电子波功能的拓扑方面在确定材料的物理特性中起着至关重要的作用。浆果曲率和Chern数用于定义电子带的拓扑结构。虽然已经研究了浆果曲率及其在材料中的作用,但检测到拓扑不变的Chern数的变化是具有挑战性的。特别是谷谷类型的变化。在这方面,扭曲的双重双层石墨烯(TDBG)已成为一个有前途的平台,以获得对浆果曲率热点的电气控制和其平坦带的山谷Chern数量。此外,应变诱导的TDBG中三倍旋转(C3)对称性的破裂导致浆果曲率的非零第一刻,称为浆果曲率偶极子(BCD),可以使用非线性HALL(NLH)效应来感测。我们使用TDBG揭示了BCD检测到频段中的拓扑转换并更改其符号[1]。在TDBG中,垂直电场对山谷Chern号和BCD进行了调整,并同时为我们提供了一个可调的系统,以探测拓扑过渡的物理。我还将讨论我们使用非线性霍尔物理学探测Moire系统手性的初步实验。1。Sinha等。自然物理学18,765(2022)。
摘要:扭曲的石墨烯单和双层系统的超晶格产生了按需多体状态,例如Mott绝缘子和非常规的超导体。这些现象归因于平坦带和强库仑相互作用的组合。然而,缺乏全面的理解,因为当电场应用以改变电子填充时,低能带的结构会发生强烈的变化。在这里,我们通过应用微型注重角度分辨的光发射光谱光谱光谱光谱光谱传递到位于原位门配,我们可以直接访问扭曲的双层石墨烯(TBG)和扭曲的双重双层石墨烯(TDBG)的填充相关的低能带。我们对这两个系统的发现处于鲜明的对比:可以在简单模型中描述掺杂的TBG的掺杂依赖性分散体,将依赖于填充的刚性带转移与多体相关的带宽变化相结合。在TDBG中,我们发现了低能带的复杂行为,结合了非单调带宽变化和可调间隙开口,这取决于栅极诱导的位移场。我们的工作确立了在扭曲的石墨烯超晶格中低能电子状态的电场可调节性的程度,并且可以支持对所得现象的理论理解。关键字:扭曲的双层石墨烯,Moire ́超级晶格,扁平带,微摩尔,原位门控,带宽重归于