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投票援助计划（VAP）行动计划和...
•发布了双年展的DAF投票行动计划，向各个级别的VAO提供VAP操作指南。DAF投票行动计划发布在FVAP网站上，可以在以下链接上找到：https：//www.fvap.gov/vao/directives•确保在安装下对安装投票活动对齐M＆frc在M＆FRC下与24/7的支持能力进行对齐，并审查了AFPC全力以赴（AFPC/TFSC）•AFPC/TFSC•AFPC AFPC/TFSCRICT•AFPC AFPC/TFSS•AFPC） （关联）和FVAP门户网站报告，以供指标要求，培训，讲习班，个人咨询以及协调/外展/外展•建立一个过程，以确保VAO在当前的DAF投票行动计划中完成VAO的完整FVAP VAO培训IAW培训要求•通过MYFS诉讼，通过MYFS迫使七年级和联邦雇员在15年以15年为单位，并在15年以15年为单位提供了联邦证书的申请。 • Provide information and responses to command and installation VAO questions and concerns • Provide after action reports as requested by Military/Airman and Family Policy Branch (AF/A1SA) • Maintain a VAP homepage on the AFPC website: https://www.afpc.af.mil/Airman- and-Family/Voting/ • Provide VAP updates and training to IVAOs and AFPC/TFSC staff • Grant access to FVAP门户一旦IVAOS和UVAOS完成所需的培训
准二维光伏半导体的缺陷物理
GESE最近由于其具有吸引力的光学和电性能以及地球丰富性和低毒性而成为光伏吸收材料。然而，与冲击式 - 赛车限制相比，GESE薄膜太阳能电池（TFSC）的效率仍然很低。点缺陷被认为在GESE薄膜的电和光学特性中起重要作用。在这里，我们执行第一个原理计算以研究GESE的缺陷特征。我们的结果表明，无论在GE丰富或富含SE的条件下，费米水平始终位于价带边缘附近，导致未掺杂样品的P型电导率。在富含SE的条件下，GE空缺（V GE）具有最低的地层能，在价带边缘上方0.22 eV处，（0/2）电荷态过渡水平。高密度（高于10 17 cm-3）和V ge的浅层暗示它是GESE的p型起源。在富含SE的生长条件下，SE I在中性状态下具有低层的能量，但没有引入带隙中的任何缺陷水平，这表明它既不有助于电导率，也不导致非辐射重组。此外，GE I引入了深层电荷状态过渡水平，使其成为可能的重组中心。因此，我们建议应采用富有SE的条件来制造高耐高率的GESE太阳能电池。