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材料化学 A - ePrints Soton
在溶剂热条件下，使用 SnCl 4 和 LiNH 2 前体，开发了一种合成尖晶石结构 Sn 3 N 4 的简单且可扩展的新方法。生产了晶粒尺寸 <10 nm 的纳米晶体 Sn 3 N 4，并作为钠半电池的阳极材料进行了测试，结果表明，在 50 次循环中测得的可逆（脱钠）容量非常高，约为 850 mA hg -1，这是除钠本身之外的钠阳极的最高可逆容量。原位 X 射线吸收光谱和 X 射线衍射表明，电化学反应是可逆的，并且 Sn 3 N 4 在重新氧化后会恢复。X 射线衍射表明，与 Sn 3 N 4 反射相关的峰在放电（还原）过程中变窄，证明较小的 Sn 3 N 4 颗粒主要参与电化学反应，并且峰的加宽在氧化后可以可逆地恢复。近边 X 射线吸收数据 (XANES) 分析表明，Sn 的氧化态在还原过程中降低，在氧化过程中几乎恢复到初始值。DFT 计算表明，Na 插入 Sn3N4 表面，然后用 Na 取代四面体 Sn 在能量上是有利的，而从还原电极的扩展 X 射线吸收精细结构 (EXAFS) 测量分析中获得了四面体 Sn 从尖晶石 Sn3N4 结构中去除的证据，这也表明氧化结束时恢复了原始结构。DFT 还表明，Na 取代 Sn 仅在 Sn3N4 表面有利（对块状 Sn3N4 不起作用），这与电化学表征一致，即控制纳米颗粒尺寸对于充分利用 Sn3N4（从而实现高容量）至关重要。
等离子体活化三元 SnO2@Sn/氮掺杂 ...
摘要：SnO 2 基钠离子电池在钠化/脱钠过程中通常会出现容量衰减较快的问题，这是由于Sn的聚集和裂解以及Na 2 O的不可逆形成造成的。针对这一问题，我们设计了一种基于微波等离子体工艺制备的三元SnO 2 @Sn核壳结构，修饰于氮掺杂石墨烯气凝胶上（SnO 2 @Sn/NGA）。转化成的Na 2 O可以防止Sn的团聚，从而在循环过程中稳定结构。Na 2 O与Sn之间的紧密接触确保了Na+离子向Sn核的扩散，并可逆地转化为Sn SnO 2 。此外，等离子体对NGA的脱氧作用提高了其石墨化程度和电导率，从而大大提高了电极的倍率性能。结果，SnO 2 @Sn/NGA负极在100 mA g -1 时表现出448.5 mAh g -1 的高首次放电容量。重要的是，这种独特的纳米混合电极设计可以扩展到锂和钠离子电池的先进阳极材料。
惠勒萨克陆军机场任务执行......
05-07 07-09 09-11 11-13 13-15 15-17 05-07 07-09 09-11 11-13 13-15 15-17 005 005 005 010 010 005 005 005 010 010 005 005 010 010 005 005 010 010 010 005 005 010 010 27015 +00 27010 -01 2 4 4 5 5 5 5 5 7 4 4 4 27020 -01 26015 -02 序列号 序列号 序列号 序列号 序列号 序列号 序列号 * 序列号 序列号27020 -02 26015 -03 060 060 060 VRB VRB VRB 240 260 260 260 260 260 27020 -03 26015 -04 10 10 05 06 06 06 08 08 08 06 06 06 27025 -04 26020 -06 27030 -05 26020 -07 * * * * * * * * * * * * * 28030 -05 27020 -07 LLLLLLLLLLLL 28030 -06 27020 -08 押韵 押韵 押韵 押韵 押韵 押韵 押韵 押韵28030 -07 27020 -08 005-100 005-100 005-100 010-100 010-100 010-100 005-100 005-100 005-100 010-100 010-100 29030 -09 27020 -09 * * * * * * * * * * * * * 28030 -11 27020 -11 * * * * * * * * * * * 28030 -13 27020 -12
RSC应用聚合物 - 皇家化学学会
