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PTB330 专业气象数字气压计...
输入和输出 电源电压 10 ... 35 VDC 电源电压灵敏度 可忽略不计 +20 °C 时的典型功耗（U 输入 24 VDC，一个压力传感器） RS-232 25 mA RS-485 40 mA U 输出 25 mA I 输出 40 mA 显示屏和背光 +20 mA 串行 I/O RS232C、RS485/422 压力单位 hPa、mbar、kPa、Pa inHg、mmH 2 0、mmHg、torr、psia A 类 B 类 分辨率 0.01 hPa 0.1 hPa 通电稳定时间（一个传感器） 4 秒 3 秒 响应时间（一个传感器） 2 秒 1 秒 加速度灵敏度 可忽略不计 压力连接器 M5（10-32）内螺纹 压力接头 1/8” I.D. 的倒钩接头带截止阀的 1/8” 软管或快速接头 最大压力限制 5000 hPa 绝对值。符合 EMC 标准 EN61326-1:1997 + Am1:1998 + Am2:2001：工业环境
VLS“新太空”编码器——适用于现代商业航天工业的坚固、高性能技术
• 高性能：VLS 编码器提供高分辨率数字或模拟输出，角度分辨率高达 21 位，精度高达 ±0.001°。• 轻巧紧凑• 坚固：VLS 电容式编码器是空心浮轴设备，没有轴承或其他接触件。它们符合 MIL-STD-810F 的振动规范，并经过了 10 毫秒内高达 100g 的冲击载荷测试。• 适合太空使用：可承受轨道辐射条件以及高 EMI、RFI 和磁场• 对温度不敏感：能够承受极端的热波动• 真空兼容：特殊涂层可将排气量降至最低，达到 10ˉ⁵ 托的真空度• 经济：由于 VLS 编码器是经过改进的 COTS 设备，因此它们的成本比传统的专用太空级编码器要合理得多。大多数系统需要多个编码器，因此这种成本差异是一个很大的优势。 • 可用：VLS 编码器基于改进的 COTS 设计，因此我们可以大批量、快速地提供它们。
具有高稳定性、CMOS 兼容掺杂剂的低接触电阻 WSe2 p 型晶体管
摘要：高接触电阻一直是开发高性能过渡金属二硫属化物 (TMD) 基 p 型晶体管的瓶颈。我们报道了简并掺杂的少层 WSe 2 晶体管，其接触电阻低至 0.23 ± 0.07 k Ω·μ m/接触，其使用氯化铂 (IV) (PtCl 4 ) 作为 p 型掺杂剂，该掺杂剂由与互补金属氧化物半导体 (CMOS) 制造工艺兼容的离子组成。栅极长度为 200 nm 的顶栅器件表现出良好的开关行为，这意味着掺杂剂扩散到栅极堆栈中并不显著。这些器件在空气中放置 86 天后未进行任何封装，同时在 78 K 温度下保持简并掺杂状态，且压力低于 10 − 5 Torr，突显了掺杂剂的稳定性。所提出的方法阐明了对具有减薄肖特基势垒宽度的晶体管进行图案掺杂以获得低接触电阻器件的高稳定性方法的可用性。关键词：二硒化钨、电荷转移掺杂、场效应晶体管、二维材料、高稳定性
原子级氧介导 2D MoS2 蚀刻和...
