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Luxralrus和SNT合作研究新的Peogolies，以确保数据 - Fedil dive>
卢森堡大学跨学科安全，可靠性和信任（SNT）的跨学科中心在信息和通信技术方面进行了国际竞争性研究。除了长期，高风险的研究外，SNT还通过其合作伙伴计划与行业和公共部门进行了需求驱动的协作项目。由此产生的概念为卢森堡及其他地区的公司带来了真正的，持久的竞争优势。
通过缺陷控制在SNTE中实现可调的费米级
在拓扑结晶绝缘子锡尿酸罐中对费米水平的调整对于访问其独特的表面状态并优化其电子性能（例如Spintronics和Quantum Computing）至关重要。在这项研究中，我们证明了尿尿酸罐中的费米水平可以通过控制化学蒸气沉积合成过程中的锡浓度来有效调节。通过引入富含锡的条件，我们观察到X射线光电学光谱型锡和泰瑟列的核心水平峰值，表明费米水平的向上移动。通过紫外线光谱法测量的工作函数值的下降证实了这种转移，从而证实了SN空位的抑制。我们的发现提供了一种低成本，可扩展的方法，可以在锡尿酸罐中实现可调节的费米水平，从而在具有量身定制的电子特性的材料开发方面取得了重大进步，用于下一代技术应用。
snte/pbte单层异质结构中的面向涡流的铁电域
valleytronic，光学，热，磁性和铁电性能在新型异质结构和设备中。它们的弱层间耦合可以通过机械堆叠2D材料来相对简单地制造垂直侵蚀。另一方面，侧面异质结构（LHSS）的层次是现代金属 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化导向器磁场晶体效应的基于微电极的基本结构，由于需要更多的复杂生长和兴奋剂技术，因此受到了探索的较少。受到可能从2D LHSS出现的潜在杰出性能和多功能调整自由的鼓励，在该领域进行了多项实验和理论研究。[1] The earliest experimentally realized 2D LHSs were those between graphene and hexagonal boron nitride (hBN) [2–6] grown by chemical vapor depo- sition (CVD), from which prototype field effect transistors (FETs) were demonstrated [2–5] Shortly later, a series of transition metal dichalcogenide (TMDC) mono layer (ML)通过一步或两步的CVD方法制备LHSS，包括MOS 2，MOSE 2，WS 2和WSE 2的组合。[7-12]所有这些TMDC LHSS都显示二极管样电流的整流效应。[26]同时，制造了具有高性能的原型设备，包括光电二极管和互补的金属 - 氧化物 - 半导体晶体管逆变器，[7,10–12]通过控制良好的气体流量切换技术或光刻辅助辅助阴离子的替代品，TMDC LHS的脱位量很清晰。 LHSS仅由一种材料组成，但具有不同的厚度，[16,17]或介电环境[18]在其界面上，产生了电子带隙，整流和光伏效应的修饰。将材料与不同空间对称性组合的2D LHS的其他形式，例如石墨烯-TMDC LHSS [19-22] HBN-TMDC LHSS，[19]石墨烯纳米替伯型LHSS与不同的兴奋剂[23]或宽度[23]或宽度[24] [24]单钙化剂 - 二甲基二苯二苯lhss [26]是通过各种增强的CVD方法创建的，例如机械 - 脱落的辅助CVD，[19]种子促进的CVD，[20]由等离子体蚀刻定义的模板生长，由等离子体蚀刻[21] [21] [21]和热层转化化学构图。