由于能量的限制及其对总损耗的影响,介电基板的选择在射频频率下起着重要作用。与能量存储相关的基板介电常数显著影响电路在较高频率下的性能。根据介电常数行为,基板被分为有损介电常数或良好介电常数。损耗角正切值取决于介电常数,并影响传输线的品质因数。在硅中,由于金属-半导体结,金属接触会产生肖特基接触。这需要进行适当的公式化和建模,以预测电路行为。本文研究并详细介绍了掺杂、载流子迁移率、频率等各种现象是影响介电常数的主要因素,并研究了它们对损耗角正切的作用
资金 - 不适用。利益冲突/竞争利益 - 不适用。数据和材料的可用性 - 不适用。代码可用性 - MATLAB的许可版本已用于生成图。作者的贡献 - 可选(不适用)。摘要:触摸模式电容压力传感器(TMCP)非常适合工业应用,在这种应用中,由于其线性,机械鲁棒性的性质和避免严格的工业条件,因此需要压力传感。这项工作提出了在凹面基材中引入凹口,以进一步提高传感器的灵敏度。小挠度模式用于对设计的设计的数学分析,并且将MATLAB用于所有软件模拟。与其他具有平坦底物的模型相比,所提出的模型的灵敏度非常高。分析和模拟在接触模式下的灵敏度显着提高。电容值饱和的压力也远高于文献中所述的设计。凹入底物双触摸模式电容压力传感器(DTMCP)的分析将有助于设计新的传感器以提高性能并评估其行为。
本文介绍了一种使用 Minkowski-Sierpinski 分形技术和基片集成波导 (SIW) 在 60 GHz 谐振的新型贴片天线设计。该天线拟用于无线体域网应用 (WBAN)。所提出的天线采用 Rogers 5880 基片实现,其介电常数 (ε r ) 为 2.2,损耗角正切为 0.0004,基片高度为 0.381 mm。计算机仿真技术 - 微波工作室 (CST-MW) 用于仿真所提出的天线。仿真结果显示,在 (58.3-61.7) GHz 范围内具有 3.5 GHz 的宽带宽,回波损耗大于 -10 dB。模拟增益为 7.9 dB,线性天线效率为 91%。所提出的天线用于改善 WBAN 应用的毫米波 (mm-Wave) 频段的辐射方向图、带宽和增益的质量。
硝酸钛(TIN)薄膜是通过在石英和蓝宝石底物上的反应性DC溅射来制备的。研究了沉积参数的结构,电和光学效应,例如厚度,底物温度,底物偏置电压。研究了45–180 nm厚的tinferm中的100–300 1 C范围内的底物温度变化和底物偏置电压变化的影响。在100-350 K范围内的温度依赖性电阻率和300-1500 nm范围内的光传递在样品中测量。此外,通过XRD和STM技术研究了结构和形态学特性。记录了在大约Vs¼1¼120V dc的最佳样品的最佳样品中记录的最低的表面和最低的电阻率。无偏的纤维显示出300 nm之间的狭窄光学传输窗口。但是,随着相同基板温度的偏置电压的增加,传输变得更大。此外,发现较低的底物温度在光学上产生了更多透明纤维。在最佳制备的锡膜上应用MGF 2的单层抗反射涂层有助于将可见区域的光传递增加到45 nm厚的样品中的40%以上。r 2003 Elsevier Science Ltd.保留所有权利。
摘要:对于胶体纳米量结构,转移电子显微镜(TEM)网格已被广泛用作暗场显微镜的底物,因为纳米尺度的特征可以通过在暗场显微镜研究后通过TEM成像有效地确定。但是,在常规TEM网格中实现了光学上有损的碳层。从TEM网格边缘的宽带散射进一步限制了可访问的信噪比。在这里,我们认为自由悬浮,超薄和广泛的透明纳米膜可以应对此类挑战。我们开发了1 mm x600μm的比例和20 nm厚的聚(乙烯基形式)纳米膜,其面积比传统的TEM网格宽约180倍,因此有效排除了网格边缘的可能的宽带散射。另外,可以在没有碳支持的情况下形成这种纳米膜;使我们能够达到其他基材中散射的最高信噪比。关键字:暗场光谱,纳米光学,等离子体,MIE散射,纳米粒子
基板厚度 6.1 简介................ ............. 6-1 6.2 带宽定义。6.3 根据测量结果确定带宽 6.4 计算薄天线元件的阻抗带宽。6.5 计算厚天线元件的带宽.... 6.6 结果与讨论 6.7 结论
导致基板短缺的原因是什么? E. Jan Vardaman,TechSearch International, Inc. 总裁兼创始人 意外需求、全球供应链不确定性、事故和天气相关事件导致半导体短缺。所有类型的基板都供不应求;包括芯片级封装 (CSP) 和倒装芯片球栅阵列 (FC-BGA) 的基板。尽管未来几年将有一些产能扩张,并且新工厂计划在 2024-25 年上线,但预计至少两到三年内情况不会改善。一些公司正在考虑不使用基板的替代品,包括扇出型晶圆级封装 (FO-WLP)。采用 RDL 来减少基板设计的层数也在考虑之中。 导致 FC-BGA 需求的原因是什么?使用积层材料制造的 FC-BGA 基板需要支持用于服务器、笔记本电脑和台式机的 CPU、AI 加速器、电信中的 ASIC、HDTV、DSP 和 FPGA 等媒体芯片等应用的细间距凸块芯片。