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宽带Terahertz设备和通信技术的特刊编辑
无线设备和带宽的互联网应用程序的显着爆炸已通过超高数据速率提高了对无线通信的需求。无线交通量可以在2030年到2030年匹配甚至超过有线服务，并且需要保证高精度的无线服务，而峰值数据速率超过100 GBIT/s，最终达到1 TBIT/s。为了满足指数增长的流通需求，正在探索无线电频谱中的新区域。Terahertz乐队夹在微波频率和光学频率之间，由于其丰富的频谱资源而彻底改变了通信技术的下一个突破点。它被认为是未来利率刺激应用的有前途的候选人，例如6G通信。在2019年世界广播传播会议（WRC-19）上，宣布允许在275 GHz – 450 GHz频率范围内识别用于土地移动和固定的服务应用，这表明潜在的标准化了Terahertz Band的低频窗口的潜在标准化，以实现近距离通信的无效通信。是出于Terahertz无线通信的潜力的动机，该特刊报告了有关宽带Terahertz设备和通信的最新技术突破，以及其他频带的新技术，这些技术也可以激发Terahertz研究。我们认为，这些作品还可以激励对Terahertz通信设备和6G通信和其他典型应用程序方案的研究。Yang等。Yang等。五项研究[1-5]介绍了Terahertz通信的关键设备，包括Terahertz可调智能表面[1]，Terahertz Micro-机电系统（MEMS）开关[2]，共振三重频段Terahertz Terahertz热检测器[3] [5]，可以有效地支持宽带Terahertz系统。fur-hoverore，我们还针对该特刊的低频频段选择了三项有趣的研究[6-8]，包括设计5G多输入多输出（MIMO）天线[6，7]和差分低噪声放大器[8]。随着宽带Terahertz设备的进步以及新型的数字信号处理程序的设计，可以实现高速Terahertz通信。在本期特刊中，分析并证明了三个Terahertz通信系统[9-11]，包括144 Gbps光子学Terahertz Terahertz通信系统在500 GHz [9] [9]，W频段通信和感应收敛系统[10]，以及与Secure Terahertz与Perfect Terahertz Commentionation（Pefterial Terahertz）和多个多元cecters（Pecters）和多个多元cecters（Pefters）的分析。为了克服Terahertz通讯链接的高损失和视线连通性挑战，可重新配置的智能表面（RISS）得到了广泛的分析。但是，由于截止频率限制和Terahertz频率较高的损失，用于5G RI的活动元素通常是不切实际的，对于将来的6G通信而言。[1]对在Ter-Ahertz乐队中运行的可侦查可及可及的元时间进行了全面审查，并有可能协助基于
基于Terahertz光谱的纤维素纸中DP的定量测量
摘要：功率变压器对于最常见的电网的可靠性至关重要，该电网最常见于牛皮纸隔热并浸入矿物油中，其中纸张的老化状态主要与变压器的运行寿命相关。聚合度（DP）是评估绝缘纸的老化状况的直接参数，但是现有的DP测量通过粘度方法具有破坏性和复杂性。在本文中，引入了Terahertz时域的表格（THZ-TDS），以达到对绝缘纸DP的快速，无损的检测。绝缘纸的吸收光谱表明，在1.8和2.23 THz处的特征峰区都表现出与DP的对数线性定量关系，并且通过对不同类型的绝缘纸进行上述关系来确认它们的普遍性。傅立叶变换红外光谱（FTIR）分析和分子动力学建模进一步表明，1.8和2.23 THz分别与水 - 纤维素氢键强度和无定形纤维素的生长有利相关。本文证明了将THZ-TDS应用于绝缘纸中DP的无损检测并分配了特征吸收峰的振动模式的生存能力。
氮化硅上的 UTC 光电二极管可实现 300 GHz 的 100 Gbit/s 太赫兹链路
简介：下一代无线网络将依靠更小的蜂窝和更大的带宽来增加容量。通过保持无线电头硬件简单，光纤无线电技术可以实现这种密集的基站网络。利用硅光子技术实现基站硬件的小型化，可以降低尺寸和成本。对于微波光子应用，氮化硅 (SiN) 平台提供损耗极低的波导和一些最好的集成滤波器。然而，随着转向更高的载波频率，在毫米波和太赫兹频段，对光电二极管带宽的要求也会增加。当前的 SiN 平台缺少这种光电二极管，因此阻碍了高频微波光子应用。[1] 我们展示了一种 300 GHz 的通信链路，该链路由 SiN 上的异构集成单行载波 (UTC) 光电二极管作为发射器中的光电换能器实现。
铁磁体堆栈和过渡金属二硫族化合物 NbSe2 中的太赫兹自旋到电荷电流转换
过渡金属二硫属化物 [1] (TMDC) 是一类具有 C-TM-C 堆积结构的新兴材料，其中 C 和 TM 分别表示硫属原子（例如 Se 或 S）和过渡金属原子（例如 Nb、W 或 Mo）。在过去十年中，TMDC 单层由于其独特的电子和光学特性而引起了广泛关注 [2–12]。此类准二维材料的六方晶体结构意味着其电子能带结构中存在不等价的 K 谷，从而产生了谷自由度和基于谷的电子功能（谷电子学）。[13] TM 原子提供大的自旋轨道耦合 (SOC)，[14] 从而导致其他独特特性，例如自旋谷锁定、[15]