ag，Cu和SN的电催化剂有望在气体扩散电极上还原性动力学和效率。ag，Cu，SN硫化物催化剂尤其可能会提供改变的电子适用岩和产品选择性，同时仍然易于在可缩放的合成路线中制造。比较Cu 3 SNS 4，Ag 3 SNS 4，Cu 2 S，SNS和AG 8 SNS 6的CO 2降低（CO 2 RR）在100 mA cm -2时的Cu 3 SNS 4，Cu 2 S，SNS和AG 8 SNS 6，甲酸甲酸甲酸盐被认为是Cu 3 SNS 4和AG 3 SNS的FARADAIC 57％的主要CO 2 RR。通过X射线光电子光谱（XPS）和X射线衍射的表征揭示了CO 2 RR期间相应硫化物物种的Ag 3 Sn和Cu 3 Sn合金的形成。但是，在-100 mA cm -2时2小时分解为CuO和SNO的Cu 3基电极表面，XPS可以通过XPS删除表面层后检测到相应的电极表面上的金属AG 3 SN位点。使用密度函数理论，计算 *H， *CO和 *OCHO的结合能在Cu 3 Sn和Ag 3 SN上计算以鉴定可能的催化位点。因此，发现SN会呈现Cu和Ag高含氧化性，从而导致羧基功能的吸附，从而使甲酸盐产生能够甲酸盐产生，其部分电流密度高达162 mA CM -2。
评估基因型NTM-DR分析性能，用于鉴定和分子检测脓肿的分枝杆菌复合物
1 Laboratory of Bacte´riology, Center Hospitalier Universitaire de Montpellier, Montpellier, France, 2 Mivegec, IRD, CNRS, Universite´ de Montpellier, Montpellier, France, 3 Bordeaux Population Health Center U1219, Universite´ de Bordeaux, Bordeaux, France, 4 CYSTIC FIBROSIS Center, University Hospital of Montpellier,细菌学院卫生部，南特斯大学，南特斯大学，法国南特大学，6 Unirouen，Gram EA2656，Rouen University Hospital，Normandy Universite´，Rouen，Rouen，France，7 USC EA 3671 Mycoplasmes和Chlamydiae的人类感染。 Bordeaux，Borteaux，Bortaux，法国，8 Chu de Toulouse，Bacte´riology-hygiè，Institut fe´dératif de Biologie，图卢兹，图卢兹，法国9个细菌疗法 - 医院卫生系，布雷斯特大学，布雷斯特大学，布雷斯特大学，布雷斯特，布雷斯特，10个实验室，苏尔，sn ofero sn sn oilo sn sn ofer sn Dioulasso，布基纳法索（Brkina Faso），东南亚的11 LMI耐药性“ Drisa”，IRD Montpellier，Montpellier，法国，1 Laboratory of Bacte´riology, Center Hospitalier Universitaire de Montpellier, Montpellier, France, 2 Mivegec, IRD, CNRS, Universite´ de Montpellier, Montpellier, France, 3 Bordeaux Population Health Center U1219, Universite´ de Bordeaux, Bordeaux, France, 4 CYSTIC FIBROSIS Center, University Hospital of Montpellier,细菌学院卫生部，南特斯大学，南特斯大学，法国南特大学，6 Unirouen，Gram EA2656，Rouen University Hospital，Normandy Universite´，Rouen，Rouen，France，7 USC EA 3671 Mycoplasmes和Chlamydiae的人类感染。Bordeaux，Borteaux，Bortaux，法国，8 Chu de Toulouse，Bacte´riology-hygiè，Institut fe´dératif de Biologie，图卢兹，图卢兹，法国9个细菌疗法 - 医院卫生系，布雷斯特大学，布雷斯特大学，布雷斯特大学，布雷斯特，布雷斯特，10个实验室，苏尔，sn ofero sn sn oilo sn sn ofer sn Dioulasso，布基纳法索（Brkina Faso），东南亚的11 LMI耐药性“ Drisa”，IRD Montpellier，Montpellier，法国，Bordeaux，Borteaux，Bortaux，法国，8 Chu de Toulouse，Bacte´riology-hygiè，Institut fe´dératif de Biologie，图卢兹，图卢兹，法国9个细菌疗法 - 医院卫生系，布雷斯特大学，布雷斯特大学，布雷斯特大学，布雷斯特，布雷斯特，10个实验室，苏尔，sn ofero sn sn oilo sn sn ofer sn Dioulasso，布基纳法索（Brkina Faso），东南亚的11 LMI耐药性“ Drisa”，IRD Montpellier，Montpellier，法国，
