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摘要 — 由于市场上可用的样品数量很少,通过实验确定 10 kV SiC-MOSFET 功率模块的可靠性具有挑战性。基于 3D 热计算的数字设计可提高 10 kV SiC-MOSFET 功率模块的可靠性。模块设计是根据数字孪生建模计算确定的。通过制造 10kV SiC-MOSFET 功率模块样品并将计算温度与测量结果进行比较,证实了数字孪生模型的正确性。该设计侧重于芯片上的铝线,并阐明了改变导线布局对导线温度的影响。结果表明,与传统设计相比,改进的导线布局可将导线温度降低 2.2-5.3%。根据基于 Coffin-Manson 模型的预测,这有望将功率循环能力提高高达 31%。
摘要 — 如果可以在 3D 模型上评估模块的结构弱点,则无需物理原型即可对电源模块进行可靠性结构优化。在本研究中,研究了 3D 热应力模拟作为中压电源模块热循环测试 (HCT) 故障点的预测工具。该模块具有两种不同陶瓷(Al2O3 和 AlN)的多层结构,以减少寄生电容。在这个结构复杂的模块中,实际测试样品的故障点与 3D 模拟中的热机械应力的弱点相重合。热循环测试(125/-40°C)用于模拟和测试。模块的故障点主要是 HCT 100 次循环后铜从 AlN 基板表面剥离。剥离位置与模拟中的点相匹配,模拟结果具有两个特征,即高剥离应力点和铜图案的高形状变形。这一观察结果适用于仅与陶瓷连接的铜图案,而与其他相邻层连接的铜图案则不遵循这一趋势。索引术语 —10kV SiC-MOSFET 功率模块、热循环、3D 建模、有限元方法、热机械应力
这项研究的结果于12月20日发表在12月20日的《英国杂志NPJ量子材料》上。标题:“铁电式拓扑半学Sraubi中的超导性”作者:hidefumi takahasi,Tomohiro Sasaki,Akitoshi Nakano,Nakano,Kazuto Akiba,Masayuki Akiba,Masayuki takahashi,Takahashi https://doi.org/10.1038/s41535-023-00612-4
ken-ichi Yamada,Shun Ishibashi,Naohiro Sata,Marcus Conrad,Masafumi Takahashi#
Yoshihiro Hosoya,Hosoya PE办公室Kengo Ishige,Ihi Co. Dong-Ying Ju,Saitama技术研究所Yuuji Kimura,国家材料科学研究所Manabu Kubota,Nippon Steel Co.钢铁有限公司,Ihi机械和炉子有限公司在雷吉·萨卡塔(Reiji Sakata) Co.,Ltd。Toshiyuki Shimazaki,Shimazaki Netsushori Co. Ltd. Masaaki Sugiyama,日本热处理学会Manabu Takahashi,Kyushu University shin-ichi University shin-ichi takahi takahashi Yamamoto,丰田汽车公司东京技术研究所Aki Kodai大学Satoru Kobayashi,川崎重工业有限公司。
Akiba R,Masuda T,Yokota S,Yonemura S,Nishida K,Takahashi M,Kurimoto Y,MandaiM。干细胞报告。2024 doi:10.1016/j.stemcr.2024.09.002。※epub在印刷前。pmid:39366379。
Mayuko Yukiura,博士; Kohei Takano,M.S;高桥大桥(Kazuki Takahashi)博士; Michiko Kitamura; Kazunori Oyama博士; Kokichi Honda,D.V.M。 div> ; Yoshinobu Shiose博士,MBA。 div> ; Wataru Obuchi博士; Yamada Makiko博士; Ken Sakurai D.V.M.,博士; Kazuyoshi Kumagai D.V.M.,博士; Riki Goto; Akiko Zizebustu博士; Takashi Kagari博士; Abe Yuki Abe博士; Toshinori Agatsuma博士 div>Mayuko Yukiura,博士; Kohei Takano,M.S;高桥大桥(Kazuki Takahashi)博士; Michiko Kitamura; Kazunori Oyama博士; Kokichi Honda,D.V.M。 div>; Yoshinobu Shiose博士,MBA。 div>; Wataru Obuchi博士; Yamada Makiko博士; Ken Sakurai D.V.M.,博士; Kazuyoshi Kumagai D.V.M.,博士; Riki Goto; Akiko Zizebustu博士; Takashi Kagari博士; Abe Yuki Abe博士; Toshinori Agatsuma博士 div>
- 2015年〜学术界领导的计划,例如成立了“ AI&社会会议”。- 2017年内政部:“国际讨论的AI R&D草案”(高桥加入专家) - 2019年“以人为中心AI的社会原则” ...等。