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通过引入 DS-Red、Rec、Rep 和 CRISPR/Cas9 表达构建体获得棉花 (Gossypium hirsutum L.) 创始转化子，用于开发重组酶介导的基因堆积基线
棉花是世界主要的纤维作物，面临着众多生物和非生物胁迫。棉花的基因转化对于满足世界粮食、饲料和纤维需求至关重要。通过随机转移基因进行的基因操作产生了可变的基因表达。通过最新的基因组编辑工具进行有针对性的基因插入会导致基因在特定位置可预测的表达。基因堆叠技术是一种适应性策略，它通过同时在特定位点整合 2-3 个基因来避免在不同位置产生可变的基因表达，从而对抗生物和非生物胁迫。这项研究解释了棉花创始转化子的开发，以用作多基因堆叠项目的基线。我们引入了 Cre 和 PhiC31 介导的重组位点来指定传入基因的位点。整合了 CRISPR-Cas9 基因以开发基于 CRISPR 的棉花创始系。Cas9 基因与 gRNA 一起整合以靶向棉花卷叶病毒的 Rep（复制）区域。病毒的复制区域被专门针对以减少进一步的增殖并防止病毒发展出新的菌株。为了成功开发这些原代转化体，已经使用红色可视化（DS-Red）优化了模型转化系统。根据红色转化系统，已经开发了具有重组指定位点（Rec）、目标复制区域（Rep）和Cas9创始系的三个基线。这些创始转化体可用于开发重组酶介导和基于CRISPR/Cas9的棉花起源系。此外，这些转化体将为所有重组酶介导的基因堆叠项目建立一个基础系统。
p 掺杂二硫化钼中光驱动瞬态皮秒顶层半导体到金属相变
二硫族化合物 MX 2 (过渡金属 M 和硫族元素 X) 是范德华耦合的层状准二维材料，具有可定制的电子特性，因此在器件、气体传感器和化学过程方面具有重要意义。[1] 其基础是多相和堆叠顺序的存在，以及作为主体材料进行掺杂和插层的能力。[2] 二硫族化合物辉钼矿 (MoS 2 ) 是一种热力学稳定的块体晶体，间接带隙为 1.2 至 1.3 eV。[3–5] 其晶体结构由堆叠的 S–Mo–S 片组成，具有 A–B–A 堆叠的三角棱柱对称性，其中顶部和底部 S 平面中的硫原子占据等效的垂直位置。[3] S–Mo–S 片之间的距离为 6.5 Å。 [6] 从间接带隙块体 2H-MoS 2 到单层，带隙逐渐加宽，单层 MoS 2 的直接带隙达到 1.9 eV。[5] 半导体 2H-MoS 2 相支持通过化学和物理方法诱导的 n 型和 p 型掺杂。[7–11] 据报道，插层、电子、光学和热激发以及机械应变和层取向。[3,12–16] 将 S-Mo-S 层中一个 S 平面的硫原子滑动 1.82 Å 会导致单层内的 ABC 堆积，其中硫原子占据 2H 相六边形的中心，从而产生金属 1T-MoS 2 相。 [3,17] 金属 1T-MoS 2 相可以通过电子注入来稳定，例如用电子显微镜直接注入电子或通过吸附的锂原子提供电子。[12,17–21]
用户手册Travelbus 2合1分析仪（协议与逻辑）
TravelBus可以用急性DSO作为MSO堆叠，但仅在逻辑分析模式下。在协议分析模式下，用户必须打开显示波形并捕获数据，然后将触发设置转换为逻辑分析模式，以用示波器堆叠。提取数据后，选择转换为逻辑分析和
使用Versatile Fine Pitchμ-pump Technology Mokoto Motoyoshi 1，Junichi Takanohashi 1，Takafumi Fukushima 2，Yasuo AR
使用多功能的精细pitchμ-thecky Makoto Motoyoshi 1，Junichi takanohashi 1，Takafumi Fukushima 2，Yasuo Arai 3和Mitsumasa koyanagi 2 1 1 1 1 1 1 tohoku-Microtec Co.，ltd。（T-Micro）（T-Micro）＃203333， Aramaki, Aoba-ku, Sendai 980-8579, Japan E-mail: motoyoshi@t-microtec.com 2 Tohoku University, New Industry Creation Hatchery Center 6-6 Aza-Aoba, Aramaki, Aoba-ku, Sendai 980-8579, Japan 3 KEK, High Energy Accelerator Research Organization Institute of Particle and Nuclear Studies 1-1 Oho, Tsukuba，Ibaraki 305-0801，日本摘要 - 本文介绍了2.5μmx2.5μm的3D堆叠技术（indium）凸起连接，并带有粘合剂注射[1]。不是使用简单的测试设备，而是使用实际电路级测试芯片验证了该技术。发现，堆叠过程的完成会受到堆叠的每个层的布局模式的影响。为了最大程度地减少这些效果，我们优化了布局，过程参数和设备结构。
分析混合复合材料的弹道效率...
