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可控3R诱导症及其...
分层的过渡金属二分法（TMDS），不仅由多种化合物的组合，而且还具有丰富的晶体结构而爆发了许多可能性。探索新材料，确定其结构和特性一直是材料科学中的原始动机。在这里，我们报告了具有三层堆叠序列（3R）的稀有Tase 2的合成和附魔超导性。环境压力化学蒸气沉积（CVD）策略已用于实现纯3R-Tase 2。低温传输数据显示，在3R-Tase 2中，高超导过渡温度（T C）为1.6 K，这显着高于两层堆叠序列（2H，H：HEXAGONAL）相。结果表明，T C对层堆叠顺序相当敏感，并确认3R在Tase 2中的2H上强烈优选超导性。这项工作证明了一个独特的3R相平台研究超导性能的综合，并提供了有关操纵晶体结构的新见解，以访问超高t c。
![arxiv：2502.02105v1 [cond-mat.supr-con] 2025年2月4日](/simg/g:\will\search\icon\source\7\7f5d8ced63d30832dc0fcb06424519b735562321.webp)
arxiv：2502.02105v1 [cond-mat.supr-con] 2025年2月4日
接近效应是一种现象，当一种正常金属靠近超导体的超导特性。接近效应将超导能转移到正常金属或半导体中的能力在超级传导电子和量子技术的各个领域中打开了广泛的潜在应用。在S波超导体 - 拓扑绝缘子（Ti）结构中，接近效应诱导一个状态呈现出无旋转的超导体，并用Majorana零模式[1，2]进行了描述。Majorana模式是非本地的，与环境相互作用弱，因此被认为是在Qubits中使用的有前途的对象。因此，在超导体和拓扑材料（拓扑绝缘子，Weyl semimetal等）的界面上产生的效果近年来吸引了越来越多的关注[3-12]。在研究拓扑结构中的近端效应时，所研究的结构通常是二维ti [7，8]，Weyl semimetal [9，10]或三维拓扑结构的晶须[11，12]的晶须[11，12]，在其超导不导致的效果下，使用了Proximenty效果。触点的紧密排列导致超电流的流动，超导芯（2D TI）或超导表面（3D TI）的形成，其特性是研究的对象。tase 3是自1960年代中期以来已知的准二维过渡金属trichalcogenide [13]。有关Tase 3的超导特性的信息是有争议的。它具有链状结构，具有单斜晶单元，该结构属于非中心对称的正交空间群P2 1 /m [13]，并揭示了金属电导率。一方面，Tase 3的一些晶体在约2.2 K的温度下进入超导状态[14-16]，并带有丝状超导体[17]。另一方面，没有超导性是
Fe Intercalation Fextase2
过渡金属二进制元素与磁元素的插入一直是增加研究兴趣的主题，旨在探索各向异性和自旋轨道耦合的新型磁性材料。在本文中，使用化学蒸气传输方法使用不同的生长条件制备了两个具有不同Fe含量的磁性样品。使用物理性质测量系统（PPM，EverCoolⅱ-9T，量子设计）对材料的磁性特性进行了全面研究。结果揭示了研究材料中的不同特征。fe 0.12 Tase 2表现出显着的铁磁磁性，居里过渡温度为50K。但是，其面内磁性较弱，并且在Curie温度下方没有观察到显着的滞后环。Fe 0.25 Tase 2表现出无滞后循环的反铁磁性，并具有高达130 K的néel温度。此发现与Fe X TAS 2中的嵌入铁完全不同，其中只有抗磁性状态发生，而X抗磁性发生的情况只有X大于0.4。我们的研究因此提供了对该新系统的磁性特性的最新见解，并作为对铁含量不同的Tase2化合物的未来研究的参考。
间质阴离子电子有利于超导性的li ...
具有多种形态和浓度的电气晶石腔的间质阴离子电子（IAES）可以诱导有趣的物理和化学特性。了解IAES与电子 - Phonon耦合之间的相关性对于新电气超导体的发展至关重要。我们已经应用了第一个主要的结构搜索计算来预测新的高压li-as as tase his电气，例如p 6 / mmm li x as（x = 5和8），li 6，与cmc 2 1 and c 2 / c对称性一样结构对称性和受体物种）以探索与IAE相关的超导性。根据我们的结果，这些电气的预测超导温度与IAES的数量和连通性正相关。
Pluri与Bar-Ilan University合作，在以色列创新管理局支持
HAIFA, Israel – October 28, 2024 – Pluri Inc. (Nasdaq:PLUR) (TASE:PLUR) (“Pluri” or the “Company”), a leading biotechnology company that transforms cells into solutions, today announced that the Israel Innovation Authority (“IIA”) will fund Pluri's collaboration with the Bar- Ilan University Research and Development Company Ltd., （“ Birad”），Bar-ilan大学的商业部门，以支持实体瘤的胎盘粘膜相关不变t（“ Mait”）细胞的持续发展。与传统的T细胞相比，已知Mait细胞具有独特的优势，但以前很难扩展和扩展以进行临床研究和潜在的商业化。mait细胞特别适合治疗实体瘤，这是一种巨大的未满足医疗需求。
Tower Semiconductor 与 Anello Photonics 宣布建立战略合作伙伴关系，共同开发新型硅光波导工艺技术
