军队将军说,国防部长的代表Chanegriha昨天在ANP总参谋部总部总部收到了国防部总部的总部,美国非洲司令部(US-AFRICOM)司令官迈克尔·兰格利(Michael Lan-Gley)表示,美国国防部的一份声明。接待仪式是由国旗的救赎开始的,随后是军事荣誉,由ANP的各种力量形成给了Armee Michael Langley。在这次会议上参加了国防部秘书长,部队指挥官,部门负责人,国防部的中央董事和ANP的主要主任以及美国代表团的成员以及两个政党的成员,“检查了双边武器合作的国家,并交换了同一点。随后,陆军将军发表讲话,他欢迎他“欢迎对非洲的指挥官和伴随他的代表团,以及在美国第47任总统安装后向美国人民朋友表示祝贺”。“首先,欢迎您来到阿尔及利亚并抓住这个机会表达我的梅尔 -
• The HLA must be tested on the blood • Tebentafusp-Tebn is administered under prolonged observation, generally for the first 3 doses • premedication can be taken into consideration during the initial doses, but often it is not necessary subsequently • Most of the side effects occurs during the initial doses and it is not probable that it leads to the suspension • CRS manifests itself in most patients;发烧通常是第一个信号•皮肤毒性(例如皮疹)在初始剂量中也更为常见,并且通常会随着时间的流逝而改善•由于低血压的风险,请考虑纠正>的皮质类固醇剂量的可能性。
•TEBENPAFUSP被以15-20分钟的静脉输注•不需要对第一剂量的讲道,但机构实践的差异各不相同。可能的药物示例是扑热息痛500 mg P.O.(最常见的),单独的Ondansetron 8 mg P.O.,二苯羟基胺25 mg P.O.和Famotidin 20 mg使用•每周进行TEBENPAFUSP,直到疾病进行(除非有其他临床益处)或直到发生不可接受的毒性发生•大多数患者可以在前三剂剂量进行连续维持后切换到门诊。第三剂量后,没有低血压,剂量否则可以很好地耐受。尽管这是不寻常的,但某些患者可能需要住院以进行第四剂或第五剂量
阿尔及利亚 Echahid Cheikh Larbi Tebessi 大学 (1)、阿尔及利亚 Mostefa Ben Boulaid-Batna 第二大学 (2)、法国艾克斯马赛大学 (3) doi:10.15199/48.2024.04.31 使用拉曼光谱和遗传算法优化退火后的 SiGe DPSi 异质结构,以增强材料特性和性能 摘要:在我们之前的调查中,我们通过拉曼光谱深入研究了双多孔硅 (DPSi) 上 SiGe 合金的复杂性,揭示了拉曼峰移、应力和多孔材料中 SiGe 合金中 Ge 浓度之间以前未知的联系。这项研究的突出特点在于其独特的方法——使用遗传算法比较结果。该方法对数据进行了全面的分析,增强了我们对其中复杂关系的理解。通过频率法验证,我们的结果为 DPSi 上的外延生长提供了宝贵的见解,为拉曼光谱、应力和合金成分之间错综复杂的相互作用提供了细致入微的视角。这些发现不仅有助于加深对 SiGe 合金的理解,还为 DPSi Streszczenie 等创新基板上的外延生长领域的进一步发展铺平了道路。 W naszym poprzednim badaniu zagłębiliśmy się w zawiłości stopów SiGe na podwójnie porowatym krzemie (DPSi) za pomocą spektroskopii Ramana, odkrywając nieznane wcześniej powiązania między拉玛纳 (Ramana) 和拉玛纳 (Ramana) 的产品均采用了 SiGe 和材料。 Cechą tego badania 开玩笑 odrębność podejścia — porównanie wyników z wykorzystaniem algorytmugenetycznego。方法是通过分析仪器来分析、分析和分析。 