TIH

2020年12月24日机构名称:

elm201 katihalelektronë叶

p-Typi半导体在电导率带中的电子很少。n型半导体在价值带中的孔很少。p型：多数（多数）是少数载体。n型：电子是多数（多数）是少数载体。

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2020年12月26日机构名称:

此过程允许缝隙在晶体结构内移动。充当空缺（空位） +Q（孔，空，空心）的粒子。孔密度由（Houles/cm 3）图标表示。如上所述，每个断裂键形成两个负载颗粒：1个电子和1个孔。原始（未加成的，“固有”）变为硅的n = n i =，电子和孔密度的产物

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