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在室温下观察石墨烯中电流的漩涡
在室温下在室温下旋转石墨烯中的漩涡量，Marius L. Palm 1†，Chaoxin ding 1†，William S. Huxter 1†，Takashi Taniguchi 2，Kenji Taniguchi 2，Kenji Watanabe 3和ChrisɵanL. degen L. degen L. degen 1,4 * 2材料研究中心纳米构造，材料科学的naɵtute，1-1纳米基，tsukuba，日本305-0044； 3日本的材料科学材料科学和材料科学研究中心，材料科学材料科学，日本1-1 Namiki，日本；瑞士苏黎世8093号苏黎世市Quantum Center 4。 ∗应向谁解决；电子邮件：degenc@ethz.ch。 †这些作者也同样贡献。在室温下在室温下旋转石墨烯中的漩涡量，Marius L. Palm 1†，Chaoxin ding 1†，William S. Huxter 1†，Takashi Taniguchi 2，Kenji Taniguchi 2，Kenji Watanabe 3和ChrisɵanL. degen L. degen L. degen 1,4 * 2材料研究中心纳米构造，材料科学的naɵtute，1-1纳米基，tsukuba，日本305-0044； 3日本的材料科学材料科学和材料科学研究中心，材料科学材料科学，日本1-1 Namiki，日本；瑞士苏黎世8093号苏黎世市Quantum Center 4。∗应向谁解决；电子邮件：degenc@ethz.ch。†这些作者也同样贡献。
研讨会（非技术）
15:05休息/名片交换/互动休息15:10邀请15P-K201-5玻璃的结构和物理特性。 1, Richard Black 1, Pashmina Cameron 1, Burcu Canakci 1, Andromachi Chatzieleftheriou 1, James Clegg 1, Daniel Cletheroe 1, Tim Deegan 1 , Austin Donnelly 1 , Rokas Drevinskas 1 , Christos Gkantsidis 1 , Ariel Gomez Diaz 1 , Freddie Hong 1 , Valentin Kapitany 1 , Takashi Lawson 1 , Sergey Legtchenko 1，Antony Rowstron 1，Ioan Stefanovici 1，David Sweeney 1，Benn Thomsen 1，Charles Whittaker 1，Hugh Williams 1，Stefan Winzeck 1
请致电论文
Hiramitsu Awano（京都大学），Makoto Ikeda（Univ。），托希·伊西哈拉（Nagoya Univ。），toshiyuki iChiba（富士通实验室），kazuhito ito（Saitama Univ。），kenichi okada（东京Inst。技术），Hiroyuki Ochi（Ritsumeikan Univ。），Toshiki Kanamoto（Hirosaki Univ。），daisuke kanemoto（大阪大学），Shinji Kimura（WasedaUniv。），atsushi kurokawa（Hirosaki Univ。），Yukihide Kohira（Univ。），Satoshi Komatsu（东京Denki Univ。），saito（大学Aizu），Shimpei Sato（Shinshu Univ。 ），Jun Shiomi（大阪大学 ），Yuichiro Shibata（长崎大学 ），Kenshu Seto（Kumamoto Univ。 ），田（Tian Song）（Tokushima Univ。 ），kazuyoshi takagi（mie univ。 ），Yoshinori Takeuchi（Kindai Univ。 ），Takashi Takeaka（NEC），Nozomu Togawa（WasedaUniv。 ），hiroyuki tomiyama（Ritsumeikan Univ。 ），shigetoshi nakatake（Univ。 of kitakyushu），Yuichi Nakamura（NEC），Hiroki Nishikawa（Osaka Univ。） ），Yukiya Miura（东京都会大学。 ），Shigeru Yamashita（Ritsumeikan Univ。 ），Yasushi Yuminaka（Gunma Univ。 ），Masaya Yoshikawa（Meijo Univ。 ），Aizu），Shimpei Sato（Shinshu Univ。），Jun Shiomi（大阪大学），Yuichiro Shibata（长崎大学），Kenshu Seto（Kumamoto Univ。），田（Tian Song）（Tokushima Univ。），kazuyoshi takagi（mie univ。），Yoshinori Takeuchi（Kindai Univ。），Takashi Takeaka（NEC），Nozomu Togawa（WasedaUniv。），hiroyuki tomiyama（Ritsumeikan Univ。），shigetoshi nakatake（Univ。of kitakyushu），Yuichi Nakamura（NEC），Hiroki Nishikawa（Osaka Univ。），Yukiya Miura（东京都会大学。），Shigeru Yamashita（Ritsumeikan Univ。），Yasushi Yuminaka（Gunma Univ。），Masaya Yoshikawa（Meijo Univ。），
使用顺反组数据和可解释的深度学习进行番茄全基因组顺式解码以进行表达设计
* 通讯作者：takashia@okayama-u.ac.jp † 资深作者 T.Ak.、KM 和 EK 对本研究的贡献相同。T.Ak. 和 SU 构思了这项研究。T.Ak.、TK 和 T.Ar. 设计了实验。T.Ak.、KM、EK 和 TK 进行了实验。T.Ak.、KM、EK 和 KT 分析了数据。T.Ak.、YK 和 KU 建造并维护了设施。T.Ak.、KT 和 SU 开发了程序和分析代码。T.Ak.、KM、EK、TK、T.Ar. 和 SU 起草了手稿。所有作者均认可了手稿。根据作者须知 (https://academic.oup.com/plcell) 中所述的政策，负责分发与本文所述研究结果相关的材料的作者是：Takashi Akagi (takashia@okayama-u.ac.jp)。
（PEA）2fan-1pbnbr3n+1 Quasi-2d ...
完整的作者清单：džiugas的Litvinas；维尔纽斯大学，物理学院，光子学研究所和纳米技术Aleksiejunas，Ramunas； Vilnius大学，Patrik的光子学和纳米技术学院物理学院； Vilniaus Universitetas，Baronas，Paulius；维尔尼乌斯大学，索里奥特，维瓦； Vilnius大学，Chuanjiang光子学和纳米技术学院物理学院；富希拉（Takashi）的聚合物物理与化学的国家主要实验室；信息技术和纳米技术（ISIT）Matsushima，Toshinori；京都大学，吉哈亚国际碳中性能源研究所ADACHI；九州大学，有机光子和电子研究中心（Opera）Jursenas，索利乌斯；维尔纽斯大学，应用研究所
AAAI 25期刊曲目时间表
Shivam Goel, Panagiotis Lymperopoulos, Ravenna Thielstrom, Evan Krause, Patrick Feeney, Pierrick Lorang, Sarah Schneider, Yichen Wei, Eric Kildebeck, Stephen Goss, Michael C. Hughes, Liping Liu, Jivko Sinapov, Matthias Scheutz 2:30-3:45pm Is it possible to find the single nearest neighbor高度的查询？kai -ming ting;高什·沃西（Takashi Washio）； Ye Zhu;杨Xu; Kaifeng Zhang提取问题的实验设计：错误得分和回答长度Amer Farea的影响；弗兰克·艾默特·斯特里布（Frank Emmert-Streib）*解释建模：通过推理其隐性道德判断，对句子的社会基础； MariaMihaelaTruşcǎ； Marie-Francine Moens
基于沸石 - 塑料碳
