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结合刺激与双模电荷平衡和时域流水线记录的 CMOS BD-BCI
基于皮层脑电图 (ECoG) 的双向脑机接口 (BD-BCI) 引起了越来越多的关注，因为：(1) 需要同时进行刺激和记录以恢复人类的感觉运动功能 [1] 和 (2) 良好的空间分辨率和信号保真度以及临床实用性。在刺激方面，这种 BD-BCI 可能需要 >10mA 的双相电流来引发人工感觉，以及 >20V 的电压顺应性以适应各种生物阻抗 [1]。两个刺激相之间的电荷不匹配会导致电压积累，从而造成电极腐蚀和组织损伤。现有的电荷平衡 (CB) 技术，例如电荷包注入 (CPI) [2] 和基于时间的电荷平衡 (TCB) [1]，会在脉冲间隔内产生 CB 电流，导致不必要的二次感觉和过度的刺激伪影 (SA)。对于记录，低输入参考噪声 (IRN) 是获取小神经信号 (NS) 所必需的，而大动态范围 (DR) 则是容纳大 SA 所必需的。现有的记录系统采用 SAR [1] 或连续时间 delta-sigma (CT-ΔΣ) [3] ADC（图 4）。前者由于 DAC 不匹配而具有有限的 DR，而后者则受到环路延迟内大幅度尖锐 SA 引起的失真的影响。尽管在 [4] 中，ΔΣ-ADC 的采样频率会自适应地变化以适应 SA，但所需的稳定时间很长。为了解决上述问题，本文提出了一种基于 ECoG 的 BD-BCI，其中包括：(1) 具有双模基于时间的电荷平衡 (DTCB) 的高压 (HV) 刺激系统和 (2) 高动态范围 (HDR) 时域流水线神经采集 (TPNA) 系统。图 1 描绘了所提出的 BD-BCI。刺激系统包括 4 个刺激器，每个刺激器包括一个 8 位分段电流控制 DAC 和一个 HV 输出驱动器，用于生成刺激脉冲。为了执行 CB，每个刺激器都采用具有 2 种模式的 DTCB 环路，即无伪影 (AL) TCB 和脉冲间有界 (IB) TCB 模式。3 阶 II 型 PLL 为基于时间的量化创建所需的时钟。记录系统有 4 个通道，每个通道都采用低增益模拟前端 (LG-AFE)、HDR 电压时间转换器 (VTC)、两步流水线 (TSP) TDC 和一个数字核心，其中操作模式由状态机控制。受 [1] 的启发，所提出的 DTCB 的工作原理如图 2 所示。AL-TCB 监测电极电压 V ESn -V CM （1≤n≤N；此处，N=4）并调整后续刺激脉冲的幅度而不产生额外的 SA，而当 |V ESn -V CM | 过大而需要立即去除电荷时，IB-TCB 在下一个刺激脉冲之前完成 CB。在第一个 T CC 开始时，如果 |V ESn - V CM |≤V TH,AL （V TH,AL 是标志着需要立即去除电荷的过电位阈值），则 AL-TCB 导通，并且 V ESn - V CM 在第一个 T CC 周期内由 VTC 和 TDC 数字化。然后将数字数据 D TDCn 馈送到通道间干扰消除 (ICIC) 模块，该模块可补偿由于多极刺激导致的通道间干扰 (ICI) 引入的电压误差。接下来，数字直流增益增强器 (DDGB) 有助于提高 CB 精度，而不会降低 AL-TCB 环路稳定性。为了执行 CB，AL-TCB 的电流（例如，I AL-Cn ）（其大小由 DDGB 输出 D ALn 控制）被添加到后续刺激电流中以调整其大小。相反，仅当 |V ESn -V CM |>V TH,AL 时，IB-TCB 才会开启并在一个 T IP 内的几个 T CC 中执行 CB，直到 |V ESn - V CM |
2.5D/3D 封装和异构集成的技术趋势 Masaya Kawano 新加坡 A*STAR 微电子研究所，kawanom@ime.a-st
除了使用有机基板封装外，为了克服尺寸限制，人们还提出了新的封装技术并将其应用于半导体产品。晶圆级封装 (WLP) 和扇出型晶圆级封装 (FOWLP) 的开发是为了通过采用晶圆工艺而不是基于层压的工艺来进一步缩小封装尺寸。对于亚微米互连，还提出了通过 Si 中介层 (TSI) 进行互连，并用于高密度 2.5D/3D 封装，其中 Cu BEOL 互连可用作再分布层 (RDL)。热压键合 (TCB) 目前用于 2.5D/3D 组装，然而，混合键合将是进一步缩小芯片连接尺寸的关键推动因素，这将在后面讨论。英飞凌于 2006 年提出了一种称为嵌入式晶圆级球栅阵列 (eWLB) 的 FOWLP [1]，该技术于 2009 年转让给 STATS ChipPAC 进行批量生产。台积电开发了另一种类型的 FOWLP，称为
倒装芯片芯片到晶圆键合回顾
在本文中，我们考虑了对于 D2W 键合，封装集成商可以使用几种键合技术，从焊球到底部填充 TCB 和混合键合。讨论了各种特定的应用差距和技术载体，以强调 HVM 的采用目前还不是交钥匙工程，而与一直占主导地位的成熟引线键合相比，该技术似乎非常年轻。由于特定外形封装尺寸或设备应用对性能的要求很高，代工封装公司或使用内部封装工艺的大型半导体制造商，因此采用年轻的技术需要仔细规划，以解决潜在的差距和障碍，以实现具有成本效益、高产量和可扩展的技术。I/O 密度将受到关键因素的限制，例如键合对准精度、焊盘或凸块尺寸和金属界面、晶圆或载体晶圆形状/翘曲、如果采用了 CMP 技术，界面均匀性、退火和 DT 限制、底部填充特性、凸块金属选择、应力诱导裂纹形成；必须谨慎处理此处未考虑的其他差距和风险，以确保
将含能材料化学转化为更高价值...
