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电器登记使用手册
SNO 家电测试标准 a. 家用制冷设备 KS IEC 62552-1: 2015、KS IEC 62552-2: 2015、KS IEC 62552-3: 2015、KS 2464 - 1/2 : 2020 b. 非管道空调 KS 2463: 2019 c. 三相笼型感应电机 KS 2449 - 1/2 : 2013 或 IEC- 600034-2-1 d. 自镇流灯 KS 2446 - 1/2 : 2013 e. 双端荧光灯 KS 2448- 1 : 2013 f.荧光灯镇流器 KS 2447 - 1/2 : 2013 （2）相应测试的测试实验室认证 （3）注册费（您可以在申请期间直接从 MPESA 支付）。
杂次la- ...
宽带间隙（WBG）碱性晶酸盐透明氧化物半导体（TOSS）近年来引起了越来越多的关注，因为它们的高载流子迁移率和出色的光电特性，这些特性已应用于诸如Flat-Panel显示器等广泛的应用。然而，大多数碱性地球酸盐是由分子束外延（MBE）生长的，有关锡源的问题存在一些棘手的问题，包括带有SNO和SN源的波动性以及SNO 2源的分解。相反，原子层沉积（ALD）是具有精确的化学计量控制和原子尺度上可调厚度的复杂stannate钙钛矿生长的理想技术。在此，我们报告了la-srsno 3 /batio 3 perovskite异质结构异质集成在SI（001）上，该结构使用ALD种植的La掺杂的Srsno 3（LSSO）作为通道材料，并用作MBE生长的Batio 3（BTO）作为介电材料。反射性高能电子衍射和X射线衍射结果表明每个外延层的结晶度为0.62，全宽度最高（FWHM）。原位X射线光电子光谱结果证实，ALD沉积LSSO中没有SN 0状态。这项工作扩展了当前的优化方法，用于减少外在LSSO/BTO钙钛矿异质结构中的缺陷，并表明过量的氧气退火是增强LSSO/BTO异质结构的电容性能的强大工具。Besides, we report a strategy for the post-treatment of LSSO/BTO perovskite heterostructures by controlling the oxygen annealing temperature and time, with a maximum oxide capacitance C ox = 0.31 μF/cm 2 and a minimum low- frequency dispersion for the devices with 7 h oxygen annealing at 400 C. The enhancement of capacitance properties is primarily attributed to a在额外的异位过量氧气退火过程中，膜中氧空位的减少和异质结构界面中的界面缺陷。
单层CUCL对CO和HF气体的高度敏感感应
由于其独特的属性和应用程序而产生的利息。此外，它们已在广泛的应用中应用，包括催化，储能和生物医学工程。3,4许多先前的研究报道了Ag 2 O /TiO 2，5 WO 3 /ZnO NC，6个SNO 2 /MGO NCS，在抗菌中使用2 O 3 /ZnO NCS 8中的7中，以及由于其出色的特性而进行的抗癌应用。此外，通过添加另一种材料（石墨烯（GO），氧化石墨烯（RGO）（RGO）和聚合物），可以通过改进的合成过程来增强这些NC的物理化学特性。不同的方法，用于制备和生物医学的应用，以减少氧化石墨烯（RGO）的不同金属氧化物NP，以提高其物理化学特性。9,10，例如水果提取物（凤凰
ESA D2D研讨会的报告2024
18个国家参加了活动，与移动网络运营商（MNO），卫星网络运营商（SNO），卫星素数，卫星子系统和设备供应商，地面网络提供商，设备芯片筹码供应商，用户社区，欧洲委员会，欧洲委员会，国家 /地区和ITUS和ITU的ITU和ITU和ITU和ITUE（NENTARE和ITU），RIS和ITUE（ITU）和R.投资者。本文档报告了在四个单独的面板中组织的讨论中的主要发现，分别解决了用例和战略方面，业务案例和服务交付模型，监管方面和技术/技术方面。为了集中讨论，在讲习班中讨论的场景主要解决了在所谓的“ FR1”频段（低于6 GHz）中运行的卫星解决方案，并与智能手机和任何其他设备进行了直接连接。
胶体CdS量子点的合成及作为界面修饰的应用
1. 引言 近年来，由于钙钛矿太阳能电池成本低、效率高、制备简单等特点，吸引了众多研究人员的关注。自从 2009 年 Miyasaka 等人首次报道以来，钙钛矿太阳能电池 (PSC) 技术已经从 3.8% 提升至 25% 左右 [1,2]。基本的钙钛矿太阳能电池由透明导电层（例如氟掺杂氧化锡 (FTO) 或铟掺杂氧化锡 (ITO)、电子传输层、光敏钙钛矿层、空穴传输层以及金属电极）组成。由于电子传输层适用于所有层，因此它对于 PSC 的高效率起着重要作用。TiO 2 是最常用的电子传输层之一，因为它具有多种制备方法，例如旋涂、喷涂、溅射等 [3–5]。除了制备技术之外，TiO 2 结构还存在一些问题，例如氧空位和非化学计量缺陷，尤其是位于 TiO 2 表面的缺陷 [6,7]。这些缺陷阻碍电子流动，导致钙钛矿太阳能电池性能不佳。一些研究人员报道了一些不同的材料如 SnO 2 、 ZnO、CdS 和 WOx 代替 TiO 2 作为电子传输层 [8–11]。尽管 CdS 作为电子传输层还远远不能令人满意，但它可能是改性和钝化 TiO 2 表面的优异界面材料。最近，Hwang 等人报道 CdS 作为介孔 TiO 2 层的改性材料，可提高钙钛矿太阳能电池的稳定性 [12]。Zhao 等人使用 CdS 作为前体溶液的添加剂，观察到复合显著减少 [13]。Dong 等人使用 CdS 作为电子传输层，观察到 PSC 的效率为 16.5% [14]。Wessendorf 等人通过使用 CdS 作为电子传输层，观察到磁滞减小 [15]。Cd 扩散到钙钛矿层导致晶粒尺寸增加，从而提高效率 [16]。Mohamadkhania 等人使用 SnO 2 表面上的 CdS 作为界面改性剂，观察到磁滞减小和效率提高 [17]。Ma 等人表明，在 TiO 2 表面化学沉积 CdS 可将效率从 10.31% 提高到 14.26% [18]。
