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ITTF程序更新 - 2024年7月创新...
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DNA 损伤反应抑制剂增强胶质瘤干细胞中肿瘤治疗场 (TTFields) 的效力
背景：高级别胶质瘤是原发性脑癌，过去 40 年来，尽管进行了手术切除和破坏 DNA 的化放疗，但世界卫生组织 4 级胶质瘤的生存率仍然低得令人无法接受，且持续为 10-16 个月。最近，肿瘤治疗场疗法 (TTFields) 已显示出适度的生存益处，并在多个国家获得临床批准。TTFields 人们认为主要通过破坏有丝分裂来介导抗癌活性。然而，最近的数据表明，TTFields 也可能减弱 DNA 损伤修复和复制叉动力学，为结合标准治疗方法和靶向 DNA 损伤反应抑制剂 (DDRi) 的治疗组合提供了潜在的平台。方法：我们将患者来源的、通常具有抗性的胶质瘤干细胞样细胞 (GSC) 与之前验证的临床前 Inovitro™ TTFields 系统以及多种治疗性 DDRi 结合使用。结果：我们发现 TTFields 可强效激活 PARP 和 ATR 介导的 DNA 修复（包括 PARylation 和 CHK1 磷酸化），而将 TTFields 与 PARP1 或 ATR 抑制剂治疗相结合可显著降低克隆形成存活率。放射治疗进一步增强了这些策略的效力，导致 DNA 损伤量增加，DNA 损伤消退时间大大延迟。结论：据我们所知，我们的研究结果是首次在 GSC 模型中将 TTFields 与临床批准或试验中的 DDRi 结合使用，并为针对目前无法治愈的肿瘤患者的多模式 DDRi/TTFields 治疗策略的转化研究提供了基础。
100V RF AlGaN/GaN-SiC HEMT 在 200°C 下的 MTTF 为 1E7 小时
关键词：AlGaN、ALT、HEMT、高功率 RF 放大器、GaN、MTTF、可靠性、100V 摘要 据报道，在 100V 下工作的 RF GaN-SiC HEMT 在 200°C 通道温度下的中位故障时间 (MTTF) 为 1000 万小时。数据是从 300°C、315°C 和 330°C 三个温度下的加速寿命测试 (ALT) 推断出来的。为了捕获显著的统计变化，从来自不同批次的两个晶圆中挑选出每个温度的 10 个 ALT 代表性样本。故障设定为饱和漏源电流 (I DSS ) 下降 20%。在 100 V 下表征的 AlGaN/GaN on SiC HEMT 技术基于带背通孔的 0.5 m GaN 工艺。引言 最近有报道称，通过将工作电压提高到超过标准 50 V，可实现突破性的 2.3 kW UHF 单射频晶体管放大器 [1]。此外，用于 L 波段应用的 5 kW 单射频 GaN 晶体管将在 IMS-2022 [2] 上展示。在单个射频 GaN 晶体管放大器中实现数千瓦功率级将是促进兆瓦级射频系统中 TWTA 或其他真空电子器件替换的重要里程碑。为了实现这一技术转变，需要一种能够在 100 - 150 V 偏压下可靠工作的新型射频 GaN 晶体管。在更高电压下工作射频 GaN HEMT 的几个优点是：更高的功率密度、更高的效率、更高的阻抗和更宽的带宽；本文首次讨论高压射频 GaN HEMT 的可靠性。每当一种新的半导体技术被开发并推向市场时，人们就会明显担心其可靠性。在过去的 70 年中，人们开发了一套严格的测试来估计任何半导体技术在其预期工作条件和环境下的寿命 [3 – 4]。良好可靠性的普遍接受的指标是，在 200°C 的通道 (FET) 或结 (BJT) 工作温度下，现场寿命为 1000 万小时。为估计或推断这种寿命而开发的表征技术是通过加速寿命测试，其中半导体器件池在高温下运行以故意诱发故障，并测量每个池中 50% 的样品失效所需的时间。ALT
平均无故障时间 = ηΓ(1+1/β)
II. 脏数据 有多种数据特性会妨碍威布尔分布有效表征设备的寿命或可靠性。这些数据被称为缺陷数据或“脏”数据，包括以下属性（Abernathy 1-9）： ● 删失或暂停数据 删失或暂停数据是未包含在威布尔图中的数据。这些可能包括在监控期间未发生故障的设备，或者与所研究故障模式不同的故障。尽管没有将它们绘制出来，但仍必须将它们包含在统计分析中。 ● 故障模式混合 有时设备可能以不同的方式发生故障，即，一台机器的不同部件可能会发生故障。在这种情况下，故障数据可能沿图上的不同线分布。在这种情况下，应执行根本原因分析，然后分别分析不同的故障原因。第 IV 部分将讨论多种故障模式。 ● 未识别出故障单元 ● 检查和粗略数据如果在每周或每月检查期间收集数据，则通常不会记录准确的故障时间，这将改变威布尔分布。