Sunil

低功率高速CMOS电流比较器在0.18 µm和0.13 µm技术中，Sunil N. limbachiya 1，priyesh.gandhi 2 1-pg_student，s_nil14@ya

Low Power High Speed CMOS current Comparator in 0.18 µ m and 0.13 µ ​​m Technology Sunil N. Limbachiya 1 , Priyesh.Gandhi 2 1-PG_Student, s_nil14@yahoo.com,LCIT-Bhandu, Gujarat (INDIA) 2-Assistant Professor, priyesh.gandhi@lcit.org,LCIT- Bhandu,古吉拉特邦（印度）摘要 - 本文以低功率和高速性能显示了CMOS当前比较器设计。使用电流镜设计设计的CMOS电流比较器。该电路在180nm和130nm CMOS工艺技术中进行模拟。模拟结果显示，比较器电路在180nm技术中具有412PS延迟，而130nm技术的370PS延迟。还可以进行比较器设计的工作，而低功率耗散。关键字：当前比较器，当前镜像，功率耗散，延迟，导师图形，Eldo Spice I简介