关于 Tower Semiconductor Tower Semiconductor Ltd. (NASDAQ: TSEM, TASE: TSEM) 是领先的高价值模拟半导体解决方案代工厂，为消费、工业、汽车、移动、基础设施、医疗、航空航天和国防等不断增长的市场提供集成电路 (IC) 技术和制造平台。Tower Semiconductor 致力于通过长期合作伙伴关系及其先进创新的模拟技术产品对世界产生积极和可持续的影响，包括广泛的可定制工艺平台，如 SiGe、BiCMOS、混合信号 CMOS、RF CMOS、CMOS 图像传感器、非成像传感器、集成电源管理（BCD 和 700V）和 MEMS。Tower Semiconductor 还为 IDM 和无晶圆厂公司提供世界一流的设计支持，以实现快速准确的设计周期以及包括开发、转移和优化在内的工艺转移服务。为了向客户提供多晶圆厂采购和扩展产能，Tower Semiconductor 在以色列设有两家制造工厂（150 毫米和 200 毫米），在意大利设有一家制造工厂（300 毫米），
T4噬菌体Y基因分裂产物是一种加工蛋白
T4 sun Y 基因是已鉴定出的含有自剪接 I 组内含子的 4 个噬菌体基因之一（7、12、30、32）。4 个含内含子的噬菌体基因中，3 个的功能是已知的。噬菌体 T4 的 td 基因（编码胸苷酸合酶）和 nrdB 基因（编码核糖核苷二磷酸还原酶的小亚基）均参与 DNA 前体的合成，噬菌体 SPOI 中鉴定出的内含子位于编码 DNA 聚合酶的基因 31 中。然而，sun Y 基因的功能尚不清楚。据我们所知，sun Y 基因并非必需基因，因为干扰噬菌体发育的突变尚未定位到该基因座上。作为表征 sun Y 基因功能的第一步，我们鉴定了 sun Y 蛋白并确定了其合成的时间进程。虽然我们尚未确定太阳 Y 基因的功能，但我们做出了一个奇怪的观察：它的表达涉及蛋白质以及 RNA 基因产物 (gp) 的处理。
上诉案件：22-1130文档：010110905035日期...
立即，Delcore军官试图从原告的后袋中抢走手机。ECF No. 68-14（Eckert BWC）在0:24。 原告跳回去说：“对不起，你不会从我的口袋里抓住任何东西。” ID。 官员Delcore对威胁做出了回应：“您将真正努力地打击地面。” ID。 在0:29。 官员埃克特（Eckert）干预了他们在走廊上讨论。 id。 在0:32。 原告拒绝了，坚持认为他不会离开女儿的身边。 原告和埃克特官员进行了简短的来回，埃克特官员主张根据“调查”采用手机的权利，并冷静但坚定地不同意原告。 Delcore军官现在站在一边，在他掏出泰瑟枪时将这种交换缩短了，使原告问：“您要去我，因为我不会给您我妻子的手机吗？” ID。 在0:48。ECF No.68-14（Eckert BWC）在0:24。 原告跳回去说：“对不起，你不会从我的口袋里抓住任何东西。” ID。 官员Delcore对威胁做出了回应：“您将真正努力地打击地面。” ID。 在0:29。 官员埃克特（Eckert）干预了他们在走廊上讨论。 id。 在0:32。 原告拒绝了，坚持认为他不会离开女儿的身边。 原告和埃克特官员进行了简短的来回，埃克特官员主张根据“调查”采用手机的权利，并冷静但坚定地不同意原告。 Delcore军官现在站在一边，在他掏出泰瑟枪时将这种交换缩短了，使原告问：“您要去我，因为我不会给您我妻子的手机吗？” ID。 在0:48。68-14（Eckert BWC）在0:24。原告跳回去说：“对不起，你不会从我的口袋里抓住任何东西。” ID。官员Delcore对威胁做出了回应：“您将真正努力地打击地面。” ID。在0:29。官员埃克特（Eckert）干预了他们在走廊上讨论。id。在0:32。原告拒绝了，坚持认为他不会离开女儿的身边。原告和埃克特官员进行了简短的来回，埃克特官员主张根据“调查”采用手机的权利，并冷静但坚定地不同意原告。Delcore军官现在站在一边，在他掏出泰瑟枪时将这种交换缩短了，使原告问：“您要去我，因为我不会给您我妻子的手机吗？” ID。在0:48。
塔半导体释放300mm 65nm 3.3V基于BCD电源管理平台
塔半导体有限公司（NASDAQ/TASE：TSEM）是高价值模拟半导体解决方案的领先铸造厂，为消费者，工业，自动化，移动，移动，基础架构，医疗，医疗和空间和诸如消费者，工业，自动化，自动化，自动化，自动化，自动化，自动化，自动化，自动化，自动化，开发和Proce SS平台。Tower Semiconductor focuses on creating a positive and sustainable impact on the world through long-term partnerships and its advanced and innovative analog technology offering, comprised of a broad range of customizable process platforms such as SiGe, BiCMOS, mixed- signal/CMOS, RF CMOS, CMOS image sensor, non-imaging sensors, displays, integrated power management (BCD and 700V), photonics, and mems。Tower半导体还为IDM和Fabless公司提供了快速准确的设计周期以及包括开发，转移和优化在内的流程转移服务，包括开发，转移和优化，以提供世界一流的设计支持。为了为客户提供多枪的采购和延长的容量，塔半导体在以色列拥有两家设施（150mm和200mm），两家在美国（200mm），在日本（200mm）（200mm和300mm）拥有，它通过其在TPSCO中的51％持有量拥有51％的股份，可及时与Agrate一起使用，以及一定型号，以及一定的ITMM，以及一家人，以及一家300毫米，以及一家300毫米，以及一家300毫米，以及一家人，以及一家人，以及一家300毫米的股票墨西哥工厂。有关更多信息，请访问：www.towersemi.com。
运行评估报告 CE-525、525A、525B...
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