TDK 企业在 2025 年 CES 上为人工智能新时代铺平道路 ● TDK 将 AI、绿色转型和数字化转型确定为未来十年的大趋势 ● 关键发展包括用于节能 AI 计算的“自旋忆阻器”和集成边缘传感、组件和 AI 功能的工业 4.0 解决方案的 TDK SensEI 的形成 ● 为汽车、工业、能源和 ICT 领域提供尖端解决方案 ● 战略合作伙伴关系包括与 NEOM McLaren Formula E 车队在赛车创新方面的技术合作,以及即将发布的视障人士无障碍产品 2024 年 12 月 10 日 TDK 公司 (TSE: 6762) 将于 2025 年 1 月 7 日至 12 日在内华达州拉斯维加斯举行的年度消费电子展 (CES) 上展出。总部位于东京的 TDK 公司是智能社会电子解决方案的全球领导者之一,正在拥抱人工智能的崛起。预计未来十年该领域将快速增长,因此该公司正在制定创新和业务战略,以充分利用人工智能的潜力。TDK 还强调绿色转型和持续数字化是塑造其未来重点的关键全球趋势。在拉斯维加斯会议中心中央大厅的 15815 号展位上,TDK 展示了其新制定的长期愿景“TDK 转型:加速转型,实现可持续未来”。通过其创新产品,TDK 致力于推动技术进步并促进有意义的社会转型。为了实现这一目标,TDK 不断突破创新的界限,专注于先进材料、尖端制造工艺以及提高客户应用中的产品性能。人工智能已经改变了日常生活的许多方面,并将继续影响行业、自动化和技术。TDK 的解决方案旨在解决人工智能应用面临的关键挑战,例如高功耗,从而实现更高效和更广泛的使用。通过结合传感器融合、先进组件、软件和人工智能,TDK 能够推动创新并改变其主要市场,包括汽车、工业和能源以及 ICT。关键行业的变革性解决方案 ● 汽车:TDK 为电动汽车和高级驾驶辅助系统 (ADAS) 提供广泛的尖端解决方案组合。该公司的全面展示展示了其全系列的组件和传感器技术,特别强调了其 6 轴 IMU 和压电 MEMS 镜技术。 ● 工业和能源:TDK 的集成方法结合了人工智能、传感器融合和先进组件,以推动环境可持续性发展并应对关键的工业挑战,优化能源效率,提高生产力并促进可持续实践。值得关注的创新包括其柔性薄膜压电传感器解决方案和超声波飞行时间传感器。● ICT:TDK 将展示旨在实现更智能、更可靠、更环保的通信系统的解决方案,包括先进的高精度定位传感器和用于直接视网膜投影的超紧凑全彩激光模块,这些技术有望彻底改变增强和虚拟现实体验。
科学与艺术学生俱乐部是一种自我教育俱乐部的形式,旨在促进与必修课程、培训要求相关的知识的深化、课程以外知识的获取、学生研究工作和艺术创作活动,并确保对此进行宣传。科学和艺术学生俱乐部活动是从大学或学院学习初期或低年级开始的持续辅导(导师)式学生与教师研讨会和专业关系。它们是优质智力培训的重要领域,也是匈牙利高等教育中最重要和最有意义的人才培养形式。学生的科学和艺术活动是博士院前培训阶段中科学和艺术生涯的最高准备水平,因此,它们是博士培训(PhD 和 DLA 培训)的最佳前兆之一。
Corporate TDK成功地开发了一种用于固态电池的材料,其能量密度更高,2024年6月17日,TDK Corporation(TSE:6762)成功地开发了一种用于Ceracharge的材料,Ceracharge是一种下一代固态电池,其能源密度为1,000 WH/L,大约1000次WH/L,大约100倍,大约100倍,大约是TDK固体固体式炮台的大约100倍。TDK的技术针对的是可以在各种可穿戴设备(例如无线耳机,助听器甚至智能手表)中使用的解决方案,目的是更换现有的硬币电池电池。利用TDK的专有材料技术,TDK设法为新的固态电池开发了一种材料,其能量密度明显高于TDK的传统质量生产的质量生产的固态电池(类型:ceracharge),这是由于使用了基于氧化物的固体电解质固体电解质和锂Alloy Aloy Anodes。使用基于氧化物的固体电解质使电池非常安全。它用于与人体直接接触的可穿戴设备和其他设备。可以根据欧盟电池法规来替换电池以更换硬币电池电池,这要求将其替换为可充电电池,这有望有助于减少环境影响。tdk将努力开发电池单元,并包装结构设计,并朝着大规模生产方面的发展,以开发其新产品固态电池。此外,TDK旨在通过多层层压技术来增强电池的容量,并通过应用生产工程技术TDK在电子组件业务中累积来扩大其工作温度范围。
其他闪存应用设备TDK提供固态驱动器和CFAST卡和SD存储卡,并带有专有内存控制芯片,用于工业用途。例如,可以在通信基站和交通控制系统中找到这些,从而为大数据时代提供支持。TDK的Anechoic Chambers Anechoic Chambers在世界范围内赢得了卓越的声誉,作为测量准确性,效率和可靠性的最高工具。TDK还提供包括高度准确的EMC测量服务的EMC解决方案,以支持有效的噪声对策。工厂自动化设备TDK在生产出色的电子组件中获得的机电一体化专业知识。我们为各种晶圆尺寸和翻转芯片键合系统提供负载端口,以及一系列其他高级工厂自动化设备。