与该行业的许多领域不同,FC-BGA 的短缺并不是由疫情造成的。虽然对服务器、笔记本电脑和台式机的需求有所增加,但对额外基板制造能力的需求主要是由于某些领域的更大尺寸和增加的层数。ASIC 具有多种尺寸,常见的基板采用 4-2-4 积层结构。虽然许多应用使用 2-2-2 积层结构,但其他应用使用更大的数量和更大的尺寸。Apple 的 M1 采用 3-2-3 积层结构(见图 1)。服务器 CPU 的体积和层数增加是基板容量需求增加的主要原因。高端服务器 CPU 预计将使用最大 100mm x 100mm 的主体尺寸,核心每侧有 10 个构建层。在高端,高端网络交换机封装的边长在 70 mm 到 90 mm 之间。OSAT 报告称,他们预计到 2023 年将出现对 100mm x 100mm 基板的需求。正在考虑更大的主体尺寸。最小层数为每侧六或七层构建层,即将出现一些八层和九层构建层的设计。虽然单位产量较低,但由于基板大而复杂,因此对面板的要求很高,会影响面板上的布局以及面板产量。预计共封装光学器件将使用更大的 110 mm x 110 mm 主体尺寸。硅中介层呢?许多应用程序不是都将它们用于封装吗?是的,硅中介层用于 AI 加速器、高性能 FPGA 应用和高端网络交换机,但它们连接到层压积层基板上以完成封装。硅中介层通过焊球连接到层压基板上,通常间距为 130 µm。典型的 AI 加速器尺寸为 55 毫米 x 55 毫米。随着中介层尺寸的增加,需要更大的积层基板。台积电提出了超大的 2,500 平方毫米硅中介层,将
METHODOLOGIES & DEFINITIONSTop-to-bottom approachAggregate of market forecasts@ System levelBottom-up approachEcosystem analysisAggregate of all players' revenue@ System levelComparison with existing data Monitoring of corporate communication Using other market research dataYoledéveloppement'sanalysis (consensus or not)Top-to-bottom approachAggregate of market forecast@ Semiconductor device levelPrimary data•Reverse costing•Patent analysis•Annual reports•Direct interviewsSecondary data•Press releases•Industry organization reports•ConferencesBottom-up approachEcosystem analysisAggregate of key players' revenues@ Semiconductor device levelSemiconductor foundry activityCapacity investments and equipment needsComparison with prior YoleDéveloppement'sreportsRecursive improvement of datasetCustomer feedback
在1 ST建筑底物研讨会(BUS)Annette Teng的报告中,首届堆积基板研讨会(BUSS)取得了很大的成功,这是通过有兴趣出现在Advance Sybrate制造上的大量参与者的投票率来衡量的。许多与会者从乡下和外出州飞往加利福尼亚州米尔皮塔斯的半总部与硅谷的当地人相连。5月2日和5月3日,2024年5月2日和5月3日,超过144名与会者呆在房间里,并一直待到星期五下午5:00之后。该研讨会针对美国高级基材的数量制造和供应链的研讨会,现在正在引起广泛关注。公共汽车计划作为用户,供应商,制造商和政府进行网络和联系的会议。研讨会于2023年11月在A. Teng与H. Hichri在Dallas举行的ECTC论文审查会议上孵化,由J. Vardaman和R. Beica加入。委员会扩展到包括Venky Sundaram,Kuldip Johal,Paul Wesling,Steven Verhaverbeke,Farhang Yazdani和IPC的Matt Kelly。委员会的计划和会议开始在就职之前5个月开始。最终计划包括政府,初创企业和风险资本家的受邀主题演讲;然后在“用户观点”和“授权初创企业”上进行4次邀请的技术论文和2个非常有趣的面板会议。邀请的Keynotes
能源系统和工程系,大江吉布克科学技术学院(DGIST),50-1 Sang-ri,Hyeongpung-Myeon,Dalseong-Gun,Dalseong-Gun,Daegu,Daegu,42988,