作者的完整列表：Gabe，atsushi; Tohoku大学，穆罕默德的高级材料多学科研究研究所； Tohoku University，泰勒（Erin）高级材料多学科研究研究所；蒙大拿州立大学Bozeman Uchiyama，Naoki； Atsumitec Co。，Ltd。Stadie，Nicholas；蒙大拿州立大学Bozeman，化学与生物化学系Kanai，Tomomi； Atsumitec Co。，Ltd。Nishina，Yuta；冈马大学，田纳卡跨学科科学的研究核心；辛申大学，郑兹的上材料研究计划； Tohoku Universiy，高级材料研究所，Tohoku University Kyotani，Takashi； Tohoku Universiy，Hirotomo的高级材料多学科研究研究所； Tohoku大学，高级材料多学科研究研究所
扭曲三层石墨烯中轻电子和重电子之间的可调相互作用
Andrew T. Pierce 1 * ‡ # 、Yonglong Xie 1,2,3 * ‡ 、Jeong Min Park 2 *、Zhuozhen Cai 1 、Kenji Watanabe 4 、Takashi Taniguchi 5 、Pablo Jarillo-Herrero 2‡ 、Amir Yacoby 1‡ 1 哈佛大学物理系，美国马萨诸塞州剑桥 02138 2 麻省理工学院物理系，美国马萨诸塞州剑桥 02139 3 莱斯大学物理与天文系，德克萨斯州休斯顿 77005 4 日本国家材料科学研究所电子和光学材料研究中心，日本筑波 305-0044 并木 1-1 5 日本国家材料科学研究所材料纳米结构研究中心，日本筑波 305-0044 并木 1-1 ‡ 通讯作者邮箱：atp66@cornell.edu、yx71@rice.edu、pjarillo@mit.edu、yacoby@g.harvard.edu
ICNS-14 参与者统计
ED1-2 （ 口头 ） 14:45 - 15:00 通过掺杂分布工程提高 p-GaN 栅极 HEMT 的稳健性 Matteo Borga 1 , Niels Posthuma 1 , Anurag Vohra 1 , Benoit Bakeroot 2 , Stefaan Decoutere 1 1 比利时 imec，2 比利时 imec、CMST 和根特大学 ED1-3 （ 口头 ） 15:00 - 15:15 在低 Mg 浓度 p-GaN 上使用退火 Mg 欧姆接触层的横向 p 型 GaN 肖特基势垒二极管 Shun Lu 1 , Manato Deki 2 , Takeru Kumabe 1 , Jia Wang 3,4 , Kazuki Ohnishi 3 , Hirotaka Watanabe 3 , Shugo Nitta 3 , Yoshio Honda 3 , Hiroshi Amano 2,3,4 1 日本名古屋大学工程研究生院、2 日本名古屋大学深科技系列创新中心、3 日本名古屋大学可持续发展材料与系统研究所、4 日本名古屋大学高级研究所 ED1-4（口头） 15:15 - 15:30 高 VTH E 模式 GaN HEMT 具有强大的栅极偏置相关 VTH 稳定性掺镁 p-GaN 工程 吴柯乐 2 , 杨元霞 2 , 李恒毅 2 , 朱刚廷 2 , 周峰 1 , 徐宗伟 1 , 任方芳 1 , 周东 1 , 陈俊敦 1 , 张荣 1 , 窦友正 1 , 海陆 1 1 南京大学, 中国, 2 科能半导体有限公司, 中国 ED1-5 （口头报告） ） 15:30 - 15:45 EID AlGaN/GaN MOS-HEMT 中 Al 2 O 3 栅氧化膜下的电子态分析 Takuma Nanjo 1 , Akira Kiyoi 1 , Takashi Imazawa 1 , Masayuki Furuhashi 1 , Kazuyasu Nishikawa 1 , Takashi Egawa 2 1 Mitsubishi electric Corporation, Japan, 2 Nagoya Inst.日本科技大学
摘要 - :: ISORD-11 ::
• 主席 – 金钟京（汉阳大学） • 秘书 – 申昌浩（汉阳大学 iTRS） • 金灿炯（汉阳大学） • 金圭渊（韩国原子能研究院） • 李熙硕（浦项加速器实验室/浦项科技大学） • 杨华婷（中国辐射防护学会） • 刘森林（中国原子能科学研究院） • 刘立业（中国辐射防护研究所） • 刘群（中国辐射防护研究所） • 邱瑞（清华大学） • 中村隆（东北大学） • 马场守（东北大学） • 石桥健二（九州大学） • 服部隆敏（中央电力工业研究所） • 井口哲夫（名古屋大学） • 山泽弘美（名古屋大学） •高桥弘之（东京大学）