测试与测量上次设置内存简化了测试设计并且不需要备用电池。内置 RS-232/RS-485 可提供最大的系统灵活性以及 0-5V 和 0-10V 可选模拟编程。广泛的可用输出范围允许测试许多不同的设备。半导体加工设备设计师很欣赏宽范围输入 (85-265Vac) 和可根据应用选择的众多输出。可选安全和自动重启可保护负载和过程完整性。典型应用包括磁铁、灯丝和加热器。航空航天和卫星测试复杂系统使用完整的 Genesys™ 系列:1U 750W 半机架、1U 750W 或 1500W 全机架、2U 3.3kW 和 3U 10/15kW。前面板、后面板模拟和数字接口命令全部相同。各种各样的输出允许测试许多不同的设备。激光二极管 OVP 直接设置在电压显示屏上,确保准确的保护设置。电流限制折返确保负载免受电流浪涌的影响。加热器电源平滑、可靠的编码器具有可选的精细和粗略调整功能,增强了前面板控制。远程模拟编程是用户可选的 0-5V 或 0-10V,并且还提供可选的隔离编程/监控接口。射频放大器和磁铁坚固的设计确保在各种负载下稳定运行。电压和电流模式下的高线性度。
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C L1 平衡-不平衡线圈 33.7 34.1 33.8 12.5 12.8 13.5 L2 平衡-不平衡线圈 33.5 31.6 31.8 12.7 12.3 13.1 L31 扼流圈 43.8 46.1 45.0 29.4 30.3 30.4 L51 扼流圈 69.9 70.6 68.2 23.7 23.8 23.9 T21 传输脉冲 37.2 38.2 36.7 23.1 24.4 24.6 T32 传输脉冲 46.2 45.9 44.2 20.2 20.6 20.8 D1 桥式二极管 33.6 36.0 36.2 16.6 17.4 18.2 D2 LLD 34.2 37.3 36.2 15.3 17.5 17.8 D51~D52 SBD 48.2 43.1 40.8 20.7 18.9 18.8 D53~D54 SBD 55.3 51.8 50.0 24.2 23.0 23.2 Q1~Q2 MOS管 40.4 41.6 41.2 19.0 20.4 21.0 Q31~Q32 MOS管 45.8 45.8 45.0 25.0 25.2 25.3 SR1晶闸管 39.1 41.8 41.8 17.4 19.7 20.2 A102 芯片 IC 28.7 30.2 30.1 18.7 20.9 21.3 A152 芯片 IC 29.9 31.1 30.2 21.1 22.3 22.5 A351 芯片 IC 30.0 29.7 29.0 20.1 21.0 21.7 C12 电容量 19.4 20.3 19.7 11.2 12.5 12.8 C13 电容量 11.3 11.5 11.3 3.7 4.4 4.9 C51 电容量 33.5 34.2 32.5 13.8 14.4 14.8 C52 电容量23.1 23.7 23.0 11.0 12.0 12.1 C53 E.CAP。 24.3 24.2 23.8 11.2 11.8 11.8 C54 E CAP。 29.8 31.1 29.0 12.8 13.3 13.3
C L1 平衡-不平衡线圈 33.7 34.1 33.8 12.5 12.8 13.5 L2 平衡-不平衡线圈 33.5 31.6 31.8 12.7 12.3 13.1 L31 扼流圈 43.8 46.1 45.0 29.4 30.3 30.4 L51 扼流圈 69.9 70.6 68.2 23.7 23.8 23.9 T21 传输脉冲 37.2 38.2 36.7 23.1 24.4 24.6 T32 传输脉冲 46.2 45.9 44.2 20.2 20.6 20.8 D1 桥式二极管 33.6 36.0 36.2 16.6 17.4 18.2 D2 LLD 34.2 37.3 36.2 15.3 17.5 17.8 D51~D52 SBD 48.2 43.1 40.8 20.7 18.9 18.8 D53~D54 SBD 55.3 51.8 50.0 24.2 23.0 23.2 Q1~Q2 MOS管 40.4 41.6 41.2 19.0 20.4 21.0 Q31~Q32 MOS管 45.8 45.8 45.0 25.0 25.2 25.3 SR1晶闸管 39.1 41.8 41.8 17.4 19.7 20.2 A102 芯片 IC 28.7 30.2 30.1 18.7 20.9 21.3 A152 芯片 IC 29.9 31.1 30.2 21.1 22.3 22.5 A351 芯片 IC 30.0 29.7 29.0 20.1 21.0 21.7 C12 电容量 19.4 20.3 19.7 11.2 12.5 12.8 C13 电容量 11.3 11.5 11.3 3.7 4.4 4.9 C51 电容量 33.5 34.2 32.5 13.8 14.4 14.8 C52 电容量23.1 23.7 23.0 11.0 12.0 12.1 C53 E.CAP。 24.3 24.2 23.8 11.2 11.8 11.8 C54 E CAP。 29.8 31.1 29.0 12.8 13.3 13.3