暴露 [7] 或浸入水中时。 [8] 相比之下，据报道 MoTe 2 是反应性最强的 TMD 之一。 [9] 然而，人们对导致这些材料行为截然不同的原子级过程知之甚少。像差校正（扫描）透射电子显微镜 (STEM) 可以以亚秒级分辨率获取材料的精确原子结构。然而，用于成像的高能电子也会引起结构变化，正如已经在 MoS 2 和 MoTe 2 中证明的那样。在 MoS 2 中，连续的电子暴露会通过电子激发和连锁损伤的共同作用迅速导致硫空位 [10] 的形成，[11] 它们首先聚集成空位线，然后出现富含钼边缘的孔隙。 [12] 相反，大概由于 Te 的质量大于 S，连锁损伤被抑制，MoTe 2 中的空位形成速度明显较慢，从而可以在不去除原子的情况下发生动态相变。 [13] 尽管如此，在这两种材料长时间成像的过程中，结构变化是不可避免的。 因此，为了研究与氧化相关的结构变化，必须将它们与纯电子辐照引起的效应区分开来。 这就需要具有超高真空的仪器，并在成像过程中在样品周围引入受控的低压气氛。 [14] 此类实验已经表明，石墨烯中的化学蚀刻发生在氧分压 > 3 × 10 − 8 托时，[15] 远低于带有侧入支架的 TEM 仪器的典型压力，导致孔隙从缺陷位置开始生长。 [16] 原始石墨烯区域不受影响。 然而，对所有其他 2D 材料仍然缺乏类似的研究。在这里，我们使用同样的策略来比较低压（9 × 10 − 10 − 4 × 10 − 7 托）氧气气氛下悬浮的二维 MoS 2 和 MoTe 2 单层的行为，同时通过 STEM 进行原子分辨率成像。在电子辐照下，O 2 分子可以分裂成原子氧，从而将化学效应加速到实验可及的时间尺度。在我们的实验中，MoS 2 中的结构损伤与氧分压无关，显示出众所周知的[10,12,17]与电子束相关的空位产生以及随后的富钼边缘结构孔隙。相反，在 MoTe 2 中，不同氧气压力下的结构变化有明显差异。具体而言，在超高真空中，MoTe 2 中的损伤与 MoS 2 中的损伤相似，除了
晶圆翘曲和背面冷却条件变化对静电吸盘 (ESC) 性能的影响
在 ESC/BSG 系统中，冷却气体（氦气）的漏流被测量为夹紧性能的标准：大量的 BSG 漏流意味着晶圆未正确夹紧，因此冷却气体未到达晶圆。相反，少量的漏流代表晶圆夹紧良好且冷却效率高。在这种情况下，20 sccm 或以上的氦气流量代表夹紧彻底失败以及工具故障。图 2 显示在“A”和“B”型载体上制备的样品晶圆的冷却气体漏流。在所有施加电压下，弯曲程度较高的晶圆的 BSG 流量最高，漏流值已达到最大值 20 sccm。但是，只要背面冷却气体压力较低，较高电压条件就会消除弯曲对 BSG 流量的影响。换句话说，需要将 BSG 压力降低至约 10 Torr 以下才能夹住弯曲的晶圆，这会导致背面冷却系统的边缘性更严格，并且等离子蚀刻等高温工艺中晶圆过热的可能性更高。
三甲基铝与分子氧和水的反应机理
III-VI 族材料一直受到广泛关注，部分原因是它们是可用于光伏或光电子应用的宽带隙半导体材料 [1–5] 。三甲基铝 (TMA) 是众所周知的铝源，用于半导体制造以通过原子层沉积 (ALD) 或金属有机化学气相沉积 (MOCVD) 的不同工艺生长薄膜，例如 Al 2 O 3 和氮化铝 (AlN) [6–11] 。Al 2 O 3 薄膜在许多不同的应用中作为绝缘体和钝化层发挥着重要作用，它是通过 ALD 沉积的第一个介电氧化物，尽管该工艺中的前体是 AlCl 3 和水 [12] 。使用 TMA 制备 Al 2 O 3 薄膜的原因是三甲基铝在室温下是一种热稳定的高蒸气压 (8.4 Torr) 液体，并且容易与水反应生成 Al 2 O 3 。氮化铝 (AlN) 的有趣特性包括一系列独特的物理特性，从大带隙 (6.2 eV) 和高电阻率，到低介电损耗和高热导率 [13] 。因此，AlN 薄膜在电子领域具有广泛的应用，例如金属-绝缘体-半导体器件中的绝缘层 [14] ，
paschen曲线用于低真空吸尘器中的PCB迹线
对于具有高压轨迹的微电子设备，可在真空环境中起作用，重要的是要知道真正的损坏电压对压力的影响以避免发生故障。Paschen定律在压力和距离变化时是众所周知的崩溃电压行为方程。它的常见数学表达[1]是在两个平行导电板的均匀字段假设下写的。最近有一些作品，其中一些特殊导体配置的不均匀的电晶体以及在真空中的PCB痕迹考虑的，压力高达10 -1 mbar [2]。也有关于均匀场，非常低的距离（10 UM及更近）和低真空的帕申曲线行为异常的报告[3,4]。在这里，我们介绍了对一种不均匀领域的paschen效应的研究，这是针对一种常见的PCB痕量构造的，距离距离为100 um，低真空度最高为10 -4 TORR。在本文的第2节中，我们提供了简化的理论估计，该理论估计使用Townsend标准对最小崩溃电压。在第3节中，描述了测量压力的崩溃电压依赖性的实验设置，并在第4节中提出了真空相机中PCB迹线的实验研究结果。
