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TFE年度报告2023.pdf
6 N. AM。 Elec。 Reliability Corp. , 130 FERC ¶ 61,050 (2010) [hereinafter January 21 Order], order on compliance , 133 FERC ¶ 61,008 (2010) [hereinafter October 1 Order], order on reh'g , 133 FERC ¶ 61,209 (2010), order on compliance , 135 FERC ¶ 61,026 (2011) [hereinafter April 12 Order]. 委员会要求有关TFE流程某些方面的更多信息和澄清。 2010年4月21日，NERC提交了对1月21日命令的合规文件。 2010年10月1日，委员会发布了一项命令，接受NERC 2010年4月的文件作为部分合规，并指导对TFE程序的进一步更改。 请参阅10月1日订单。 2010年12月23日，NERC提交了一份合规文件，以回应委员会的命令，该命令随后接受。 请参阅4月12日订单。6 N. AM。Elec。 Reliability Corp. , 130 FERC ¶ 61,050 (2010) [hereinafter January 21 Order], order on compliance , 133 FERC ¶ 61,008 (2010) [hereinafter October 1 Order], order on reh'g , 133 FERC ¶ 61,209 (2010), order on compliance , 135 FERC ¶ 61,026 (2011) [hereinafter April 12 Order]. 委员会要求有关TFE流程某些方面的更多信息和澄清。 2010年4月21日，NERC提交了对1月21日命令的合规文件。 2010年10月1日，委员会发布了一项命令，接受NERC 2010年4月的文件作为部分合规，并指导对TFE程序的进一步更改。 请参阅10月1日订单。 2010年12月23日，NERC提交了一份合规文件，以回应委员会的命令，该命令随后接受。 请参阅4月12日订单。Elec。Reliability Corp. , 130 FERC ¶ 61,050 (2010) [hereinafter January 21 Order], order on compliance , 133 FERC ¶ 61,008 (2010) [hereinafter October 1 Order], order on reh'g , 133 FERC ¶ 61,209 (2010), order on compliance , 135 FERC ¶ 61,026 (2011) [hereinafter April 12 Order].委员会要求有关TFE流程某些方面的更多信息和澄清。2010年4月21日，NERC提交了对1月21日命令的合规文件。 2010年10月1日，委员会发布了一项命令，接受NERC 2010年4月的文件作为部分合规，并指导对TFE程序的进一步更改。 请参阅10月1日订单。 2010年12月23日，NERC提交了一份合规文件，以回应委员会的命令，该命令随后接受。 请参阅4月12日订单。2010年4月21日，NERC提交了对1月21日命令的合规文件。2010年10月1日，委员会发布了一项命令，接受NERC 2010年4月的文件作为部分合规，并指导对TFE程序的进一步更改。请参阅10月1日订单。2010年12月23日，NERC提交了一份合规文件，以回应委员会的命令，该命令随后接受。请参阅4月12日订单。
使用田口方法优化 CNTFET 设计参数，实现高性能、低功耗应用
碳纳米管 (CNT) 具有独特的结构和电气性能，其特性非常值得研究。场效应晶体管技术中 CNT 的小结构可以生产出性能更佳的小型器件。这项工作采用了田口方法来优化碳纳米管场效应晶体管 (CNTFET)。使用 Minitab 19 软件进行田口方法分析。选择了三个尺寸的三个设计参数（CNT 的直径、间距和 CNT 的数量）来提高 CNTFET 的性能。使用 L27 正交阵列和信噪比 (SNR) 来收集和分析数据。使用方差分析验证了田口方法的结果。分析结果显示了三个设计参数的最佳组合，在高功率和低功率应用方面产生了最佳性能。影响 CNTFET 电流特性的最主要设计参数是 CNT 直径，其对导通电流 (Ion)、关断电流 (Ioff) 和电流比 (Ion/Ioff) 的影响分别为 59.93%、96.15% 和 99.14%。通过确定 CNTFET 中最主要的结构，可以进一步优化器件。最终，CNTFET 器件可以在高功率和低功率应用方面得到增强。
