• Total Ionizing Dose (TID) test using Co-60 source • Conducted at Fraunhofer Institute for Technological Trend Analysis (FhG/INT) at Euskirchen, Germany • Hardware-in-the-loop test setup • Live GPS signals via roof-top antenna • Reference receiver operated outside test chamber • Direct comparison of navigation solution and raw data
SAT 以霍尼韦尔数十年来在太空级角速率传感器技术领域的领先地位为基础,充分利用了 HG4934SRS 三轴空间速率传感器中使用的合格组件。它采用小巧、轻便、低功耗和低成本的封装,可提供一流的性能,是小型卫星的理想选择。SAT 可实现保证的 TID 和 SEE 辐射性能。
ADA抗药物抗体吸收,分布,代谢,消除AE不良事件Alt丙氨酸氨基转移酶API API活性药物成分AST ASTASPATE ASPATESPARTATE ASPATE ASPATE ASPATE氨基转移酶ATC解剖学治疗酶ATC解剖学治疗化学分类系统AUC在plasma浓度浓度下的浓度为0-24-24-24 interval BID bis in die , twice a day CI Confidence interval C max Maximum observed plasma/serum concentration of drug CMV Cytomegalovirus CYP Cytochrome P450 DDI Drug-drug interaction EMA European Medicines Agency ERA Environmental risk assessment FDA Food and Drug Administration (USA) GI Gastrointestinal GLP Good Laboratory Practice GMR Geometric mean ratio HIV Human immunodeficiency virus HPLC High-performance liquid chromatography IAT Investigator-assigned anti-CMV treatment IC/EC 50 Half-maximal inhibitory/effective concentration ICH International Council for Harmonisation Ig Immunoglobulin INN International non-proprietary name ITT Intention-to-treat LoQ List of Questions MAH Marketing authorisation holder MAR Maribavir Max Maximum Min Minimum MRHD Maximum recommended human dose N/A Not applicable NO(A)EL No observed (不良)效应水平PBPK生理学基于药代动力学PD药效学PIP儿科研究计划(EMA)PK Pharmacokinetics POPPK POPPK POPPK POPPK POPPK PREMACOKINICS PSP儿科研究计划(US FDA)QD Quaque Die;每天一次RMP风险管理计划SAE严重不良事件SCT干细胞移植SOC系统器官类SOT SOT SOT ORNANS移植瑞士瑞士瑞士公共评估报告Teae Emergergert-Extrergert EffersEnd Edverse Everse Everse tid TID TID ter ter ter in Die;一天三次。
在 BJT 中,TID 对氧化物电介质的损坏会导致:• 基极电流过大(通过与陷阱的复合增强和 β 退化)• 由于发射极面积增加(通过 N ot 的表面反转)导致 npn 器件中的集电极电流增加• 由于 CB 结中的载流子生成增加(通过陷阱),导致从集电极到基极 (CB) 的反向漏电流增加
摘要 — 高能电子与物质相互作用产生的辐射簇射包括能量分布峰值为 MeV 级的中子,这些中子是通过光核反应产生的,可以测量电子设备中中子诱导的单粒子效应 (SEE)。在这项工作中,我们研究了一种装置,其中欧洲核子研究中心 [Centre Européen pour la Recherche Nucléaire (CERN)] 的 CLEAR 加速器的 200 MeV 电子束被引导到铝靶上以产生具有大中子分量的辐射场。通过测量特性良好的静态随机存取存储器 (SRAM) 中的单粒子翻转 (SEU) 和闩锁率以及被动式无线电光致发光 (RPL) 剂量计中的总电离剂量 (TID),并将结果与 FLUKA 模拟的预测进行比较,对由此产生的环境进行了分析。我们发现,用铅制成的横向屏蔽可保护 SRAM 免受过高的 TID 率影响,从而为 SEU 测量提供最佳配置,尤其是在对 MeV 级中子高度敏感的 SRAM 中。相对于基于散裂靶或放射源的标准中子设施,此设置提供了一种有趣的补充中子源。
此版本的TB TID位专注于优先活动数字三:使用有针对性的策略来识别和治疗患有患结核病疾病风险的潜在结核病感染(LTBI)的人。为什么识别和对待LTBI的人很重要?好吧,超过80%的活动性结核病病例是与未经处理的LTBI有关的个体。找到这些患者并可能在LTBI活跃之前对其进行治疗是消除结核病的关键一步。
• VID V62/23607-01XE • 抗辐射 – 单粒子闩锁 (SEL) 在 125°C 时可抵抗 43 MeV- cm2/mg – ELDRS 无影响至 30krad(Si) – 每晶圆批次的总电离剂量 (TID) RLAT 高达 30krad(Si) – TID 特征值高达 30krad(Si) – 单粒子瞬变 (SET) 特征值高达 43 MeV-cm2 /mg • 电源范围:+8V 至 +22V • 集成断电和过压保护 – 过压和断电保护高达 +60V – 冷备用能力高达 +60V – 可调节故障阈值 (V FP ) 从 3V 到电源 – 中断标志反馈指示故障通道 – 非故障通道继续以低漏电流运行 • 闩锁免疫结构 • 精密性能,源极关断漏电流(最大值)为 ±4.5nA,关断电容为 4pF • 航天增强型塑料 – 工作温度范围为 –55°C 至 +125°C – 受控基线 – 金线和 NiPdAu 引线涂层 – 一个装配和测试站点 – 一个制造站点 – 延长产品生命周期 – 产品可追溯性 – 增强型模塑料,具有低释气性 • 小型、行业标准 TSSOP-20 封装
您可以阅读有关生物技术,药理学和微生物学的完全独特的课程。此外,您参加生物医学高等教育的人有机会尝试在中学上学期间阅读大学课程,并在大学的研究小组中进行高中工作。
除非另有说明, 1输出使用220µF触觉低ESR电容器将其分解至地面上。 (见图1)2通过设计保证,但未测试。 典型参数代表实际设备性能,但仅供参考。 3个工业级设备应测试到子组1,除非另有说明。 4类H,K设备应100%测试到亚组1,2和3。。 5亚组1 t a = t c = +25°C亚组2 t a = t c = +125°C子组3 t t a = t c = -55°C 6在测试线调控时经过验证的最小负载电流。 7相对于VOUT测量电压。 8引用当前极限典型性能曲线,用于输入到输出电压差分经文电流功能。 9在绝对最大评级下的连续操作可能会对设备性能和/或生命周期产生不利影响。 除非另有说明, 10在25°C下的辐射限度(Si)tid在25°C时是相同的。1输出使用220µF触觉低ESR电容器将其分解至地面上。(见图1)2通过设计保证,但未测试。典型参数代表实际设备性能,但仅供参考。3个工业级设备应测试到子组1,除非另有说明。4类H,K设备应100%测试到亚组1,2和3。5亚组1 t a = t c = +25°C亚组2 t a = t c = +125°C子组3 t t a = t c = -55°C 6在测试线调控时经过验证的最小负载电流。7相对于VOUT测量电压。8引用当前极限典型性能曲线,用于输入到输出电压差分经文电流功能。9在绝对最大评级下的连续操作可能会对设备性能和/或生命周期产生不利影响。10在25°C下的辐射限度(Si)tid在25°C时是相同的。10在25°C下的辐射限度(Si)tid在25°C时是相同的。