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技术手册
大型电解槽...................... ... . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 17 SMR-X。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 18 蒸汽甲烷重整（SMR）.................... ... . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 23 变压吸附（PSA）——氢气净化....................................................................................................................................24 氢气分离膜....................................................................................................................................................................................................................................................................................................25 从天然气管道中提取氢气....................................................................................................................................................................................................................................................................26 蓝色和绿色氨....................................................................................................................................................................26 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 27 号
用于闭环磁电流传感器的传感器信号调节 IC 数据表 (Rev. B)
(1) 超过这些额定值的应力可能会造成永久性损坏。长时间暴露在绝对最大条件下可能会降低设备可靠性。这些只是应力额定值，不支持设备在这些或任何超出规定条件的其他条件下正常运行。 (2) 输入端通过二极管钳位到电源轨。输入信号如果能超出电源轨 0.5 V 以上，则必须限制电流，差分放大器输入引脚除外。 (3) 这些输入没有内部过压保护。差分放大器输入引脚必须限制为 5 mA（最大值）或 ±10 V（最大值）。 (4) 功率受限；注意最大结温。
25-027 西尔瓦尼亚通信 (Sylvania Communications) 合同批准...
25-027 SYLVANIA 通信技术大楼改造和场地改进合同批准 设计服务原理图设计交给 BRIC ARCHITECTURE INC. 编制人：John MacLean，财务与采购经理，规划与资本建设 财务责任：Rebecca Ocken，规划与资本建设总监 批准人：Dina Farrell，商业与财务副总裁/首席财务官 Adrien L. Bennings 博士，总裁 战略主题：交付：重新定义教育交付的时间、地点和系统，以创建更加以学习者为中心的生态系统；企业：培育长期可持续的大学企业 报告：2022 年债券计划包括用于翻新 Sylvania 校区的通信技术 (CT) 大楼的资金。 CT 大楼是 1972 年开放的校园原始建筑之一，除了教室和办公室外，还设有小剧院、写作中心和北景画廊。该建筑需要全面翻新，以更新所有建筑系统并满足当前的项目需求。还需要确定和准备临时空间，以便 CT 大楼内的课程在施工期间重新安置。该项目将需要升级 Sylvania 校园场地，包括改善 SW 49th Avenue 的入口。在 2024 年 2 月的会议上，董事会通过 BR 24-093 批准将设计合同授予 BRIC Architecture，以在编程阶段提供服务。这项工作现已完成，BRIC 提供了进一步的服务提案，直至完成 CT 大楼的原理图设计和 Sylvania 校园内临时空间的完整设计服务。拟议费用为 3,677,302 美元，已由 PCC 工作人员审查并建议接受。这将使批准的设计费用达到 4,738,971 美元。
AD 2 - EGDM - 1 - 1 英国军事 AIP BOSCOMBE DOWN
备注：1. 在 25 海里处可能无法实现航向道覆盖。3000 英尺以下 C/L 的 R 为 8 度 2. MSSR - 授予“受限”状态，不得在 65 海里以外使用。3. TACAN：机组人员在 164 度径向上可能会遇到方位摆动。ATC 没有 TACAN 可用性的视觉指示器，因此机组人员可自行决定使用。当 ATC 被告知不能使用 TACAN 时，将发布 NOTAM。4. ILS：请注意，ILS RDH（参考基准高度）设置为 46 英尺，与 ICAO 建议的 15 米（50 英尺）不一致，允许的公差为正 3 米（10 英尺），如英国 Mil Gen 1.7 中所述。5. 航向道和 DME 识别不同步。
范围要求草案维多利亚州可再生能源终端环境影响声明
作为该项目的一部分，需要对海床进行疏浚。疏浚进港航道和回转港池将使进口补给船能够在靠泊前靠近泊位并进行操纵。加深泊位坑道并将软土移除至坚固地层将使岩石能够放置在坚固的土层上，这样海上安装船的自升式支腿就可以在港口使用。疏浚后将安装一层防冲刷岩石，以防止船首和侧推器对海床造成扰动。可能还需要疏浚码头下方的基质，以确保码头墙结构具有足够的基础能力。
研究基于堆叠的源沟槽TFET
摘要：为了检测生物分子，提出了基于介电调节的堆叠源沟槽闸门隧道效果晶体管（DM-SSTGTFET）的生物传感器。堆叠的源结构可以同时使状态电流较高，并且较低的状态电流较低。沟槽栅极结构将增加隧道区域和隧道概率。技术计算机辅助设计（TCAD）用于对拟议的结构化生物传感器的灵敏度研究。结果表明，DM-SSTGTFET生物传感器的当前灵敏度可以高达10 8，阈值电压灵敏度可以达到0.46 V，亚阈值秋千灵敏度可以达到0.8。由于其高灵敏度和低功耗，该提议的生物传感器具有很高的前景。
M.Tech学位课程和VLSI设计的课程和教学大纲
主题代码主题名称L-T-P CRORC 22101设备建模3-0-0 3模块1（13小时）半导体表面，理想的MOS结构，MOS设备，热平衡中的MOS设备，非理想的MOS：工作函数差异，氧化物中的电荷，氧化物，界面状态，界面状态，非理想的MOS，flate traptage thatbage，flattage thatbage thatbage thatbage thatbage thatbage thatbage thatbage thatbage thatbage coldection a MOS，电荷计算（计算），计算，计算，计算，计算，计算，计算，计算，计算，计算，计算，计算电压，MOS作为电容器（2个端子设备），三个端子MOS，对阈值电压的影响。模块2（10小时）MOSFET（增强和耗尽的MOSFET），活动性，对当前特征，当前特征，亚刺孔摇摆，界面状态对子阈值的影响对子阈值的影响，排水电导和跨导电，源偏置的影响，源偏置和身体偏置对阈值电压和设备操作。模块3（6小时）缩放，短通道和狭窄的通道效应 - 高场效应。模块4（5小时）MOS晶体管在动态操作中，大信号建模，低频率和高频的小信号模型。模块5（8小时）SOI概念，PD SOI，FD SOI及其特征，SOI MOSFET，多门SOI MOSFET的阈值电压，替代MOS结构。参考：1。E.H. Nicollian，J。R. Brews，《金属氧化物半导体 - 物理与技术》，John Wiley and Sons。 2。 Nandita Das Guptha，Amitava Das Guptha，半导体设备建模和技术，Prentice Hall印度3. Jean- Pierrie Colinge，硅启用技术：VLSI的材料，Kluwer学术出版商集团。 4。 Yannis Tsividis，MOS晶体管的操作和建模，牛津大学出版社。E.H. Nicollian，J。R. Brews，《金属氧化物半导体 - 物理与技术》，John Wiley and Sons。2。Nandita Das Guptha，Amitava Das Guptha，半导体设备建模和技术，Prentice Hall印度3.Jean- Pierrie Colinge，硅启用技术：VLSI的材料，Kluwer学术出版商集团。4。Yannis Tsividis，MOS晶体管的操作和建模，牛津大学出版社。5。M.S.Tyagi，《半导体材料和设备简介》，John Wiley＆Sons，ISBN：9971-51-316-1。