Ziel-食品与健康研究所MünchenZiel -Food&Health Institute for Food&Health Institute是慕尼黑技术大学中央研究所(TUM),在食品,营养和健康科学界面进行跨学科研究。可持续食品系统的发展和预防与营养有关的疾病是具有很高社会相关性的复杂主题。Ziel在微生物组和代谢的研究领域建立了强大的科学专业知识和可见性,主持了DFG资助的合作研究中心(CRC1371,微生物组签名; TRR 333 Brown和Beaige Fat)。初级组有望建立一个出色的研究轨道,以解决食物链的各个方面,从原材料及其加工到预防与营养相关疾病的生物医学评估。为了进一步提高我们的研究概况(www.ziel.tum.de),我们正在寻求在“食品加工和健康”领域尽快填补以下职位的初级研究小组负责人(M/f/d)
CL 通函 CXC 行为准则 CRD 会议室文件 DNC 4,4-二硝基苯脲 EU 欧盟 EWG 电子工作组 FAO 联合国粮食及农业组织 GAP 良好农业规范 GIFT 全球个人食品消费数据工具 GMP 良好生产规范 GVP 良好兽医规范 HACCP 危害分析和关键控制点 HBGV 基于健康的指导值 HDP 2-羟基-4,6-二甲基嘧啶 IAEA 国际原子能机构 ICUMSA 国际统一糖分析方法委员会 IUFoST 国际食品科学技术联合会 JECFA 粮农组织/世卫组织食品添加剂联合专家委员会 JMPR 粮农组织/世卫组织农药残留联合会议 mADI 微生物 ADI MR:TRR 标记残留物与总回收放射性之比 M:T 标记残留物与总残留物之比 MRL 最大残留限量 PWG 物理工作组
2.2 2009 年 10 月 2 日 附录 A:添加 NIST。附录 B:添加 NIST、中间件、渗透测试和基于风险的测试。附录 E:在所有模板的开头和模板文件名中添加模板版本号。添加新模板 23(灾难恢复测试就绪评审文档)。在附录 D 中:在基础设施/应用程序测试部分添加有关测试要求的指导。更新灾难恢复部分。添加企业测试团队和业务部门负责的项目。添加有关 DR TRR 的部分/列表。将基于风险的测试用例确定添加到第 20 节。添加声明,有关渗透测试和漏洞扫描的政策将发布在 FSA 门户网站上。用 ESB 替换所有 EAI 实例。第 2.3 节:添加 EDSS SA-3 咨询声明。添加新的第 2.4 节(预算考虑)。第 3.4.1.1 节:添加 FSA 测试经理在 PRR 备忘录上提供签字认可签名的责任
AAR 机载空中加油 ADS 飞机对接系统 AGE 飞机地面设备 AI 行动项目 AQAP 盟军质量保证出版物 CBPI 日历 基础阶段检查 CDR 关键设计评审 CDRL 合同可交付成果要求清单 COC 符合性证书 COTS 商用现货 CSD 合同签署日期 DMSMS 制造来源减少和材料短缺 ECP 工程变更建议 EOL 寿命终止 FOD 异物碎片 KOM 启动会议 GQAR 政府质量保证代表 GSE 地面支援设备 IAW 符合 IMS 综合主计划 INBD 舷内(发动机) IPB 图解零件分解 ISO 国际标准化组织 MPI 中期检查 NQAR 国家质量保证代表 NLT 不迟于 OEM 原始设备制造商 OTBD 舷外(发动机) PILS 计划综合物流系统 POC 联络点 PRM 项目评审会议 QA 质量保证 QMP 质量管理计划 QMS 质量管理体系 SE 支援设备 SOW 工作说明 TRR测试准备情况审查
庄同和,林志成* 庄同和 Tonghe.Zhuang@psychiat.med.uni-giessen.de ORCID:0000-0002-7876-4962 计算认知神经科学与定量精神病学 德国吉森尤斯图斯-李比希大学 *通讯作者:林志成 zhichenglin@gmail.com ORCID:0000-0002-6864-6559 中国科学技术大学心理学系 作者贡献 两位作者都参与了手稿的撰写和编辑。2024 年初,Z.L.在与 T.Z. 的播客采访中提到撰写一篇关于基于 AI 的编码的论文。巧合的是,T.Z.使用 LLM 撰写了一份关于编码的手稿。随后,他们合并了各自撰写的草稿。利益冲突 作者声明没有利益冲突。AI 使用 我们使用 GPT-4o 和 Claude 3.5 Sonnet 对手稿进行校对,遵循 https://www.nature.com/articles/s41551-024-01185-8 中描述的提示。致谢 Z.L.得到了国家重点研发计划 STI2030 重大项目 (2021ZD0204200)、国家自然科学基金 (32071045) 和深圳市基础研究计划 (JCYJ20210324134603010) 的支持。T.Z.由 Deutsche Forschungsgemeinschaft(DFG,德国研究基金会)资助 – SFB/TRR 135,子项目 C11。
∗我们感谢S´ara Khayouti,Antonia Kurz和Tom Zegers提供了出色的研究帮助。We thank David Bil´en, Raphael Epperson, Henning Hermes, Thao Hanh Le, Yves Le Yaouanq, Florian Schneider, and seminar participants at LMU Munich, University of Pittsburgh, BAdW, 6th Workshop on Experimental Economics for the Environment, ESA 2021 Global Meetings, Osaka University ISER, CRC Workshop “Memory, Narratives and Belief Formation”, dusseldorf竞争经济学研究所,法国实验谈判,ASFEE,2022年,Cesifo地区行为经济学2022年,柏林行为经济学研讨会,BGSE/BRIQ应用微观经济学研讨会,EAERE 2023和EEA-EASEM 2023,以获取有用的评论。Financial support from Deutsche Forschungsgemeinschaft through CRC TRR 190 (Imai, Pace, Schwardmann), the Bavarian Academy of Sciences and Humanities (Schwardmann), the NWO in the context of VIDI grant 452-17-004 (van der Weele), the Amsterdam Center for Behavioral Change of the University of Amsterdam, and the initiative, “A Sustainable未来,在阿姆斯特丹大学(范德威勒)的未来,非常感谢。
TRR404“具有三维有源设备的下一代电子产品[Active-3D]”是德累斯顿工业大学和亚琛工业大学之间的合作研究中心/Transregio,由德国研究基金会资助。 TRR 旨在探索一种全新的微电子技术方法,因此,它联合了来自 TUD、亚琛工业大学、亚琛应用微电子与光电子学会 (AMO)、于利希研究中心 (FZJ)、哈勒马克斯普朗克微结构物理研究所 (MPI-MSP)、德累斯顿纳米电子材料实验室 (NaMLab) 和波鸿鲁尔大学 (RUB) 的材料学家、电气工程师和计算机科学家。对于初始资助阶段(2025 年 4 月 - 2028 年 12 月),TRR404 提供多个博士和博士后职位,开始日期从 2025 年 4 月 1 日起。所有空缺职位信息可在此处找到:https://cfaed.tu-dresden.de/trr-vacancies。对于 TUD 来说,多样性是优秀大学的本质特征和质量标准。因此,我们欢迎所有愿意为整个机构的成功而贡献自己、取得成就和成果的申请人。
12/2024 SFB TRR 352初中咖啡休息时间,Tübingen和慕尼黑(Talk)11/2024沃里克大学(研讨会谈话)统计机制研讨会(研讨会)10/2024伦敦国王学院的无序系统研讨会(研讨会)(研讨会)(研讨会)10/2024 CQIF SEMINAR TALKBRIDGE(SEMAR),SEMAR,CAMAN,CAMAN,SMAN,09/24 GSSI,l'aquila(研讨会谈话)08/2024 SIQUMA24量子事物模拟会议,Schloss Dagstuhl(受邀发言人)07/2024国际数学物理学2024年国际数学物理大会,Strasbourg(贡献)(贡献)谈话03/2024 87。Jahrestagung der DPG,柏林(贡献的演讲)02/2024 Qmath Quantum午餐,哥本哈根(研讨会谈话)12/2023量子和动态圣诞节2023,米兰(邀请发言人)09/20223/2023 Oberwolfach Workshop“多人量子系统”(邀请量子)(邀请)的班级(邀请)班上的夏季夏季夏季夏季介绍,华沙(贡献)01/2023 Oberseminar Mathematische Physik,Tübingen大学(研讨会)(研讨会)11/2022 GAUS研讨会,在线(研讨会谈话)08/2022 QAINTISSIMA在Serenissima in serenissima iv,Venice,Venice,Venice,Venice(贡献)的量身定量como McqM22,Como intermecte in n serenissima iv( IQM22 Workshop I,Politecnico di Milano(演讲)02/2022 02/2022奥地利第二天的数学女性日,在线(贡献)05/2021 Mathphys Analivation Analysis研讨会,ISTA(研讨会谈话)教学
