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4H 碳化硅的受控剥落与自旋相干性研究，用于量子工程集成
摘要：我们详细介绍了实现单晶 4H 碳化硅 (4H-SiC) 从块状基底受控剥落和层转移的科学和工程进展。4H-SiC 的特性（包括高热导率和宽带隙）使其成为电力电子的理想半导体。此外，4H-SiC 是用于量子计算和量子网络的固态原子缺陷量子比特的优良宿主。由于 4H-SiC 基底价格昂贵（由于生长时间长且产量有限），因此需要采用块状质量薄膜的去除和转移技术以便重复使用基底并集成分离的薄膜。在这项工作中，我们利用最新的应力层厚度控制和剥落裂纹起始方法来展示 4H-SiC 的受控剥落，4H-SiC 是迄今为止剥落的断裂韧性最高的晶体。我们实现了中性双空位 (VV 0 ) 量子比特集合的相干自旋控制，并在剥落的薄膜中测量了 79.7 μ s 的准体自旋 T 2。关键词：4H-SiC、层转移、固态量子比特、自旋相干性、异质积分 C
ORNL 散裂中子源的基础中子物理光束线
光束线的设计旨在支持各种基础物理实验，这些实验旨在解答有关宇宙中物质的性质和存在的问题，并由同行评审分配访问权限和时间。由于这类实验几乎总是受到统计限制，因此光束线的设计旨在提供最高强度的脉冲中子，尤其是冷中子，同时还提供充足的地面空间来安装实验。
散布中子源的第二个目标站
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欧洲核子研究中心 n_TOF 散裂源近场站的中子电子辐照
摘要 — 我们通过蒙特卡罗模拟、特性良好的静态随机存取存储器 (SRAM) 和射电光致发光 (RPL) 剂量计研究了 CERN 中子飞行时间 (n_TOF) 设施 NEAR 站的中子场，目的是为电子辐照提供中子。模拟了 NEAR 几个测试位置的电子测试相关粒子通量和典型量，并将其与 CERN 高能加速器混合场设施 (CHARM) 的粒子通量和典型量进行比较，突出了相似点和不同点。在参考位置测试了基于单粒子翻转 (SEU) 和单粒子闩锁 (SEL) 计数的 SRAM 探测器（每个探测器具有不同的能量响应）和 RPL 剂量计，并将结果与 FLUKA 模拟进行了对比。最后，将 NEAR 的中子谱与最著名的散裂源和典型的感兴趣环境（用于加速器和大气应用）的中子谱进行比较，显示了该设施用于电子辐照的潜力。