teledyne hastings 仪器 - Schaefer
Teledyne Hastings Instruments (THI) 数字 VT/CVT 是成功的 VT/CVT 系列“Hastings 仪表”的数字读数版本，50 多年来一直拥有忠实的客户。在最苛刻的条件下，其卓越的稳定性、准确性和可靠性赢得了良好的声誉。精密 A/D 转换器和微处理器用于测量热电偶真空计管的信号输出，利用计管明确的输出/压力功能将测量结果转换为压力读数，并显示结果。这些仪器采用 1/8 DIN 面板安装外壳包装，配有 3 位绿色 LED 显示屏。数字 VT/CVT 真空计适用于 THI 最受欢迎的两种计管系列：DV-6 和 DV-4。DV-6 范围为 1-999 mTorr。DV-4 范围为 0.02-20 Torr。这些管采用 THI 坚固但灵敏的贵金属热电偶，专为每个范围设计。管匹配且可互换，无需校准调整。它们可补偿温度和温度变化率，并且耐腐蚀。THI 数字真空计数字 CVT 仪器是一种全自动、连续读数仪器，适用于基本真空测量应用
用于In- ...
在本文中介绍了具有高度紧凑型配置中的灵活电子和电路的多功能可部署超薄复合动臂的新颖概念，可以监视其在空间中的部署动态。此概念特别适合有效载荷量极有限的立方体。多功能可部署的繁荣将是安装在3U立方体中的飞行硬件，该硬件计划于2023年作为空间技术演示启动到国际空间站（ISS）。多功能动臂由可动的超薄复合动臂，灵活的电子设备和动态监控电路组成，以及嵌入式柔性薄导线，用于动力传递和数据传输。提出了多功能动臂的设计，材料和制造方法。在模拟空间环境中进行的测试显示了在7°C至50°C的温度范围内的柔性电子设备的生存能力和稳定性，高真空水平约为1×10 -6 -6 TORR。基于地面的振动和部署测试证明了多功能繁荣，数据采集系统和部署机制的整体设计。对从集成柔性电子设备获得的数据的分析成功地捕获了部署动力学，并确定了繁荣的固有频率在0-100 Hz范围内。这些结果表明，该概念是对未来多功能超薄可部署空间结构的一种有希望的方法。
影响报告
捍卫者 Deanne Bray Jamila Cobham Myrna 和 Richard Fleming Fernando Gaytan Miye Goishi 和 Dara Schur Monique Guidry Nancy Harvey Marcia Henry Eve Hershcopf Denise Hingle 和 James Webster Wuin Hopkins Cheryl 和 David Howell Kathryn E. Jessup 和 Igor Zagatsky Anna Levine Pam Maffiei Torr Melling 和 Daniel Candelario 老消防站学校 Robin Phipps Bobbie Rose Michele Rutherford Bess 和 Steve Sternberg Nancy Strohl Moony Tong 纪念 Kim Kruckel Valley Oak 儿童服务机构 Teresa Williams Julia Wilson 纪念 Kim Kruckel、她的退休以及她多年的领导和服务 Champions BANANAS, Inc. Allison 和 Lester Bell Rachel Boyce Carol Brownstein 纪念 David Lieberman 加州儿童保育资源和转介网络儿童保育资源中心儿童发展资源 Lety Flores Erica Grubb Ernest Hammond III William霍夫曼 卡拉·詹森 卡利斯·金 基蒂·克鲁克尔 林赛·米尼亚诺 奥弗和艾米·杰瑟普 纳阿曼 贝蒂·诺德温德 普卢马斯农村服务中心 玛西娅·罗森 悼念帕蒂·西格尔和卡罗尔·史蒂文森 娜塔莎·萨加尔 谢思和沙林·谢思 亚历克斯和玛西娜·西蒙斯 琼·斯托里 玛金亚·沃德 南希·怀亚特 布拉德利和格雷塔·布朗洛