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标题页：评估支持研究的高级计算基础架构的价值：为研究政策提供信息的新工具Winona G. Snapp-Chi
John Towns 4 Craig A. Stewart 5* 1 Pervasive Technology Institute, Office of the VP for IT, Indiana University, Bloomington, IN, 47408, USA 2 Research Technologies, Office of the VP for IT, Indiana University, Bloomington, IN, 47408, USA 3 Rosen Center for Advanced Computing, Purdue University, West Lafayette, IN 47906, USA 4 National Center for超级计算申请，伊利诺伊大学Urbana-champaign，Urbana，IL 61801，美国5计算机科学系，印第安纳大学，布卢明顿，印第安纳州布卢明顿，47408 * jtowns@illinois.edu（城镇），stewart@iu.edu（stewart）利益宣言（资金来源）作者宣布已宣布财务支持，以进行本文的研究，作者身份和出版，特别是NSF奖，特别是：towns（Snapp-Childs IU-Childs IU-Concontract Pi Pi）（Snapp-Childs iu concontract Pi）（＃10555555555545，＃1545，＃1545，＃1545，汉考克（＃1445604，＃2005506）; Xiaohui Carol Song（Smith，Co-Pi）（＃2005632）和IU Pervasive技术研究所的支持。致谢这项工作得到以下组织的支持：？国家科学基金会赠款：Towns（Snapp-Childs IU分包PI）（＃1053575，＃1548562）;汉考克（＃1445604，＃2005506）; Xiaohui Carol Song（Smith，Co-Pi）（＃2005632）。Snapp-Childs还得到了印第安纳大学Pervasive Technology Institute的支持。我们感谢Kristol Hancock的编辑和Katja Bookwalter的图形设计。
戒烟对糖尿病的影响 - ...
摘要：本文研究了SIC MOSFETS身体二极管反向恢复的行为，这是不同工作条件的函数。对其效果的了解对于基于SIC设备的正确设计和驱动电源转换器至关重要，以优化旨在提高效率的MOSFET通勤。的确，反向恢复是切换瞬态的一部分，但由于其对恢复能量和电荷的影响，它具有重要作用。已正确选择了不同操作条件的集合，以防止或强迫测试设备的快速恢复。实验结果和特定的软件模拟揭示了文献中未知的现象。更具体地说，对反向恢复电荷Q RR的分析显示，在高温下，两种意外现象：随着栅极电压的增加，它会降低；设备阈值越高，Q RR越高。TCAD-SILVACO（ATLASv。5.29.0.c）模拟表明，这是由于换向过程中输出电容电压变化而导致漂移区域流动的位移电流引起的。从对快速恢复的分析中，它已经出现了最小的正向电流斜率，即使在高电流水平上，反向恢复也不是活跃的。达到此电流斜率后，Q RR仅随正流电流而变化。
