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针对短期子THZ无线链接的Los Mimo的研究
Carrier Frequency 240 GHz Distance 1 m Bandwidth 5 GHz 15 GHz 25 GHz 35 GHz Transmit Power 5 dBm TX/RX Antenna Gain 7 dBi TX/RX Lens Gain 14 dB Path Loss -80 dB Implementation Loss -8 dB Received Level -41 dBm Thermal Noise -77 dBm -72.2 dBm -70 dBm -68.5 dBm Noise Figure 15 dB RX SNR 21 DB 16.2 DB 14 DB 12.5 DB调制64-QAM 16-QAM 16-QAM 8-PSK SNR @ ber
有效的有机Terahertz发电机，具有极宽的Terahertz分子振动模式范围
对于非线性光学材料作为有效的宽带Terahertz（THZ）波发电机，在THZ频率范围内具有较大透明度的低吸收器非常重要。在这项研究中，我们报告了有效的有机THZ波发电机，2-（4-羟基霉菌 - 霉菌）-1-甲基喹啉4-溴苯磺酸盐（OHQ-BBS）单晶。有趣的是，OHQ-BBS晶体在THZ频率区域的无分子振动模式范围从1.7到5.1 THz，吸收系数<20 mm-1。通过光学整流使用1300 nm波长的130 FS泵脉冲，OHQ-BBS晶体在1.2-5.5 THz的范围内生成极宽，无凹坑的THZ波。此外，还达到了从广泛使用的Znte无机晶体产生的场高20倍的THZ电场。因此，OHQ-BBS单晶是多个THZ光子应用的高度有希望的材料。
超短terahertz电磁脉冲的自旋来源
Terahertz（THz）辐射覆盖了约0.1至30 THz的范围。它在基础研究和未来应用中拥有巨大的希望，1,2，因为THZ频率范围与物质的所有阶段，即等离子体，气体，液体和固体相吻合。3，例如，THZ辐射可以共同引起传导 - 电子传输，等离子体，激子，库珀对，Phonons或镁元。4因此，THZ光谱是研究广泛材料中基本过程的强大工具。thz辐射不仅是一种探针：高振幅THZ来源的发展可以控制物质5-7的集体激发，例如8-11的磁铁中的磁子或驾驶phonons。目前，THZ电场在台式系统中达到1 mV/cm的峰值强度，并且在大规模用户设施（例如自由电子激光器）中超过10 mV/cm。17在激发脉冲激发时，最近观察到了物质的不同阶段（例如，拓扑，磁性和结构）之间的超快切换。8,18–25 THZ激发也可以与其他良好的实验探针（例如角度分辨光发射光谱，26个扫描隧道显微镜，27-29或X射线衍射）结合使用。30,31将THZ光谱与如此强大的
算法交易及其对金融部门和市场的影响：AI驱动策略的案例研究Terahertz天线的创新和进度-IJRPR
Terahertz（THz）频率范围从0.1到10 THz，位于微波和红外频率之间，提供了安全性，宽带能力和低能消耗等独特性能[1,2]。尽管成分进步的挑战引起的最初忽视，但THZ频率现在因其在通信系统，光谱，生物医学成像和军事应用等领域的广泛效用而越来越受到认可[3,4]。THZ波的能力渗透到各种材料以及其高时间分辨率的能力中，它们对于在高速无线通信系统中的应用中非常有价值。新方法有效地利用了THZ频率，从而巩固了现有的限制并为成像，通信和其他地区的开创性应用开辟了可能性。Terahertz（THZ）技术的重要性源于其无与伦比的属性，在多种应用中起着关键作用。在电磁波的范围内，THZ系统呈现出宽敞的带宽，可促进高更频谱分析和成像[5]。thz成像系统在医学领域有效，特别是用于研究脑组织和识别神经退行性疾病和脑肿瘤等疾病的神经诊断技术[6,7]。此外，THZ技术在药物环境中至关重要，从而使分子光谱能够用于分子的诊断和成像[8]。除了医疗保健领域外，THZ技术被证明在半导体生产和汽车组装等工业环境中有用，证明了其在各个行业的多功能性和影响力。
IEEE AWPL 2025上的特殊群集在“ Terahertz天线6G及以后：创新设计，制造和高级”IEEE AWPL 2025上的特殊群集在“ Terahertz天线6G及以后：创新设计，制造和高级