luzi冰雹接受。We thank an anonymous associate editor, an anonymous reviewer, Jens Müller, Victor van Pelt, conference and workshop participants at the 2nd JAR Registered Reports Conference, LMU Munich, HU Berlin, Passau University, Aalto University, IESE Busi- ness School, University of Padova, and the European Accounting Association's Virtual Ac- counting Research Seminar (VARS), as well as members of the Accounting for透明度协作研究中心有价值的评论。,我们还感谢穆恩申(StudentenwerkMünchen)的食堂业务的负责人和几名员工的支持和见解,以及Luise Engel的宝贵研究援助。我们感谢Sandra Denk,Andreas Oberhauser,Alexander Paulus,Julian Schneider,Victor Sehn和Victor Wagner在进行实验方面的协助。这项研究已获得胡柏林道德委员会的批准。作者感谢德国研究基金会(Deutsche Forschungsgemeinschaft -dfg)的财务支持:项目ID 403041268- TRR266。Bianca Beyer承认芬兰经济教育基金会(Likesivistysrahasto)的财务支持。可以在https://github.com/trr266/ Carbonfood访问论文的数据和代码。本文是由JAR为其2021年的特殊2021年注册报告Conforence实施的基于注册的编辑程序(REP)产生的最终注册报告;该过程的详细信息可在此处找到:https://www.chicagobooth.edu/research/chookaszian/chokaszian/journer-oke-of-accounting-research-research/mogentered-Reports。本报告的接受的建议和在线附录可以在此处找到:https://research.chicagobooth.edu/ arc/journal arc/journal-of-accounting-research-research/inline-supplements。
图表 9 : SiC 产业链及代表企业 ............................................................................................................................. 6 图表 10 : 导电型碳化硅衬底 ................................................................................................................................. 6 图表 11 : 半绝缘型碳化硅衬底 ............................................................................................................................. 6 图表 12 : WolfSpeed 公司导电碳化硅衬底演进过程 ........................................................................................... 7 图表 13 : SiC 衬底制作工艺流程 ........................................................................................................................... 8 图表 14 : PVT 法生长碳化硅晶体示意图 ............................................................................................................. 8 图表 15 : 用于制备碳化硅的籽晶 ......................................................................................................................... 8 图表 16 : CMP 过程示意图 ................................................................................................................................... 10 图表 17 : CVD 法制备碳化硅外延工艺流程 ........................................................................................................11 图表 18 : SiC 功率器件种类 ............................................................................................................................... 12 图表 19 : SiC-SBD 与 Si-SBD 比较 ..................................................................................................................... 13 图表 20 : SiC-SBD 正向特性 ............................................................................................................................... 13 图表 21 : SiC-SBD 温度及电流依赖性低 ........................................................................................................... 13 图表 22 : SiC-SBD 具有优异的 TRR 特性 ........................................................................................................... 13 图表 23 : SiC MOSFET 与 Si IGBT 开关损耗对比 .............................................................................................. 14 图表 24 : SiC MOSFET 与 Si IGBT 导通损耗对比 .............................................................................................. 14 图表 25 : SiC MOSFET 体二极管动态特性 ......................................................................................................... 