cntfet中数字电路的静态和动态表征的综述
摘要在本文中，我们审查了一种表征CNTFET和CMOS技术中数字电路的程序，以对其进行比较。为了实现此目标，我们使用了我们已经提出的半经验紧凑型CNTFET模型以及MOS设备的BSIM4模型。在对这些模型进行了简要审查之后，我们使用与Verilog-A编程语言兼容的软件高级设计系统（ADS）回顾了NAND门和完整加法器的静态和动态表征。获得的结果允许强调两种技术之间的差异。关键字：CNTFET，MOSFET，建模，数字电路，Verilog-A。1。脱落
超低功耗电子器件：TFET 和 NEM 器件
学士：首尔国立大学电子工程学士 (1996 - 2000) 硕士：首尔国立大学电子工程学士 (2000 - 2002) 博士：首尔国立大学电子工程学士 (2002 - 2006) 工作经历
基于计算机图形的PTFE复合传输膜的形态特征的定量测量
摘要：在本文中，对纳米-ZRO 2和聚醚酮2和聚醚酮（PEEK）颗粒填充的聚乙烯（PTFE）复合材料的摩擦学特性通过线性互换式摩擦和磨损实验机进行了摩擦测试。在材料的各个摩擦阶段获得了有关传递局面的摩擦学性能和光学图像的数据。MATLAB软件被用来制定转移胶体形态特征的定量分析程序。该程序可以增强传输图像的图像增强和形态处理，然后识别，提取和量化转移范围的几何和纹理特性，以分析特性的变化及其与材料摩擦学特性的关系的基础。结果表明，转移薄片的几何，形态和质地特征在摩擦过程中动态发展，各种摩擦阶段之间存在明显的差异，并且对材料的摩擦学特性产生了显着影响。定量分析表明，转移仪的某些形态和纹理特征的趋势（覆盖率，面积，直径，圆度，圆度，一致性和纹理熵）与PTFE复合材料的磨损抗性之间存在良好的相关性。因此，这些形态和纹理特征可用于量化转移效果的质量，并用作材料摩擦学特性的间接指标。
研究基于堆叠的源沟槽TFET
摘要：为了检测生物分子，提出了基于介电调节的堆叠源沟槽闸门隧道效果晶体管（DM-SSTGTFET）的生物传感器。堆叠的源结构可以同时使状态电流较高，并且较低的状态电流较低。沟槽栅极结构将增加隧道区域和隧道概率。技术计算机辅助设计（TCAD）用于对拟议的结构化生物传感器的灵敏度研究。结果表明，DM-SSTGTFET生物传感器的当前灵敏度可以高达10 8，阈值电压灵敏度可以达到0.46 V，亚阈值秋千灵敏度可以达到0.8。由于其高灵敏度和低功耗，该提议的生物传感器具有很高的前景。
KyronMax®S-4330 | MCAM
加工：在半成品产品的加工过程中，撤离SWARF以防止滑倒或绊倒危险，并观察到适用于您所在国家的工作场所上的最大允许灰尘浓度。加工过程中戴安全护目镜。存储：产品应在正常环境中存储在室内（以10-30°C / 30-70％RH的空气），并远离任何降解来源，例如阳光，紫外线灯，化学物质（直接或间接接触），电离辐射，火焰等，等等。< / div>等可能会随着时间的推移而发生尺寸变化（弯曲，扭曲，收缩…）以及外表面的轻微颜色移位。在半成品产品的情况下，后者通常不会出现问题，因为将其加工成成品零件时，表面层大部分都会被删除。安全措施：应观察到标准的工业安全建议。应避免在熔化温度上方的温度。休息前和工作日结束时洗手。处理过程中不要吃，喝或吸烟。还请注意本文档第2页上的免责声明。
涡轮增压器用扩散器和护罩 Fluorosint® 500 PTFE ...
四十多年来，Fluorosint ® 500 PTFE 一直是耐磨聚合物密封件的行业标准。在气体分配泵系统中，喘振现象很常见。为了解决这个问题，叶轮和扩散器之间会留出较大的间隙，导致机器效率低下。为了减少间隙并提高压缩机性能，添加 Fluorosint ® 500 PTFE 护罩插件是解决方案。作为额外好处，除了效率提高之外，Fluorosint ® 500 PTFE 还成为牺牲组件，在发生接触时可防止高价叶轮被损坏。
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