应用程序从3G，4G到5G通信，天线的工作频带逐渐从微波炉增加到毫米波，预计将来将在6G及以后到达Terahertz（THZ），以获得更多的频道容量。虽然服务5G通信的毫米波天线的研究和产品制造过程越来越成熟，但未来6G及以后使用的THZ天线的研究正在缓慢发展。THZ天线的设计，制造和测量面临重大挑战。在下部微波炉和毫米波带中使用的传统制造技术，例如印刷电路板（PCB）技术和金属铣削技术，不能应用于微米大小的THZ天线。相反，新兴的微纳米制造技术，包括3D打印，半导体光刻，微纳米烙印和深硅蚀刻技术，将用于THZ天线。此外，THZ带中底物的介电损失和金属材料的欧姆损失变得严重。具有低损失特征的新材料的研究和开发以及相应的微纳米制造过程是促进THZ天线开发的关键。这个特殊的群集将主要集中于0.1至10 THz范围内的THZ天线的研究。他们能够实现以后的6G通信及以后的每秒（TB/S）数据速率和超大型带宽。其重点将打破THZ天线设计和设备制造技术之间的障碍。这个特殊的集群还将促进全球学者与THZ技术领域的专家之间的广泛交流，为THZ天线的开发铺平了途径。潜在主题包括但不限于以下内容：
Terahertz频率的非线性光学物理
摘要：Terahertz（THZ）波在6G/7G通信，传感，非促进检测，材料调制和生物医学应用中表现出了有希望的前景。随着高功率THZ源的发展，投资了越来越多的非线性光学效应，并且投资了THZ诱导的非线性光学现象。这些研究不仅显示了电子，离子和分子的清晰物理图片，而且还提供了许多在感应，成像，通信和航空航天中的新型应用。在这里，我们回顾了THZ非线性物理学和THZ诱导的非线性光学现象的最新发展。本综述提供了一个概述和幻觉的示例，说明了如何实现强大的非线性现象以及如何使用THZ波来实现非线性材料调制。
DyCo 5 、Co 32 Fe 68 和 Gd 27 Fe 73 薄膜中频率无关的太赫兹异常霍尔效应（从 DC 到 40 THz）
将电子自旋融入电子设备是自旋电子学的核心思想。[1] 这一不断发展的研究领域的最终目标是产生、控制和检测太赫兹 (THz) 速率的自旋电流。[2] 为了实现这种高速自旋操作，自旋轨道相互作用 (SOI) 虽然很弱，但却起着关键作用，因为它将电子的运动与其自旋态耦合在一起。[3] 从经典观点来看，SOI 可以理解为自旋相关的有效磁场，它使同向传播的自旋向上和自旋向下的传导电子偏向相反的方向（见图 1a）。SOI 的重要结果是自旋霍尔效应 (SHE) [4] 及其磁性对应物反常霍尔效应 (AHE)。[5,6] 在具有 SOI 的金属中，SHE 将电荷电流转换为横向纯自旋
Terahertz频率的非线性光学物理
摘要：Terahertz（THZ）波在6G/7G通信，传感，非促进检测，材料调制和生物医学应用中表现出了有希望的前景。随着高功率THZ源的发展，投资了越来越多的非线性光学效应，并且投资了THZ诱导的非线性光学现象。这些研究不仅显示了电子，离子和分子的清晰物理图片，而且还提供了许多在感应，成像，通信和航空航天中的新型应用。在这里，我们回顾了THZ非线性物理学和THZ诱导的非线性光学现象的最新发展。本综述提供了一个概述和幻觉的示例，说明了如何实现强大的非线性现象以及如何使用THZ波来实现非线性材料调制。
用于超级分辨率的自旋发射器
我们使用Spintronic Thz发射器研究了局部THZ场的生成，以增强微米大小的成像的分辨率。远面成像，波长高于100 l m，将分辨率限制为该数量级。通过使用光学激光脉冲作为泵，可以将Thz Field Genert固定在激光束聚焦的区域。由于激光束聚焦而引起的生成的THZ梁的差异要求成像的物体在THZ场波长以下的距离处靠近生成位。我们根据自旋电流在COFEB/PT异质结构中通过FS-LASER脉冲产生THZ辐射，并通过商业低温种植-GAA（LT-GAAS）Auston Switches检测到它们。通过应用具有电动阶段的2D扫描技术来确定THZ辐射的空间分辨率，从而可以在子微米计范围内进行台阶尺寸。在近距离限制内，我们在千分尺尺度上在激光斑点大小的尺寸上实现空间分辨率。为此，在由300 nm SiO 2间隔层隔开的旋转发射器上蒸发了金测试模式。将这些结构相对于飞秒激光斑点（生成THZ辐射）允许测定。刀边方法在1 THz时产生的全宽半宽度梁直径为4：9 6 0：4 l m。在简单的玻璃基材上沉积自旋发射器异质结构的可能性使它们在许多成像应用中具有近距离成像的候选者。
基于 TSV 的发夹带通滤波器，适用于 6G 移动...
摘要 针对第六代（6G）移动通信应用，提出了三种新型五阶超紧凑发夹带通滤波器。发夹单元的臂采用三维集成技术（TSV）实现，部分发夹单元由四个臂组成。本文介绍了这三种滤波器的设计方法，并通过基于有限元法的工业级仿真器HFSS验证了滤波特性。结果表明:所设计的三个滤波器的中心频率分别为0.405 THz、0.3915 THz、0.3955 THz,带宽分别为0.1 THz、0.077 THz、0.063 THz,插入损耗为2.0 dB,回波损耗分别为12.4 dB、13.4 dB、14 dB。所设计的三个滤波器的尺寸均为0.284×0.0325 mm2(1.29×0.148λg2)。关键词:第六代(6G)移动通信、太赫兹(THz)频段、发夹带通滤波器、硅通孔(TSV)分类:电子器件、电路和模块(硅、化合物半导体、有机和新材料)