其他闪存应用设备TDK提供固态驱动器和CFAST卡和SD存储卡,并带有专有内存控制芯片,用于工业用途。例如,可以在通信基站和交通控制系统中找到这些,从而为大数据时代提供支持。TDK的Anechoic Chambers Anechoic Chambers在世界范围内赢得了卓越的声誉,作为测量准确性,效率和可靠性的最高工具。TDK还提供包括高度准确的EMC测量服务的EMC解决方案,以支持有效的噪声对策。工厂自动化设备TDK在生产出色的电子组件中获得的机电一体化专业知识。我们为各种晶圆尺寸和翻转芯片键合系统提供负载端口,以及一系列其他高级工厂自动化设备。
C L1 平衡-不平衡线圈 33.7 34.1 33.8 12.5 12.8 13.5 L2 平衡-不平衡线圈 33.5 31.6 31.8 12.7 12.3 13.1 L31 扼流圈 43.8 46.1 45.0 29.4 30.3 30.4 L51 扼流圈 69.9 70.6 68.2 23.7 23.8 23.9 T21 传输脉冲 37.2 38.2 36.7 23.1 24.4 24.6 T32 传输脉冲 46.2 45.9 44.2 20.2 20.6 20.8 D1 桥式二极管 33.6 36.0 36.2 16.6 17.4 18.2 D2 LLD 34.2 37.3 36.2 15.3 17.5 17.8 D51~D52 SBD 48.2 43.1 40.8 20.7 18.9 18.8 D53~D54 SBD 55.3 51.8 50.0 24.2 23.0 23.2 Q1~Q2 MOS管 40.4 41.6 41.2 19.0 20.4 21.0 Q31~Q32 MOS管 45.8 45.8 45.0 25.0 25.2 25.3 SR1晶闸管 39.1 41.8 41.8 17.4 19.7 20.2 A102 芯片 IC 28.7 30.2 30.1 18.7 20.9 21.3 A152 芯片 IC 29.9 31.1 30.2 21.1 22.3 22.5 A351 芯片 IC 30.0 29.7 29.0 20.1 21.0 21.7 C12 电容量 19.4 20.3 19.7 11.2 12.5 12.8 C13 电容量 11.3 11.5 11.3 3.7 4.4 4.9 C51 电容量 33.5 34.2 32.5 13.8 14.4 14.8 C52 电容量23.1 23.7 23.0 11.0 12.0 12.1 C53 E.CAP。 24.3 24.2 23.8 11.2 11.8 11.8 C54 E CAP。 29.8 31.1 29.0 12.8 13.3 13.3
Corporate TDK成功地开发了一种用于固态电池的材料,其能量密度更高,2024年6月17日,TDK Corporation(TSE:6762)成功地开发了一种用于Ceracharge的材料,Ceracharge是一种下一代固态电池,其能源密度为1,000 WH/L,大约1000次WH/L,大约100倍,大约100倍,大约是TDK固体固体式炮台的大约100倍。TDK的技术针对的是可以在各种可穿戴设备(例如无线耳机,助听器甚至智能手表)中使用的解决方案,目的是更换现有的硬币电池电池。利用TDK的专有材料技术,TDK设法为新的固态电池开发了一种材料,其能量密度明显高于TDK的传统质量生产的质量生产的固态电池(类型:ceracharge),这是由于使用了基于氧化物的固体电解质固体电解质和锂Alloy Aloy Anodes。使用基于氧化物的固体电解质使电池非常安全。它用于与人体直接接触的可穿戴设备和其他设备。可以根据欧盟电池法规来替换电池以更换硬币电池电池,这要求将其替换为可充电电池,这有望有助于减少环境影响。tdk将努力开发电池单元,并包装结构设计,并朝着大规模生产方面的发展,以开发其新产品固态电池。此外,TDK旨在通过多层层压技术来增强电池的容量,并通过应用生产工程技术TDK在电子组件业务中累积来扩大其工作温度范围。
(b) 半导体 最大结温与根据外壳温度、功耗和热阻抗计算的实际结温相比。(c) IC、电阻器、电容器等。环境温度、工作条件、功耗等都在降额标准范围内。(d) 热阻抗的计算方法
