我们通过在100 mm ge晶片上减少压力化学蒸气沉积来生长紧张的GE/SIGE异质结构。将GE晶片用作外部延长的底物可以使高质量的GE富含SIGE应变 - 释放的缓冲液具有螺纹位错密度为ð66 6 61Þ10 5 cm 2,与SI Wafers上的控制应变缓冲区相比,几乎是一个数量级的改善。相关的短距离散射的减少可以极大地改善二维孔气体的疾病性能,该特性在几个GE/SIGE异质结构领域效应的晶体管中测量。We measure an average low percolation density of ð 1 : 22 6 0 : 03 Þ 10 10 cm 2 and an average maximum mobility of ð 3 : 4 6 0 : 1 Þ 10 6 cm 2 = Vs and quantum mobility of ð 8 : 4 6 0 : 5 Þ 10 4 cm 2 = Vs when the hole density in the quantum well is satu- rated to ð 1 : 65 6 0 : 02 Þ 10 11 cm 2 。我们预计,这些异质结构即时应用于下一代,高性能的GE旋转量,并将其集成到更大的量子处理器中。
Angelantonio,E.,Ingelsson,E.,Lawlor,D.A.,Selvin,E.,Stampfer,M.,Stehouwer,C.D.A.糖尿病,空腹血糖浓度和血管疾病风险:102项前瞻性研究的协作荟萃分析。柳叶刀,375(9733),2215–2222。https://doi.org/10.1016/s0140-6736(10)60484-9 Seiffert,C.,Khoshgoftaar,T.M.(2007)。采矿
多层次支持系统可以追溯到 Deno 和 Mirkin (1977) 的基于数据的决策工作以及美国教育部的报告《处于危险中的国家》(1983)。该框架系统地使用评估数据来高效分配资源,以提高所有学生的学习水平(Burns 和 VanDerHeyden,2006)。一项研究的荟萃分析发现,多层次支持系统可以带来更好的结果,例如更少的儿童被转介并被安排到特殊教育计划中。此外,结果还包括所有学生的成绩分数更高,行为困难减少(Burns、Appleton 和 Stehouwer,2005)。有阅读失败风险的儿童表现出阅读技能的提高(Marston、Muyskens、Lau、Canter,2003;Tilly,2003)。
- AS Rao、D. Buterakos、F. Borsoi、JP。兹沃拉克,MJ.古兰斯.半导体量子系统中的点间辅助噪声学习。 (准备中) - AS Rao,S. Muleady,CD。怀特,A. 西吉利托,MJ。古兰斯.用于自旋穿梭的一维电阻顶栅中的维格纳晶体物理。 (准备中) - AS Rao、D Buterakos、B van Straaten、V John、CX。于,SD。 Oosterhout、L Stehouwer、G Scappucci、M Veldhorst、F Borsoi,JP。兹沃拉克。 MAViS:二维半导体量子点阵列的模块化自主虚拟化系统。 (提交给 PRX)- A Rao、D Madan、A Ray、D Vinayagamurthy、MS Santhanam。使用量子增强变分自动编码器学习硬分布。arXiv:2305.01592 - A Rao、S Carr、C Snider、DE Feldman、C Ramanathan、VF Mitrović。机器学习辅助确定磁共振电子相关性。(物理评论研究 5 (4),043098)