铁磁体堆栈和过渡金属二硫族化物 NbSe 2中的太赫兹自旋到电荷电流转换
过渡金属二硫属化物 [1] (TMDC) 是一类具有 C-TM-C 堆积结构的新兴材料，其中 C 和 TM 分别表示硫属原子（例如 Se 或 S）和过渡金属原子（例如 Nb、W 或 Mo）。在过去十年中，TMDC 单层由于其独特的电子和光学特性而引起了广泛关注 [2–12]。此类准二维材料的六方晶体结构意味着其电子能带结构中存在不等价的 K 谷，从而产生了谷自由度和基于谷的电子功能（谷电子学）。[13] TM 原子提供大的自旋轨道耦合 (SOC)，[14] 从而导致其他独特特性，例如自旋谷锁定、[15]
铁磁体堆栈和过渡金属二硫族化合物 NbSe2 中的太赫兹自旋到电荷电流转换
过渡金属二硫属化物 [1] (TMDC) 是一类具有 C-TM-C 堆积结构的新兴材料，其中 C 和 TM 分别表示硫属原子（例如 Se 或 S）和过渡金属原子（例如 Nb、W 或 Mo）。在过去十年中，TMDC 单层由于其独特的电子和光学特性而引起了广泛关注 [2–12]。此类准二维材料的六方晶体结构意味着其电子能带结构中存在不等价的 K 谷，从而产生了谷自由度和基于谷的电子功能（谷电子学）。[13] TM 原子提供大的自旋轨道耦合 (SOC)，[14] 从而导致其他独特特性，例如自旋谷锁定、[15]
铁磁体堆栈和过渡金属二硫族化合物 NbSe2 中的太赫兹自旋到电荷电流转换
过渡金属二硫属化物 [1] (TMDC) 是一类具有 C-TM-C 堆积结构的新兴材料，其中 C 和 TM 分别表示硫属原子（例如 Se 或 S）和过渡金属原子（例如 Nb、W 或 Mo）。在过去十年中，TMDC 单层由于其独特的电子和光学特性而引起了广泛关注 [2–12]。此类准二维材料的六方晶体结构意味着其电子能带结构中存在不等价的 K 谷，从而产生了谷自由度和基于谷的电子功能（谷电子学）。[13] TM 原子提供大的自旋轨道耦合 (SOC)，[14] 从而导致其他独特特性，例如自旋谷锁定、[15]
Terahertz拓扑光子综合电路，用于6G及以后：A Perspective
Terahertz综合电路的发展对于实现第六代（6G）无线通信，高速芯片互连，高分辨率成像，芯片生物传感器和指纹化学检测至关重要。尽管如此，现有的Terahertz片上设备会遭受反射，并在急转弯或缺陷处散射损失。最近发现了光的拓扑阶段，具有非凡的特性，例如对杂质或缺陷的无反射传播和稳健性，这对于Terahertz集成设备至关重要。利用拓扑边缘状态的鲁棒性与低损坏的硅平台相结合，有望为Terahertz设备提供出色的性能，从而在Terahertz集成电路和高速互连的领域提供了突破。从这个角度来看，我们介绍了由光子拓扑设备启用的各种Terahertz功能设备的简要展望，该功能设备将为增强互补金属氧化金属氧化物半导体兼容Terahertz技术的道路铺平道路，这对于加速了6G通信和无效的bior and ubiquility clior and clior clior and clior clior and clior and clior and clior and clior and clior and clior and clior and clior and clior and clior and clior and clior and clior and clior and clior and clior。
适用于红外和太赫兹应用的超透明金属电介质
这些行为并非直接源自其组成材料，而是源自其亚波长结构[1,2]，以及最近的主动控制[3]。在光学领域，超材料在电磁学和光子学中提供了突破性的应用[4-6]，例如以亚波长分辨率聚焦和成像[7]和负折射[8]，因此在过去的几十年里引起了人们的极大兴趣。这些亚波长结构能够直接调整光的性质，包括振幅、相位和偏振。由于其支持表面等离子体极化子的能力[9]，银和金等贵金属一直是可见光超材料构造块的传统材料选择，而等离子体太赫兹 (THz) 纳米天线通常基于重掺杂的半导体。 [10] 然而，这些超材料通常依赖于其组成块的谐振行为，并且在光频率下存在高电阻损耗，这限制了此类超材料和相关设备的功能在尖锐的频带范围内。更一般地说，基于谐振行为的超材料仅在
在 (001) GaAs 衬底上生长 Bi2Se3 用于太赫兹...
Yongchen Liu 1 , Wilder Acuna 1 , Huairuo Zhang 2,3 , Dai Q. Ho 1 , Ruiqi Hu 1 , Zhengtianye Wang 1 , Anderson Janotti 1 , Garnett Bryant 4 , Albert V. Davydov 2 , Joshua M. O. Zide 1 , and Stephanie Law 1*