Nasze wyniki、potwierdzone methodą częstotliwości、dostarczają cennych informacji na temat wzrostu epitaksjalnego na DPSi、prezentując zniuansowaną perspektywę na skomplikowane wzajemne oddziaływanie między spektroskopią Ramana, naprężeniem i składem stopu。 Odkrycia te nie tylko przyczyniają się do lepszego zrozumienia stopów SiGe, ale także torują drogę do dalszych postępów w dziedzinie wzrostu epitaksjalnego na innowacyjnych podłożach, takich jak DPSi ( Optymalizacja 异质结构 DPSi wyżarzonych SiGe przy użyciu spektroskopii Ramana 和 algorytmu Genetycznego w celu uzyskania lepszej charakterystyki i wydajności materiałów ) 关键词:双多孔硅、拉曼光谱、遗传算法。关键词:多孔硅、光谱仪、算法。1. 简介 最近的技术进步凸显了减小器件尺寸和提高性能的重要性。因此,越来越需要控制结构中的应力并了解其来源。一种新兴且有前景的策略是采用柔性衬底,其中多孔硅 (PSi) 因其公认的灵活性而脱颖而出 [1, 5]。PSi 的柔韧性和柔韧性使其能够熟练地吸收 SiGe 异质外延膜引起的应力变化,这主要归功于其较高的孔密度。它与硅基微电子学的完美契合和高成本效益为将各种超轴系统(如 III-V 或 SiGe)整合到硅衬底上开辟了新的机会 [6, 7]。最近,双多孔硅 (DPSi) 已成为柔性衬底竞争中的突出候选者,特别是用于在 Si 上的异质系统(如 III-V 和 SiGe)的外延生长 [8]。双多孔硅 (DPSi) 结构由具有密封孔的超薄、原子级平坦上层和厚的、高度多孔的下层组成。然而,在该 DPSi 层上实现 SiGe 和 Ge 的低温外延的努力导致了不均匀外延层的形成,其特征是存在扩展缺陷。[9, 10]。然而,对 DPSi 层进行热处理会引起显著的形态变化,将小孔转变为大孔,同时产生拉伸应变,正如我们之前的研究 [1] 所记录的那样。这种伪衬底具有两个显着的特性:它具有高度的柔韧性和可承受拉伸应变,这为使用退火 DPSi 在 Si 上有效集成异质系统开辟了可能性。本研究深入探索退火 DPSi 作为应力模板层,通过分子束外延沉积高质量单晶 SiGe 层它具有高度的柔韧性,能够承受拉伸应变,这为使用退火 DPSi 在 Si 上有效集成异质系统提供了可能性。本研究深入探索了退火 DPSi 作为应力源模板层,通过分子束外延沉积高质量单晶 SiGe 层它具有高度的柔韧性,能够承受拉伸应变,这为使用退火 DPSi 在 Si 上有效集成异质系统提供了可能性。本研究深入探索了退火 DPSi 作为应力源模板层,通过分子束外延沉积高质量单晶 SiGe 层
与 CM 不同,检查点免疫疗法 (CPI) 对转移性 UM (mUM) 的疗效中等,反应率不到 20%,中位总生存期 (OS) 率长达 19 个月。8、9 由于这些肿瘤中不存在 BRAF 突变,因此尚无批准的 UM 靶向疗法。10 几项测试 MEK 抑制剂司美替尼单独或与化疗联合使用活性的试验均未显示在 mUM 中有任何显着益处。11–13 尽管 GNAQ 和 GNA11 突变在 UM 中患病率很高,但尚无针对这些突变的获批治疗方法。2022 年 1 月,tebentafusp 是一种双特异性抗体,可与黑色素瘤细胞上的糖蛋白 100 (gp100) 结合 T 细胞,获得美国食品药品监督管理局 (FDA) 批准用于治疗 HLA-A*02:01 阳性的不可切除或转移性 UM (mUM)。 14 2022 年 4 月,欧洲药品管理局 (EMA) 批准 tebentafusp 用于相同适应症。Tebentafusp 是首个获得 FDA 批准用于癌症治疗的基于 T 细胞受体 (TCR) 的治疗药物,也是首个获得 FDA 批准用于治疗 mUM 的药物。在本综述中,我们总结了评估 tebentafusp 在不可切除或 mUM 患者中的疗效和安全性的临床数据(表 1)。此外,我们还讨论了患者选择标准以及相关的限制和挑战。