摘要：在这项研究中，通过将400和460 GSM语法与聚氨酯基质相结合，分析了Kevlar 29复合材料的弹道效率。板，其板的板块由10、14和18层的kevlar 29织物组成，以90°的角度制造了增强设计。按照NIJ 0108.01标准的参数进行了弹道测试，对9毫米FMJ和22（5.5 mm）口径子弹应用了五种影响。评估了复合材料和纯kevlar。在前面和后面以及复合材料的内部进行了视觉分析，以识别分层和断裂。结果表明，0.22口径子弹是在各种堆叠水平上捕获的，具体取决于配置，而9毫米的子弹穿透了所有板。与影响相关的局部裂缝和分层，突出了材料耗散能力中堆叠设计和语法的重要性。
可控3R诱导症及其...
分层的过渡金属二分法（TMDS），不仅由多种化合物的组合，而且还具有丰富的晶体结构而爆发了许多可能性。探索新材料，确定其结构和特性一直是材料科学中的原始动机。在这里，我们报告了具有三层堆叠序列（3R）的稀有Tase 2的合成和附魔超导性。环境压力化学蒸气沉积（CVD）策略已用于实现纯3R-Tase 2。低温传输数据显示，在3R-Tase 2中，高超导过渡温度（T C）为1.6 K，这显着高于两层堆叠序列（2H，H：HEXAGONAL）相。结果表明，T C对层堆叠顺序相当敏感，并确认3R在Tase 2中的2H上强烈优选超导性。这项工作证明了一个独特的3R相平台研究超导性能的综合，并提供了有关操纵晶体结构的新见解，以访问超高t c。
一种具有热致发光功能的可光刻共轭聚合物
光响应性聚合物可通过光图案化方便地用于制造防伪材料。然而，一个尚未解决的问题是环境光和热量会损坏光响应性聚合物上的防伪图案。在此，通过对光响应性共轭聚合物 (MC-Azo) 进行光图案化和热退火，开发了光和热稳定的防伪材料。MC-Azo 在聚合物主链中含有交替的偶氮苯和芴单元。为了制备防伪材料，用偏振蓝光通过光掩模照射 MC-Azo 薄膜，然后在光子印章的压力下进行热退火。该策略生成了一种具有双重图案的高度安全的防伪材料，该材料对阳光和 200°C 以上的热量都很稳定。稳定性的关键在于热退火促进了链间堆积，从而将光响应性 MC-Azo 转化为光稳定材料。稳定性的另一个关键是共轭结构赋予 MC-Azo 良好的热性能。本研究表明，利用热退火促进链间堆积的可光刻共轭聚合物的设计为开发高稳定性和安全性的防伪材料提供了一种新策略。
2022环境，社会和治理（ESG）报告
2022对我们来说是富有成果的一年。建立我们的上海研发中心，Dr.Octopus Intellignt Technology（上海）有限公司，将增强Svolt的全球R＆D足迹和行业竞争力。我们在德国勃兰登堡的第二个海外工厂将为电动汽车和可持续运输的全球化创造更大的价值。我们的过滤基础的正式生产推出标志着Svolt西南中国战略布局的主要里程碑。我们的0.125S高速堆叠技术的正式质量生产3.0将使电池行业进入堆叠时代。我们的龙装甲电池将更好地解决电池安全问题并优化安全性能。在过去的一年中，我们获得了许多著名的头衔，包括2022年Hurun全球独角兽榜单，江苏省的绿色工厂和福布斯2022年中国的前50家创新公司。Svolt正在稳步发展成为一家全球领先的能源互连技术公司的愿景。
Chern Mosaic and Ideass Pland Bands in均等三层石墨烯
我们研究以相等的连续扭角排列在楼梯堆叠配置中排列的三层石墨烯。在Moiré晶体模式的顶部，出现了我们绝热处理的超莫雷长波长调制。对于每个山谷，我们发现两个中央频带是拓扑，Chern数字C =±1在Supermoiré尺度上形成Chern Mosaic。Chern域围绕高对称性堆叠点ABA或BAB，并通过连接频谱完全连接的AAA点的无间隙线将它们分开。在手性极限中，以θ〜1的魔法角度为单位。69◦，我们证明了中央频带在ABA和BAB处的理想量子曲率完全弯曲。此外，我们将它们分析为具有±2的固有颜色键入状态的叠加，而Chern Number normume∓1。为了与实验性配置联系起来，我们还以有限的波纹探索了非手续极限，并发现拓扑结实的Chern Mosaic模式确实很健壮，并且中央频带仍然与偏远频段分开。
网络安全中的公私协同作用
大约：Moiré材料是由于两个重复结构以略微角度覆盖的干扰模式而具有独特性能的材料。创建Moiré材料：Moiré材料是通过堆叠二维（2-D）材料的两层（例如Dungsten diselenide）创建的，并以小角度（3.65º）扭曲一层。