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自主报告硬涂层：通过原位薄层电阻测量跟踪 TiN 的时间氧化行为
传统上，工程部件的结构健康和完整性是通过在附近安装的传感器来监测的。近年来，已报道了自报告或自感知材料，其中传感器集成到功能材料中。 [5] 通常，将传感器安装到内部、表面或附近并不能改善整体性能。在这里，我们提出了一种自主自报告材料的概念，其中未经改性的材料本身充当传感器。为此，需要确定一种与所讨论的结构和/或化学变化具有因果关系的材料属性。此后，这种属性被称为自主自报告属性。此外，这种属性需要在应用过程中可测量，并且应用引起的结构和/或成分变化需要导致自报告属性幅度的显著变化。 TiN 被选为参考系统，因为它被广泛用作保护涂层 [6]、扩散屏障 [7] 或微电子学 [8]，并且最近作为等离子体材料引起了人们的关注。[9] 它表现出很高的热稳定性 [10] 和金属电性能，[11] 而其氧化物 TiO 2 的带隙约为 3.1 eV。[12]
使用 SCAPS-1D 软件优化吸收层和 ETM 层厚度，以增强锡基钙钛矿太阳能电池性能
甲基铵碘化锡（ ）钙钛矿纳米晶体由于其带隙窄、可见光吸收系数高、比铅基对应物（ ）更环保，引起了研究兴趣，并成为光伏领域的后起之秀。本文提出了一种以氧化锌（ZnO）和氧化铜（CuO）为电子传输介质（ETM）和空穴传输介质（HTM）的锡基钙钛矿太阳能电池，并使用太阳能电池电容模拟器（SCAPS）工具进行数值研究。在适当的参数下，初步模拟获得了短路电流密度（Jsc）为 27.56 / 、开路电压（Voc）为 0.82 、填充因子（FF）为 59.32 % 和功率转换效率（PCE）为 13.41 %。通过改变吸收层和电子传输层的厚度，观察到ZnO和ZnO的最佳厚度分别为0.6和0.3，相应的PCE分别为14.36％和13.42％。使用优化参数进行模拟后，记录到Jsc为29.71 /，Voc为0.83，FF为61.23％，PCE为15.10％。这些值优于未经优化获得的值，这意味着通过调整钙钛矿和电子传输层可以在一定程度上提高太阳能电池的性能，同时钙钛矿太阳能电池（PSC）是一种具有相当高效率的潜在环保太阳能电池。
通过使用
I.引言与环境相互作用引起的物质的破坏攻击称为腐蚀[1]。金属恶化是由化学和电化学过程引起的。大气，温度，水溶液的pH值，被动层的存在以及可能发生的任何潜在电化学过程都影响金属对腐蚀的易感性[2,3]。化学反应带来的金属表面不可避免地恶化称为腐蚀。此过程将纯金属转化为化学更稳定的形式，例如硫化物，氧化物，氢氧化物等。在腐蚀性环境下。任何类型的气体，液体或固体都可能构成腐蚀性环境。大多数人认为生锈到处都是[4]。TIN是一种在酸性和碱环境中相互作用的两性金属，但相对不受中性条件的影响[5]。当用钢，铜或镍上的涂层用电化学涂抹时，它会将非常大的表面积暴露于腐蚀性环境中。tin的行为从pH 5-4处的腐蚀转移到酸雨范围内。锡在碱性和酸性环境中也有利[6]。锡在包括电子，涂料和包装在内的广泛领域广泛使用。它用于制造像青铜和锡一样的合金，以及食物罐上的涂层，以防止腐蚀和污染。TIN还用于制造电气组件，例如焊料和锡板，它们可用于制造印刷电路板[7]。
氯化钾作为氯离子电池的合成，结构分析和降解行为转换电极材料Soutam Pa
氯离子电池（CIB）为锂离子系统提供了令人信服的替代方案，尤其是在要求成本效益和资源可持续性的应用中。但是，量身定制的电极材料的开发仍然是CIB进步的关键瓶颈。在这项研究中，我们首次通过轻松的机械化学途径合成了一类未开发的基于钙钛矿的材料含钾（K 2 SNCl 6，称为KSC）。制备的KSC经过各种表征技术，以确认其晶体结构和形态。在此，KSC利用锂金属计数器电极在非水CIB构型中表现出有趣的电化学性能。此外，Ex-Situ X射线衍射（XRD）和X射线光电子光谱（XPS）分析揭示了涉及氯离子穿梭的转化反应机制，并在循环过程中提供了对结构进化的见解。此外，密度功能理论（DFT）研究支持了其他降解产物，这些降解产物可能有可能限制这些材料的性能，从而限制了这些材料作为CIB中潜在电池电极的性能。
使用 Cl2/Ar/N2 电感耦合等离子体对 SiO2 纳米沟槽上的 TiN 纳米结构进行选择性干法蚀刻
介绍了一种用于在纳米表面结构上制造 TiN 纳米结构的电感耦合等离子蚀刻工艺。使用 Cl 2 /Ar/N 2 等离子体，在 SiO 2 上可实现 50 的选择性。研究了 N 2 流速对蚀刻速率和 TiN 侧壁上非挥发性残留物的影响。当 N 2 流速增加到 50 sccm 时，观察到 TiN 侧壁上非挥发性残留物的沉积发生变化。介绍了用 TiN 纳米结构侧壁制造的 TiN 器件的电流密度-电压特性。分别用低和高 N 2 流速蚀刻的两个不同样品的测量电流密度表明，仅在低 N 2 流速下，清洁后才会在侧壁上沉积一层绝缘层。VC 2015 美国真空学会。 [http://dx.doi.org/10.1116/1.4936885]
使用二氧化物（ITO）（ITO）启用与光学透明的RF组件启用混合光学微波空间通信
学术共识引用学术共享引用O'Keefe，John T.，“使用二锡氧化物（ITO）的光学透明的RF组件启用混合光学微波空间通信”（2024）。博士学位论文和硕士论文。870。https://commons.erau.edu/edt/870