C L1 平衡-不平衡线圈 33.7 34.1 33.8 12.5 12.8 13.5 L2 平衡-不平衡线圈 33.5 31.6 31.8 12.7 12.3 13.1 L31 扼流圈 43.8 46.1 45.0 29.4 30.3 30.4 L51 扼流圈 69.9 70.6 68.2 23.7 23.8 23.9 T21 传输脉冲 37.2 38.2 36.7 23.1 24.4 24.6 T32 传输脉冲 46.2 45.9 44.2 20.2 20.6 20.8 D1 桥式二极管 33.6 36.0 36.2 16.6 17.4 18.2 D2 LLD 34.2 37.3 36.2 15.3 17.5 17.8 D51~D52 SBD 48.2 43.1 40.8 20.7 18.9 18.8 D53~D54 SBD 55.3 51.8 50.0 24.2 23.0 23.2 Q1~Q2 MOS管 40.4 41.6 41.2 19.0 20.4 21.0 Q31~Q32 MOS管 45.8 45.8 45.0 25.0 25.2 25.3 SR1晶闸管 39.1 41.8 41.8 17.4 19.7 20.2 A102 芯片 IC 28.7 30.2 30.1 18.7 20.9 21.3 A152 芯片 IC 29.9 31.1 30.2 21.1 22.3 22.5 A351 芯片 IC 30.0 29.7 29.0 20.1 21.0 21.7 C12 电容量 19.4 20.3 19.7 11.2 12.5 12.8 C13 电容量 11.3 11.5 11.3 3.7 4.4 4.9 C51 电容量 33.5 34.2 32.5 13.8 14.4 14.8 C52 电容量23.1 23.7 23.0 11.0 12.0 12.1 C53 E.CAP。 24.3 24.2 23.8 11.2 11.8 11.8 C54 E CAP。 29.8 31.1 29.0 12.8 13.3 13.3
C L1 平衡-不平衡线圈 33.7 34.1 33.8 12.5 12.8 13.5 L2 平衡-不平衡线圈 33.5 31.6 31.8 12.7 12.3 13.1 L31 扼流圈 43.8 46.1 45.0 29.4 30.3 30.4 L51 扼流圈 69.9 70.6 68.2 23.7 23.8 23.9 T21 传输脉冲 37.2 38.2 36.7 23.1 24.4 24.6 T32 传输脉冲 46.2 45.9 44.2 20.2 20.6 20.8 D1 桥式二极管 33.6 36.0 36.2 16.6 17.4 18.2 D2 LLD 34.2 37.3 36.2 15.3 17.5 17.8 D51~D52 SBD 48.2 43.1 40.8 20.7 18.9 18.8 D53~D54 SBD 55.3 51.8 50.0 24.2 23.0 23.2 Q1~Q2 MOS管 40.4 41.6 41.2 19.0 20.4 21.0 Q31~Q32 MOS管 45.8 45.8 45.0 25.0 25.2 25.3 SR1晶闸管 39.1 41.8 41.8 17.4 19.7 20.2 A102 芯片 IC 28.7 30.2 30.1 18.7 20.9 21.3 A152 芯片 IC 29.9 31.1 30.2 21.1 22.3 22.5 A351 芯片 IC 30.0 29.7 29.0 20.1 21.0 21.7 C12 电容量 19.4 20.3 19.7 11.2 12.5 12.8 C13 电容量 11.3 11.5 11.3 3.7 4.4 4.9 C51 电容量 33.5 34.2 32.5 13.8 14.4 14.8 C52 电容量23.1 23.7 23.0 11.0 12.0 12.1 C53 E.CAP。 24.3 24.2 23.8 11.2 11.8 11.8 C54 E CAP。 29.8 31.1 29.0 12.8 13.3 13.3
