TBF

为什么 NTBF 在转型经济中发展

摘要 新科技型企业吸引了大多数转型经济体日益增长的兴趣，因为它们被视为创造更多附加值的重要来源，同时具有较高的资本回报率。阐明新技术型企业的增长决定因素不仅有助于管理者实现组织目标，而且还有助于政策制定者制定有效的战略。许多研究人员分别研究了个人、组织以及环境因素在新技术型企业发展中的作用。这些因素的同时存在导致了不同的配置，每种配置都为企业设想了不同的增长路径。本文的目的是确定新技术型企业的成长道路。为此，我们对伊朗（作为转型经济体）发达的新技术型企业的管理人员进行了一些采访，并通过主题分析确定了支配这类企业增长模式的关键主题，同时通过定性比较分析确定了这些企业可能的增长路径。2013 年至 2015 年期间，设计好的问卷分发给了 22 家发达企业和 8 家欠发达企业，并使用 FSQCA 软件分析了获得的数据，从而制定了新技术型企业的主导增长路径。根据本文的研究结果和影响企业成长的因素，我们为新技术型企业提出了两条增长路径，其中政府发挥更大作用的路径更有可能实现。与转型经济体中的关键客户——政府官员和科技领域游说团体的沟通对企业成长至关重要，这被认为是本研究的充分条件。

TBF 105U

凭借其坚固的设计和创新技术，TBF 105U 可确保以最小的空间要求获得一流的研磨效果。无论是小批量还是单个零件 - TBF 105U 都以其灵活性、易用性和无与伦比的可靠性令人印象深刻。非常适合那些追求最高质量和生产效率的公司。

BIOFINDER：污染检测测试 TBF 300

CHRISTEYNS 产品组合中有多种快速检测方法，可喷洒在测试表面上，用于检测清洁和消毒操作后表面上是否存在不同污染物。这些卫生测试旨在用于清洁后

fMRI-SI-STBF

通过整合功能磁共振成像（fMRI）和脑电图（EEG）的多模式功能神经影像学（EEG）具有高时空分辨率恢复大脑活动的希望，这对于神经科学研究至关重要，这对于神经科学研究和临床诊断至关重要。然而，fMRI和脑电图活动之间的局部化的未对准可能会降低fMRI约束的脑电图源成像（ESI）技术的准确性。以数据驱动的方式利用fMRI和EEG的互补时空分辨率，我们提出了一种基于fMRI源的脑电图/fMRI融合的方法，称为fMRI源成像，基于时空范围的基础函数（fMRI-SI-SI-STBF）。fMRI-SI-STBF采用了从fMRI和EEG信号定义为经验贝叶斯框架内定义的群体和EEG信号的协方差组件（CCS）。此外，fMRI-SI-STBF代表当前源矩阵作为矩阵分解的几个未知时间基函数（TBF）的线性组合。使用变异性贝叶斯推断，基于EEG数据自动确定了fMRI信息和EEG信息的CCS以及TBFS的数字和fro孔的相对贡献。我们的结果表明，fMRI-SI-STBF可以有效利用ESI的有效fMRI信息，并且对无效的fMRI先验是可靠的。这种鲁棒性对于实际ESI至关重要，因为fMRI先验的有效性通常不清楚，因为fMRI是对神经活动的间接度量。此外，与仅使用空间约束的方法相比，fMRI-SI-STBF可以通过纳入时间结合来提高性能。对于数值模拟，fMRI-SI-STBF比现有的EEG-FMRI ESI方法（即FWMNE，fMRI-SI-SBF）和ESI方法更准确地重建源，位置和时间课程，而没有fMRI的方法（即乘火mri）（即wmne si si si si si si si si si s si i sipb）较小的空间色散（平均SD <5 mm），定位误差的距离（平均DLE <2 mm），形状误差（平均SE <0：9）和较大的模型证据值。2021由Elsevier B.V.

MIL-HDBK-217F-Notice2.pdf - 无 MTBF

分立半导体。简介 .................................................................................... 二极管。低频 ...................................................................................................... 二极管。高频（微波、射频） ........................................................................ 晶体管。低频。双极 ...................................................................................... 晶体管。低频。Si FET ............................................................................. 晶体管，单结 ...................................................................................................... 晶体管，低噪声、高频、双极 ............................................................................. 晶体管，高功率、高频、双极 ............................................................................. 晶体管，高频、GaAs FET ............................................................................. 晶体管，高频、Si FET ............................................................................. 晶闸管和 SCR ............................................................................................................. 光电子学、检测器、隔离器、发射器 ............................................................................. 光电子学、字母数字显示器 ............................................................................. 光电子学、激光二极管 .............................................................................

MIL-HDBK-217F-Notice2.pdf - 无 MTBF

分立半导体。简介 ................................................................................ 二极管。低频 ...................................................................................................... 二极管。高频（微波、RF） .............................................................................. 晶体管。低频。双极 ...................................................................................... 晶体管。低频。Si FET ............................................................................. 晶体管，单结 ...................................................................................................... 晶体管，低噪声、高频、双极 ............................................................................. 晶体管，高功率、高频、双极 ............................................................................. 晶体管，高频、GaAs FET ............................................................................. 晶体管，高频、Si FET ............................................................................. 晶闸管和 SCR ............................................................................................................. 光电子、检测器、隔离器、发射器 ............................................................................. 光电子、字母数字显示器 ............................................................................. 光电子、激光二极管 ............................................................................................. TJ 测定 ............................................................................................................. 示例 .............................................................................................................................

英寸-POW” MIL-STD-1658(OS) 1974 年 5 月 15 日... - GMTBF

4.2 人员和设备。应提供电气和机械联锁装置和安全装置，以防止在正常操作和维护过程中对人员造成伤害或对眼科设备造成损坏。控制器和电路应布置成使得任何控制器或控制器组合以非正常顺序运行不会导致人员受伤、设备运行或任何部件损坏。电源故障不得启动设备或导弹运动（例如，通过无意中释放闩锁）、产生任何危险情况或对设备或导弹造成损坏。联锁装置应设计为在联锁或电源故障的情况下将设备置于各种可能的替代条件中。

英寸-POW” MIL-STD-1658(OS) 1974 年 5 月 15 日... - GMTBF

4.2 人员和设备。应提供电气和机械联锁装置和安全装置，以防止在正常操作和维护过程中对人员造成伤害或对眼科设备造成损坏。控制器和电路应布置成使得任何控制器或控制器组合以非正常顺序运行不会导致人员受伤、设备运行或任何部件损坏。电源故障不得启动设备或导弹运动（例如，通过无意中释放闩锁）、产生任何危险情况或对设备或导弹造成损坏。联锁装置应设计为在联锁或电源故障的情况下将设备置于各种可能的替代条件中。

国防部手册 - GMTBF

MIL-STD-471A 1973 年 3 月 27 日取代 MIL... - GMTBF

认识到图 1 仅描绘了一般的时间阶段，对于个别采购可能有所不同。采购活动将为承包商提供关于系统生命周期阶段与验证/演示/评估阶段之间关系的指导。对于完成本标准所含程序而言，承包商可维护性分析中包含的详细信息（如 MIL-STD-470 所定义）尤为重要。此分析必须包含对预测维护任务的全面描述。例如，可维护性分析应包含以下内容：