强。因此,电池的高速放电能力和循环寿命得到了改善。sem,拉曼光谱和XRD检查阳极的结构和形态。电化学性能在200个周期后评估了近75%的能力保留,在4 mA/cm 2的测试电流下,最终的特异能力超过1000 mAh/g。这归因于通过在阳极中将纳米座和硅片整合到纳米座中实现的固体电解质相(SEI)结构的稳定性,从而实现了增强的循环稳定性和快速的电荷 - 电荷 - 递送性能。这项研究的结果提出了一种有效的策略,即通过在基于硅 - 弗拉克的阳极中添加纳米座量来实现高循环表现。
特定的电能消耗为(11.5 - 13 kWh/kg SI),进入该工艺的碳材料代表相似的能源贡献。将大约一半的能量保留为Si金属中的化学能。碳足迹范围从4.7 kg CO 2 /kg Si到16千克CO 2 /kg Si),具体取决于该过程中使用的能源的类型(Xiao等,2010;Sævarsdottir等人,2021年)。由碳热过程产生的MG-SI的纯度约为98%和99%。电子级硅(杂质含量<1 ppb)和太阳级硅(杂质含量<1 ppm)用于各种应用,例如在光伏和电子产品中(Suzdaltsev,2022年)。用于从MG-SI生产高纯度硅的常规技术是西门子的工艺,它具有高能量消耗和低生产率(Chigondo,2018),或者使用流体化的床工艺(Arastoopour等,2022年)。另一种方法是Si在熔融盐中的电沉积,预计会产生高纯硅。如果所使用的阳极不耗时并且不产生CO 2,则与常规过程相比,碳足迹可以显着降低,如果用于电解的电力是可续签或核能的。已经证明,具有不同形态学的si膜可以电化学地沉积在不同的熔融盐中,例如氯化物,氟化物和氯化物 - 氟化物(Juzeliu Nas和Fray,2020年)。这些盐中的每一个都有优势和缺点;氯化物熔体是高度水溶性的,但沉积的胶片薄(<10 µm)。同时,沉积在浮力物中沉积的胶片是致密的,但是粘附在沉积物上的盐很难轻易去除。si可以通过将Si源/前体(例如SiO 2,Na 2 Sif 6,K 2 SIF 6和SICL 4)添加到熔融盐中来沉积。Si前体分解为Si(IV)电活性离子,该离子通过基于盐类型的一步或两步减少机制减少。
引言硅光子学和三维 (3-D) 集成是实现更高性能计算设备的新兴技术。与传统电互连相比,使用光子元件的几个主要优势是更低的功耗、更低的延迟和更高的带宽。此外,硅光子学与当前的互补金属氧化物半导体 (CMOS) 技术完全兼容,这使得可以直接过渡到集成电路 (IC) 制造 [1-4]。3-D IC 技术通过晶圆(或芯片)堆叠实现了硅光子学与传统 CMOS 技术的异构集成 [5-9]。异构晶圆堆叠是通过直接氧化物晶圆键合和称为氧化通孔 (TOV) 的 3-D 互连来实现的。直接氧化物晶圆键合为下游处理提供了强大的物理系统,并实现了高吞吐量的可制造性。此外,与传统的硅通孔 (TSV) 相比,后通孔方案中集成的 TOV 对 Si 光子学至关重要,因为它们的通孔电容较低,在此工艺中测得每个通孔的电容为 1.45 fF,从而
1 有研院集团有限公司智能传感新材料国家重点实验室,北京 100088;gangrongli@foxmail.com(GL);jinqingxi@foxmail.com(QJ);wangguozhi0809@126.com(GW);zhuyancxy@foxmail.com(YZ);yunkong0503@163.com(YK);zhaohongbin@grinm.com(HZ);tuhl@grinm.com(HT)2 有研院工程设计有限公司,北京 101407 3 北京有色金属研究总院,北京 100088 4 北方工业大学信息科学与技术学院,北京 100144;weishuhua@ncut.edu.cn(SW);zhangj@ncut.edu.cn(JZ); hujiawei@ime.ac.cn (JH) 5 中国科学院微电子研究所先进集成电路研究发展中心,北京 100029,中国;zhangqingzhu@ime.ac.cn * 通信地址:weiqianhui@grinm.com (QW);weifeng@grinm.com (FW) † 这些作者对本文的贡献相同。
资料来源:欧盟。2020 年 11 月委员会报告 - 奥地利环境署和 Borderstep 研究所发布的节能云计算技术和生态友好型云市场的政策
这个特别版的边境旨在审查太阳能电池中升级的冶金级硅(UMG-SI,UMG)的使用。让我们从有关术语的一些评论开始,然后回顾历史。硅是氧气后地球上最丰富的元素,在大自然中从未发现过本地的母亲(Si 0),而是与氧气(或某些情况下,在某些情况下,溶液)(sio 2)(Sio 2)和硅酸盐(例如Na 2 Sio 4,Casio 4,Casio 4,Casio 4,Mgsio 4,Mgs 4,al 2(sio)和Al 2(sio)和Al 2(sio 4+)(si 4+)(si 4+)(溶液),以及Si 2 F 6)硅和富含硅富合金,例如铁硅和硅烷基,是由二氧化硅(石英和石英岩)的碳热还原产生的。硅的纯度为98% - 99%,可以通过该总体反应在带淹没电极的电弧线场景中获得:
由于能量的限制及其对总损耗的影响,介电基板的选择在射频频率下起着重要作用。与能量存储相关的基板介电常数显著影响电路在较高频率下的性能。根据介电常数行为,基板被分为有损介电常数或良好介电常数。损耗角正切值取决于介电常数,并影响传输线的品质因数。在硅中,由于金属-半导体结,金属接触会产生肖特基接触。这需要进行适当的公式化和建模,以预测电路行为。本文研究并详细介绍了掺杂、载流子迁移率、频率等各种现象是影响介电常数的主要因素,并研究了它们对损耗角正切的作用
研究了 C54 Ti(Si, -,Ge,,) 薄膜与 Si, -XGe, 衬底接触时的稳定性。C54 Ti(Si, -,Ge,,j) 薄膜由 Ti-Sii-,Ge, 固相金属化反应形成。结果表明,最初形成的 C54 Ti(Si, -,,Ge,,) 的 Ge 指数 y 与 Si, -XGeX 衬底的 Ge 指数 x 大致相同(即 yx)。C54 钛锗硅化物形成后,Si, -XGeX 衬底中的 Si 和 Ge 继续扩散到 C54 层中,大概是通过晶格和晶粒边界扩散。扩散到 C54 晶格中的部分 Si 取代了 C54 晶格上的 Ge,C54 Ti(Si, -,GeJZ 的 Ge 指数降低(即 yx)。这种偏析和沉淀增强了C54钛锗硅化物薄膜的团聚(即较低的团聚温度)。观察到可以使用快速热退火技术来减少退火时间并导致Ge偏析的减少。0 199.S美国物理学会。