15 年来，美国一直没有生产 TATB。TATB 以前采用 Benziger 开发的合成方法生产（图 5）19), 20）。相对昂贵且国内无法获得的 1,3,5-三氯苯 (TCB) 经硝化得到 2,4,6-三氯-1,3,5-三硝基苯 (TCTNB)，然后将其胺化得到 TATB。这两个反应都需要高温（150 o C）。该过程中遇到的主要杂质是氯化铵。在胺化步骤中加入 2.5% 的水会显著降低 TATB 中的氯化铵含量。还发现了低水平的氯化有机杂质。这些杂质包括 2,4,6-三氯-1,3,5-三硝基苯 (TCTNB)、1,3-二硝基-2,4,5,6-四氯苯、1,3-二硝基-2,4,6-三氯苯及其部分胺化产物 21)。值得注意的是，与其他高爆炸药 (RDX、HMX、TNT、HNS) 不同，TATB 不能使用常规技术纯化。TATB 的溶解度和挥发性极低，无法在大规模生产中使用重结晶和升华工艺。超过氯化铵和/或其他杂质允许限度的 TATB 生产批次必须丢弃。这显然在经济和环境方面都是不可取的。
Microsoft Word - MPI_Position_statement_AI_Inventor_2021-08-09.docx
3 Thaler 诉美国专利、设计和商标总署 [2020] EWHC 2412 (Pat) (2020 年 9 月 21 日)。4 Stephen Thaler 诉 Andrew Hirshfeld，履行美国专利商标局知识产权和局长办公室副秘书的职能和职责，等，编号 1:20-cv-903 (LMB/TCB)，2021 WL 3934803 (ED Va. 2021 年 9 月 2 日)。5 上诉编号 J0009/20。6 “DABUS”代表“用于统一感知的自主引导的设备”。有关解释，请参阅“DABUS 描述”访问日期：2021 年 8 月 24 日。7 申请号 2021/03242。请参阅专利、商标、外观设计和版权局，专利公报，包括电影胶片中的商标、外观设计和版权 54(7) (2021 年 7 月 28 日) 255（2021 年 8 月 24 日访问）。8（2021 年 8 月 24 日访问）。9（2021 年 9 月 6 日访问）。10 Ryan Abbott，《人工智能发明家计划》6 WIPO 杂志（2019 年）（2021 年 8 月 24 日访问）。
国际民用航空组织
会议开幕 1.理事会主席再次感谢过去三年在理事会任职、现已离任担任其他职务的代表。此外，他还向以下新任理事会成员表示祝贺：Amine Debaghine Mesroua 先生（阿尔及利亚）；Sam Lucas 先生（澳大利亚）；Mitzi Gurgel Valente da Costa 女士（巴西）；Carlos Alberto B.C.L. 先生Monteiro 先生（佛得角）；Alberto Muñoz Gómez 先生（哥伦比亚）；Raoul Maixent Ondzotto 先生（刚果）；Mirta Marina Crespo Frasquieri 女士（古巴）；Iván Arellano 先生（厄瓜多尔）；Annemarie Smith Floch 女士（爱尔兰）； Germinal Sarasqueta Oller 先生（巴拿马）；Heléne Jansson Saxe 女士（瑞典）；Ali Riza Ҫolak 先生（土耳其）；Martín Vidal 先生（乌拉圭）。2.技术合作局（D/TCB）局长代表秘书长和整个秘书处热烈欢迎新任命的理事会成员。他向所有理事会成员保证，他们将致力于与他们共同努力，实现本组织在下一个三年期内的所有各种计划和活动。3.加拿大代表还代表东道国特别欢迎新任命的理事会成员，并表示加拿大代表团将为他们提供服务，以协助解决他们在蒙特利尔定居或随后可能出现的任何问题。
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