使用水和基于丁醇的氧化锡分散液的钙钛矿太阳能电池的电子传输层的插槽涂层
载体选择性ETL和HTL对于提取和运输电荷至关重要，同时最大程度地减少了界面电荷重组。在配置的钙钛矿太阳能电池中，钙钛矿层沉积在ETL层的顶部。9因此，ETL层的质量和特性直接影响光吸收钙钛矿层的性质。因此，开发和优化ETL层已成为研究的热门话题。最初，由于其合适的光电特性，TIO 2被广泛用作钙钛矿太阳能电池中的电子传输层。然而，它具有卵形照明下的光催化特性，需要大约500 1 c的高温退火以实现适当的结晶度，从而使该材料不适合用于PSC的升级和商业化。3,10–12为了克服这些缺点，已经研究了替代的N型金属氧化物，应允许低温处理，成本较低，应提高稳定性。13–17
电化学和表面分析表征研究对沸腾的红洋葱提取物对0.2 M Maleic AC
电化学和表面分析表征研究煮沸的红洋葱提取物对0.2 M马来酸培养基中锡腐蚀的抑制作用。Brahim Ait Addi A，Salma Mouaamoun A，Abdelaziz ait Addi A，Abdul Shaban B *，El-Habib Ait Addi C，Mohamed Hamdani A
基于TIN的CPVC化合物具有增强的动态热稳定性，可改善氯化聚氯乙烯（CPVC）管道的性能和FITT
CPVC或氯化聚氯乙烯氯化物与PVC（聚氯化氯）相比，其氯含量增加了约66％，具有优越的热稳定性。但是，超过其温度限制会导致降解且难以处理。考虑CPVC是PVC通过氯化的进一步乘积，可以通过PVC推测CPVC的反应机理。尽管CPVC是PVC的导数，但它是一个复杂的系统。聚合物分子结构中至少存在三种不同类型的重复单元：-CH2-CHCL-， - CHCL-CHCL-和少量的-CCL2-单元（10）CPVC是重要的特种聚合物，这是由于其高玻璃过渡，高热偏移温度，杰出的火焰和烟雾和化学效果。虽然CPVC的玻璃过渡温度通常随着氯的量增加而升高，但氯含量的增加会导致CPVC变得更加困难
玻璃钢在环境中的加速降解...
图 6-5: 氙弧和太阳光光谱 [102] 111 图 AI: TINUVIN 320 结构 129 图 A-2: 吸收光谱 131 图 A-3: 结构 146 图 A-4: 吸光度 146 图 A-5: 搭接剪切 154 图 A-6: 暴露周期 155 图 B-1: 应力与应变 (MET 16) 182 图 B-2: 应力与应变 (K 404) 182 图 B-3: 应力与应变 (I TIN 53) 182 图 B-4: 应力与应变 (MET 23) 183 图 B-5: 应力与应变 (NUV 1) 183 图 B-6: 应力与应变 (K 100) 183 图 B-7: 应力与应变 (NUV 17) 184 图 B-8: 应力与应变 (MET 31) 184 图 B-9: 应力与应变 (NUV 26) 185 图 B-I0: 应力与应变 (MET 4) 185 图 B-ll: 应力与应变 (I TIN 48) 185 图 B-12: 应力与应变 (I TIN 8) 186 图 B-13: 应力与应变 (I TIN 4) 186 图 B-14: 应力与应变 (I TIN 61) 186 图 B-15: 应力与应变 (MET 2) 187 图 B-16: 应力与应变 (I TIN 5) 187 图 B-17: 应力与应变 (MET 17) 187 图 B-18: 应力与应变 (MET 33) 188 图 B-19: 应力与应变 (MET 8) 188 图 B-20: 应力与应变 (I TIN 48) 188 图 B-21: 应力与应变 (MET 6) 189 图 B-22: 应力与应变 (NUV 8) 189 图 B-23: 应力与应变 (NUV 4) 189 图 B-24: 应力与应变 (NUV 28) 190 图 B-25: 应力与应变 (NUV 32) 190 图 C1: (波长与折射率) MET 6 与 MET 192 图 C-2: (波长与折射率) MET 2 与 MET 17 192 图 C-3: (波长与折射率) MET 8 与 MET 17 193 图 C-4: (波长与折射率) NUV 8 与 NUV 16 193 图 C-5：(波长 vs. 折射率) NUV 16 vs. NUV 3 194 图 C-6：(波长 vs. 折射率) NUV 4 vs. NUV 16 194 图 C-7：(波长 vs. 折射率) I TIN 5 vs. I TIN 48 194 图 C-8：(波长 vs. 折射率) I TIN 4 vs. I TIN 48 195 图 C-9：(波长 vs. 折射率) I TIN 8 vs. I TIN 48 195 图 F-1：DCS 扫描显示 Tg (NUV 8) 212 图 F-2：DCS 扫描显示 Tg (I TIN 5) 212 图 F-3：DCS 扫描显示 Tg (MET 6) 213 图 F-4：DCS 扫描未显示 Tg (I TIN 5) 213 图 F-5： DCS 扫描未显示 Tg (MET 6) 214 图 G1：1 NUV 9 216 图 G-2：2 NUV 9 216 图 G-3：1 I TIN 58 217 图 G-4：1 MET 30 217 图 G-5：2 I TIN 58 218 图 G-6：2 MET 30 218