C L1 平衡-不平衡线圈 33.7 34.1 33.8 12.5 12.8 13.5 L2 平衡-不平衡线圈 33.5 31.6 31.8 12.7 12.3 13.1 L31 扼流圈 43.8 46.1 45.0 29.4 30.3 30.4 L51 扼流圈 69.9 70.6 68.2 23.7 23.8 23.9 T21 传输脉冲 37.2 38.2 36.7 23.1 24.4 24.6 T32 传输脉冲 46.2 45.9 44.2 20.2 20.6 20.8 D1 桥式二极管 33.6 36.0 36.2 16.6 17.4 18.2 D2 LLD 34.2 37.3 36.2 15.3 17.5 17.8 D51~D52 SBD 48.2 43.1 40.8 20.7 18.9 18.8 D53~D54 SBD 55.3 51.8 50.0 24.2 23.0 23.2 Q1~Q2 MOS管 40.4 41.6 41.2 19.0 20.4 21.0 Q31~Q32 MOS管 45.8 45.8 45.0 25.0 25.2 25.3 SR1晶闸管 39.1 41.8 41.8 17.4 19.7 20.2 A102 芯片 IC 28.7 30.2 30.1 18.7 20.9 21.3 A152 芯片 IC 29.9 31.1 30.2 21.1 22.3 22.5 A351 芯片 IC 30.0 29.7 29.0 20.1 21.0 21.7 C12 电容量 19.4 20.3 19.7 11.2 12.5 12.8 C13 电容量 11.3 11.5 11.3 3.7 4.4 4.9 C51 电容量 33.5 34.2 32.5 13.8 14.4 14.8 C52 电容量23.1 23.7 23.0 11.0 12.0 12.1 C53 E.CAP。 24.3 24.2 23.8 11.2 11.8 11.8 C54 E CAP。 29.8 31.1 29.0 12.8 13.3 13.3
科学与艺术学生俱乐部是一种自我教育俱乐部的形式,旨在促进与必修课程、培训要求相关的知识的深化、课程以外知识的获取、学生研究工作和艺术创作活动,并确保对此进行宣传。科学和艺术学生俱乐部活动是从大学或学院学习初期或低年级开始的持续辅导(导师)式学生与教师研讨会和专业关系。它们是优质智力培训的重要领域,也是匈牙利高等教育中最重要和最有意义的人才培养形式。学生的科学和艺术活动是博士院前培训阶段中科学和艺术生涯的最高准备水平,因此,它们是博士培训(PhD 和 DLA 培训)的最佳前兆之一。
***** TDK工作(1个学分):1个记录和评估的TDK工作(作为学生科学协会的注册成员的研究活动)的1个学分,该工作表现出了真正的努力,并且是系统性的,但并非成功。如果受影响部门的主管根据主管的意见确认了学期结束时的系统研究活动,则将1个学分授予学生。除了1个学分外,还可以获得其他积分,如下所示:TDK会议III。(2个学分):该课程认可了在TDK会议上担任主持人或提交校长奖的论文的学生的工作。TDK会议I-II。 (3个学分):认可在TDK会议上排名第一,第二或第三的学生的工作,或参加全国TDK会议,或在校长颁奖典礼比赛中获得第一,第二或第三名或表彰。 全国TDK会议和出版物(4个学分):该课程认可学生在国家TDK会议上授予一席之地的工作,或者在具有国际影响因素的专业期刊中发表文章的学生。TDK会议I-II。(3个学分):认可在TDK会议上排名第一,第二或第三的学生的工作,或参加全国TDK会议,或在校长颁奖典礼比赛中获得第一,第二或第三名或表彰。全国TDK会议和出版物(4个学分):该课程认可学生在国家TDK会议上授予一席之地的工作,或者在具有国际影响因素的专业期刊中发表文章的学生。
基于TDK价值结构,我们将TDK的愿景定为长期愿景“TDK变革”。这一长期愿景包含两层含义:一是为社会变革做贡献;二是不断追求内部变革,即自我变革。“TDK变革”代表着我们致力于加速这两个循环,为可持续的未来做出贡献。从音频和视频到计算机和智能手机,纵观TDK的发展历程,我们通过提供每一代行业趋势的关键要素,为社会变革做出了贡献。从现在开始,我们期待看到绿色变革(GX)和数字化变革(DX)等社会变革的加速和发展。这意味着TDK可以做出贡献的领域将继续扩大。