203 CdMnSe 的光电特性...
摘要。所研究的光伏电池半导体结构由 SnO 2 镀膜玻璃和 CdMnSe 薄膜组成。通过检查激光功率和样品温度下 CdMnSe 薄膜表面的光致发光，研究了原生薄膜、空气退火薄膜和经过 CdCl 2 处理的薄膜。在玻璃基板上生长 Cd 1-x Mn x Se（x =0.02）薄膜。根据光电流的动力学衰减确定了脉冲照射下的载流子寿命。在激光辐射影响下对非平衡光电导弛豫曲线的研究证实了两个复合通道的存在——本征和杂质。光电流弛豫通过快速和慢速复合通道发生。与本征跃迁相关的快速弛豫时间 τ = 6 μs，而慢速弛豫时间则归因于杂质激发，τ = 22 μs。研究了Cd1-xMnxSe（x=0.02）薄膜的光致发光光谱，在光致发光研究中观察到两个最大值，它们是由供体-受体复合和Mn原子的中心内跃迁引起的。
基于二氧化锡1的气敏传感器伏安特性研究
引言目前，微电子气体传感器广泛应用于环境监测、通风和空调系统、家用设备和汽车工业[1,2]。它们还用于确定采矿、化学和冶金工业中危险气体的最大允许浓度[3,4]。在众多的金属氧化物半导体中，二氧化锡被认为是最有前途的传感材料[5]。气敏电阻型传感器采用二氧化锡制造，通过测量触点间电阻的变化来检测空气中气体的存在。气体传感器的小型化在保持工作电压的同时，增加了触点间隙中的电场。这会刺激离子吸附气体粒子在活性层表面的迁移，影响气敏装置的整体特性，并实现气体的分析和识别[6,7]。研究金属氧化物半导体结构的电物理特性通常涉及测量介电氧化物层的伏特-法拉特性（通常在高频下）以及具有相对较高电导率的氧化物层在直流下的伏特-安培特性 (IVC)。本研究介绍了基于 SnO 2 /Si 的异质结中电流传输机制的实验结果。
bv 32
20231269使用MUON自旋松弛Adroja，Devashibhai Rutherford Appleton Lab，对TBTA7O19中量子自旋液体中可能的量子自旋液态基态进行了研究。接受了2天火焰20231330对旋转液态基态的评估＆＃956; SR对高度沮丧的CO2+的SR研究，其有效的Spin-1/2 Zigzag链链抗Fiferromagnet：Zncop2O7 Adroja，Devashibhai Ruthai Ruthai Ruthai Ruthai Rutherford appleton实验室。接受了2天火焰20231277搜索磁性和测量三角晶格化合物NDMGAL11O19 BLUNDELL，Stephen Univ中的旋转动力学。接受了2天火焰20231278三角晶格量子旋转液体候选者Kybse2 Blundell，Stephen Univ。接受2天火焰20231224氢在一氧化锡SnO中的电行为通过µSR Chaplygin，Igor Technische Univ研究。德累斯顿接受了3天LEM 20231344在LEM（延续）Crivelli，Paolo eth Zuerich接受了7天LEM 20231361在2D三角形抗forermagnet devi中寻求量子旋转的液态状态，以寻求量子旋转状态
海得拉巴大学
SNO程序名称 - 学生评论的名称>>艺术大师（5年）历史1 24IAMH01 -VUPULAPU GEETIKA 2 24IAMH02 -DEVADATH PV 3 24IAMH03- shoaib akhtar 4 24iamh04 -Niamh04- IAMH07 -KOSHLENDRA NAVRANG 8 24IAMH08 -VODDALA KRISHNA YADAV 9 24IAMH09 -L HARSHITHA 10 24IAMH10 -ANURAG KASHYAP 11 24IAMH11 -KAMARA HARSHAVARDHAN 12 24IAMH12 24IAMH12 -K SAI SIASH 13 24IAMH13 -ASHIMH13 -ASHUTOSH SINGH13 -ASHUTOSH SINDH 14 HASENH13 -ASHUTOSH SINGH 14 HARSEDH 14 HARSENH 14H。 24IAMH14 - G YAMUNA DEEKSHITHA 15 24IAMH15 - MUHAMMAD JASIM NK 16 24IAMH16 - BEJJAM ABHIVED 17 24IAMH17 - SANDRA EDATHIL 18 24IAMH18 - GURRAMPALLY SOWJANYA 19 24IAMH19 - NADA FATHIMA VM 20 24IAMH21 - MADIREDDY SAMYUKTA 21 24IAMH22 - GUNTAMUKKALA PRAVALLIKA 22 24IAMH23 - PATHLAVATH SUDHAKAR 23 24IAMH24 - MARIYATHUL KHIBTHIYYA 24 24IAMH25 - TWILWK JAMATIA 25 24IAMH26 - VUPULAPU HAASIKA 26 24IAMH28 - ANARGHA K 27 24IAMH29 - ANANTHU P 28 24IAMH30 - LALBIAKSANGI 29 24IAMH31 - GUTTI GUNTA TAISHYA 30 24IAMH32 - RAYYAN SADIQUE E