XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search SystemTHz
使用1550 nm泵送非线性光电导率GAAS元面的连续波Terahertz检测
摘要：Terahertz（THZ）连续波（CW）光谱系统可以通过拍摄高性能电信（1530-1565 nm）激光器来提供极高的光谱分辨率。然而，这些系统中的典型THZ CW检测器使用狭窄的带隙光电导体，这些光接合器需要精心生长并产生相对较大的检测器噪声。在这里，我们证明了纳米结构的低温种植GAA（LT-GAAS）的跨表情中的两步光子吸收，该元面可在大约一个picsecond中切换光导率。我们表明，尽管带隙是电信激光光子能量的两倍，但LT-GAA可以用作CW THZ检测器中的超快光电自动导体。元图设计利用了LT GAAS谐振器中的MIE模式，而THZ检测器的金属电极可以设计以支持附加的光子模式，从而进一步增加了所需波长下的光电导率。
Terahertz操纵2D半导体中的激子复合物
富含库仑结合的准粒子的物理学，例如激发剂和过渡金属二甲基元素单层中的trions，目前在冷凝的物质群落中正在进行深入研究。这些准颗粒在100 MEV的顺序上具有较高的结合能，表现出强烈的光耦合，并且可以将量子信息存储在自旋valley自由度中[1]。实现超快时间标准上激素状态的外部控制的策略已成为重要的研究途径。在这里，我们报告了在HBN封装的Mose 2单层中观察到瞬态Trion到脱位的转换（图1a）是由在红外自由电子激光设施（Felbe）（Felbe）[2，3]产生的Picsecond TimeScales上的强烈Thz脉冲引起的。随后通过用条纹摄像头记录时间分辨的光量（TRPL）光谱来监测激子动力学。可见的脉冲（= 400 nm）激发了激动的激子和Trions的种群（图1b，无脉冲脉冲的trpl光谱）。通过在大约30次皮秒延迟后添加THZ脉冲相对于可见的激发（图1C），我们观察到Trion发射的淬火和激发激素发射的暂时增亮。此外，通过调整Thz脉冲的频率，我们记录了TRIONS的THZ解离光谱（图1d）。重要的是，当THz光子能量等于或高于Trion结合能时，可以观察到有效的Trion TRION转换。在其他机构中观察到THZ辐射的相似影响，例如WSE 2单层和Mose 2 /WSE 2异质结构。总的来说，结果为低维材料中的许多粒子状态的外部控制开辟了有希望的途径。
Terahertz离子Kerr效应：对绝缘体中非线性光学响应的两次贡献
强烈的Tera-Hertz（Thz）脉冲的最新进展使得可以研究凝结物质中非线性光学现象的低频对应物，通常用可见光研究，因为这是Thz Kerr效应的情况[1-3]。DC Kerr ef-fect检测到与所施加的直流电场平方成正比的等同于各向同性的材料中的双折射，它是对介质的第三阶χ（3）非线性光学响应的标准测量[4]。基本上，AC探头E AC（ω）和直流泵E DC场之间的四波混合导致非线性极化P（3）〜χ（3）E 2 DC E AC（省略了空间索引）。p（3）依次调节ACFILD的相同频率ω的折射率，其空间各向异性由E DC的方向设置。在其光学对应物中，平方ACFER的零频率的光谱成分在DC组件的零频率上起着相同的作用。最近，THZ和光脉冲已在泵探针设置中合并，以测量所谓的Thz Kerr效应[2]。的主要优势比其全光率降级是，强烈的Thz泵脉冲可以通过在相同频率范围内匹配类似拉曼的低覆盖式激发，例如晶格振动[5-8]，或者在破碎的态度状态下（对于9-13-13]或超级效果[14] [14] [14]，可以强烈增强信号。这种共振反应通常加起来是电子的背景响应，并且可以用来识别不同自由度之间耦合的微观机制。作为一般规则，Thz Kerr响应（将其缩放为THZ电场平方）不受红外活性
基于碳的Ultrabroadband可调Terahertz Metasurface吸收器
摘要。碳基材料，例如石墨烯和碳纳米管，由于其出色的柔韧性，轻巧的重量和可调性，因此已成为最先进的超材料设备的变革性构件。在这项工作中，提出了一个具有超人带吸收的可调的无碳金属Terahertz（THz）跨表面，由交替的石墨和石墨烯图案组成，其中Fermi石墨烯的Fermi水平通过改变施加的电压偏置来调节，以实现可调节的Ultrabroad Bavel吸收吸收特征。特别是，当石墨烯的费米水平为1 eV时，吸收系数从7.24到16.23 THz超过90％，重要的是，吸收带宽达到8.99 THz。此外，它对入射波不敏感，并以高达50度的入射角度保持高吸收率。与THZ制度中的常规吸收器相比，这种基于碳的设备具有更高的吸收带宽，速率和性能，并且可以在各个领域中使用，包括THZ波传感，调制，可穿戴医疗保健设备和生物医学检测。