14 图表 26 : N 沟道 SiC IGBT 制备技术图 ............................................................................................................. 15 图表 27 : SiC 行业发展阶段曲线 ....................................................................................................................... 16 图表 28 : SiC 市场规模现状及预测 ................................................................................................................... 17 图表 29 : 新能源汽车包含功率器件分布情况 .................................................................................................. 18 图表 30 : 对车载和非车载的器件要求 .............................................................................................................. 18 图表 31 : 车载 OBC 发展趋势 ............................................................................................................................. 19 图表 32 : 硅基材料功率器件的工作极限 ........................................................................................................... 19 图表 33 : 全球新能源汽车碳化硅 IGBT 市场规模 ............................................................................................ 19 图表 34 : 全球新能源汽车市场销量及增长率预测 ............................................................................................ 20 图表 35 : 中国新能源汽车市场销量及增长率预测 ............................................................................................ 20 图表 36 : 2020 年全球新能源乘用车车企销量 TOP10( 辆 ) ................................................................................ 21 图表 37 : 2020 年全球新能源乘用车车型销量 TOP10( 辆 ) ................................................................................ 21 图表 38 : 光伏碳化硅器件优越性 ....................................................................................................................... 22 图表 39 : 全球光伏需求预测 ............................................................................................................................... 22 图表 40 : 全球光伏碳化硅 IGBT 市场规模 ........................................................................................................ 23 图表 41 : 全球光伏 IGBT 市场规模 .................................................................................................................... 23 图表 42 : 2015-2021 年中国累计充电桩数量 ..................................................................................................... 24 图表 43 : 2015-2020 年中国车桩比例 ................................................................................................................. 24 图表 44 : 中国新能源汽车充电桩市场规模及预测 ............................................................................................ 25 图表 45 : 全球充电桩碳化硅器件市场规模 ....................................................................................................... 25 图表 46 : 全球轨道交通碳化硅市场规模及预测 ............................................................................................... 26 图表 47 : 2020 年全球轨道交通运营里程 TOP10 .............................................................................................. 26 图表 48 : 轨道交通碳化硅器件占比预测 ........................................................................................................... 27 图表 49 : 全球轨道交通碳化硅技术采用情况 ................................................................................................... 27 图表 50 : 2015-2025 年中国 UPS 市场规模及预测 ............................................................................................ 28 图表 51 : 2015-2021 年中国 UPS 器件类型情况 ................................................................................................ 28 图表 52 : 2011-2020 年全球 UPS 市场规模及预测 ............................................................................................ 29 图表 53 : 2019-2025 年全球 UPS 碳化硅器件市场规模 .................................................................................... 29 图表 54 : 国外碳化硅衬底技术进展 ................................................................................................................... 30 图表 55 : 碳化硅衬底尺寸市场占比演变 ........................................................................................................... 30