热循环载荷对三维芯片堆叠结构应力-应变响应和疲劳寿命的影响
随着芯片技术的发展，摩尔定律在微电子工业中的运用可能接近极限，三维集成电路（3D-IC）技术可以克服摩尔定律的限制，具有高集成度、高性能和低功耗的优势[1-3]。因此，3D IC中的芯片堆叠引起了电子工业的广泛关注，不同的键合技术被开发出来以保证芯片（或晶圆）的垂直堆叠，其中采用焊料的TLP键合已被提出作为实现低温键合和高温服务的有效方法。Talebanpour [4]采用Sn3.0Ag0.5Cu作为3D结构中的互连材料，经260 ℃回流温度和时效后获得了全IMC（Cu6Sn5/Cu3Sn）。储[5]研究了低温稳态瞬态液相(TLP)键合Cu/Sn/Cu和Ni/Sn/Ni焊点,分别检测到Cu 6 Sn 5 、Cu 3 Sn、Ni 3 Sn 4 、Ni 3 Sn 2 。陈[6]研究了基于TLP键合的Cu/Sn3.5Ag/Cu和Cu/Sn3.5Ag/Cu15Zn,焊点中检测到了Cu 6 Sn 5和Cu 6 (Sn, Zn) 5 ,研究发现Cu 6 Sn 5 由于其晶粒结构均一且脆性大,会降低键合可靠性;而Zn能有效地将均一晶粒结构修改为交错结构,从而提高键合可靠性。在3D IC结构中,完整IMC焊点在热循环载荷下的可靠性一直是重要的研究方向,有限元程序可以用来计算IMC焊点的应力-应变响应和疲劳寿命。田 [7] 研究了三维IMC接头的应力分析和结构优化
支持信息外延驱动的相位选择性...
图S2：A，长INSB-SN部分的SEM图像。观察到NW远离SN沉积方向的小弯曲。这可以归因于材料的不同热膨胀系数，也可以归因于界面中的残余应变。6,7 B，鳗鱼elemental sn，sb和NWS的INSB/INAS部分。在INSB表面上可以理解连续的SN壳，而它作为INAS茎上的离散岛沉积。c，从（b）中标记为in，sn和sb边缘标记的（b）中标记的区域提取的鳗鱼光谱。d，INAS和INSB之间的交点区域的底部曲率。SN通常在该区域不存在。这可能是由于弯曲区域中的高表面能，或者当SN沉积时可能会被遮盖。比例尺为：（a）100 nm，（b）100 nm，（d）20 nm。
惠勒-萨克陆军机场任务执行预测
13-15 15-17 17-19 19-21 21-23 23-01 13-15 15-17 17-19 19-21 21-23 23-01 007 010 015 015 015 015 006 012 015 015 015 015 007 010 015 015 015 015 010 015 015 015 020 020 36005 -02 01005 -03 1 2 3 3 7 7 1 5 4 4 7 7 36005 -03 02005 -04 序列号 序列号 序列号 * * 序列号 序列号 序列号 * * 35005 -05 03005 -05 VRB VRB VRB VRB VRB VRB VRB VRB VRB VRB VRB VRB VRB 33000 -06 03000 -06 06 06 06 06 06 06 06 06 06 06 06 06 06 24005 -08 25005 -07 25005 -09 27010 -09 * * * * * * * * * * * * * 28010 -09 28010 -10 L L L L L L L L L L L L L 29015 -09 29005 -11 RIME RIME RIME RIME RIME RIME RIME RIME RIME RIME RIME RIME RIME RIME RIME 29015 -11 28005 -12 007-100 010-100 015-100 015-100 015-100 015-100 010-100 015-100 015-100 015-100 020-100 020-100 28015 -12 28010 -14 * * * * * * * * * * * * * 27015 -14 27010 -16 * * * * * * * * * * * * 27015 -16 27010 -18
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