天线耦合微光仪基于2D实时Terahertz Imaging
的确，与上述标准有关，未冷却的重测技术是THZ 2D成像的有前途的候选人。它在室温下运行，阵列在硅微电子铸造厂的高级CMOS应用特定集成电路（ASIC）上方生产，紧凑的单层大型2D阵列 - 现在以连续降低价格在工业上生产Mpixel格式。作者组[3]用Leti-Ulis专有的非定形 - 硅螺旋体传感器测试了此成像设置配置[4]。用量子级联激光器（QCL）在3 THz下的测量显示出小于0.5％的光吸收效率。即使这种敏感性足以进行测试过的活动THZ成像设置，这些结果也促使研究了BOLOMETER PISERETURTER的研究，专门调整了对THZ辐射的感觉，以便遵守现实生活中的用户库。
Terahertz band中的六世代通信系统的椭圆形天线
无线通信向6G网络的进步需要在Terahertz（THZ）频率（0.1-10 THz）上发挥作用的天线。这对于满足日益增长的数据传输和最小延迟连接的需求至关重要。然而，常规的天线设计通常无法在这些升高频率下提供所需的带宽，增益和效率，这会限制其对6G技术的适用性。这项研究介绍了针对在THZ频段中运行的6G系统专门优化的多个椭圆形天线的设计和开发。主要目的是提高天线的性能，使其适合高频应用。天线是在Roger 5880底物上构造的，其介电常数为2.2，切线损耗为0.0009，厚度为6 µm。它精确地测量了140×100 µm²。50欧姆微带馈线会激发天线，确保最佳功率传递。模拟产生了令人鼓舞的结果，展示了-27.08 dB的回报损失（\（s_ {11} \）），这是1.25 thz（2.12-3.37 thz）的广泛操作带宽，增益为8.769 db，指标为8.6113 db，and An 89％and An 89％and An 89％。这个多斜椭圆形的天线对6G应用具有巨大的潜力，提供了可靠的解决方案，以满足即将到来的THZ通信系统的需求。其出色的性能将其定位为高速通信网络的理想候选者，推动了下一代无线技术的发展。
全dielectric metasurfaces及其在Terahertz范围内的应用
在快速发展的Terahertz（THZ）技术领域中，全型元信息（ADMS）已成为一种显着的驱动力，可能会改变各种行业和科学训练。这篇评论对与THZ ADMS相关的基本原理，材料，制造技术和最新设计方法进行了全面和深入的研究，包括人工智能在其发展中的新兴作用。各种应用都深入到这些元信息的范围内，例如高分辨率成像，高级传感和可调设备的开发，展示了THZ范围内ADM的多功能性和承诺。此外，讨论了跨学科合作的重要性，并在推动基于ADM的THZ设备的边界时的尖端技术集成。随着该领域的不断增长和创新，预计全端元元面积的应用和含义预计将变得越来越多样化，为各个部门的变革突破铺平了道路。
Terahertz波段辐射对心脏组织的热效应
Terahertz（THZ）频带在无线通信中表现出了非凡的承诺。其出色的数据传输速度和非侵入性质，除其他优势外，还具有在6G和7G技术（包括移动设备，环境监测和医疗保健）中解锁巨大可能性的潜力。医学领域中的一个特定应用是心脏的生物监测设备。我们在我们的项目中探讨了这一应用，该应用程序旨在确保与人类心脏组织相互作用时THZ辐射的安全性。为此，我们通过开发人心脏的2D和3D模型来模拟心脏组织中Thz波的波传播和热效应，从而扩展了Comsol多物理学中的现有计算模型©。这些模型有助于定义下一代生物医学设备中THZ辐射的安全限制，从而加速了无线网络的发展。
Terahertz Rectennas基于一个...
erahertz（THz）辐射是电磁光谱的区域，频率在0.1至10 THz之间。1-3微型THZ源和检测器启用了各种应用，例如通信，监视筛查，材料分析，生物医学诊断和个人医疗保健跟踪。1，2，4，5 5物联网（IoT）应用的小型独立传感器的可穿戴电子设备和网络的出现正在推动低功率电子电路和设备或芯片水平上的能源收获中的研究。微型THZ功率探测器可能会成为可以充当能量收集设备的关键组件，尤其是在可透明的薄膜底物上，它们可以克服硅（SI）电子芯片的外形限制，并可以在可扩展的滚动过程中制造。因此，他们有可能无需电池或外部电源提供分散的传感器网络，被动读数电路或集成的移动设备。6