摘要:本研究采用激光定向能量沉积在 TiNi 形状记忆合金基体上构建富 Ti 三元 Ti-Ni-Cu 形状记忆合金,实现多功能双金属形状记忆合金结构的连接。采用经济高效的 Ti、Ni 和 Cu 元素粉末混合物作为原材料。采用各种材料表征方法来揭示两部分不同的材料特性。制备的 Ti-Ni-Cu 合金微观结构以 TiNi 相为基体,Ti 2 Ni 二次沉淀物。硬度没有显示出高值,表明主相不是硬质金属间化合物。通过拉伸试验获得了 569.1 MPa 的结合强度,数字图像相关揭示了两个部分不同的拉伸响应。使用差示扫描量热法测量相变温度。测得 Ti-Ni-Cu 合金截面的奥氏体终轧温度高于 80 ◦ C。对于 TiNi 基体,经测试,奥氏体终轧温度在底部接近 47 ◦ C,在上部基体区域约为 22 ◦ C,这是由于重复的激光扫描对基体起到了退火作用。最后,对两个形状记忆合金侧面的多重形状记忆效应进行了测试和识别。
TRON能量损失光谱被彻底考虑。研究表明,在底部电极中的氧气浓度较高(约14.2±0.1 at。%)与顶部电极相比(约11.4±0.5 at。%)。以下平均化学计量公式为锡0。52 o 0。20上衣和锡0。54 O 0。 26底部和底部电极的底部。 由于血浆中的氧杂质与SIO 2和HFO 2的扩散相比,血浆中的氧气量不足。 这种不对称性,以及在Si底物上生长的样品的结果表明,与从SIO 2底物和PEALD生长过程中从SIO 2底物和HFO 2介电介质的扩散相比,与血浆本身的氧杂质相比是一个较小的部分。 我们观察到HF氧化物层和Ti nitride Electrodes以及SIO 2界面之间的界面上的TIO 2存在。 EELS分析导致底部锡X O Y的带隙范围为2.2至2.5 eV,而顶部锡X O Y的带隙范围为1.7-2.2 eV,使用光吸收光谱与顶部Tin X电极(1.6±01 eV)上的结果公平吻合。 测量板电阻,电阻率和温度系数通过在20到100°C的顶部锡x o y电极上的四点探头的电阻系数对应于半导体的典型值。54 O 0。26底部和底部电极的底部。由于血浆中的氧杂质与SIO 2和HFO 2的扩散相比,血浆中的氧气量不足。这种不对称性,以及在Si底物上生长的样品的结果表明,与从SIO 2底物和PEALD生长过程中从SIO 2底物和HFO 2介电介质的扩散相比,与血浆本身的氧杂质相比是一个较小的部分。我们观察到HF氧化物层和Ti nitride Electrodes以及SIO 2界面之间的界面上的TIO 2存在。EELS分析导致底部锡X O Y的带隙范围为2.2至2.5 eV,而顶部锡X O Y的带隙范围为1.7-2.2 eV,使用光吸收光谱与顶部Tin X电极(1.6±01 eV)上的结果公平吻合。测量板电阻,电阻率和温度系数通过在20到100°C的顶部锡x o y电极上的四点探头的电阻系数对应于半导体的典型值。
纳米多孔锡2 O 7(nptno)材料通过用离子液体(IL)作为指导温度的纳米多孔结构合成的溶胶 - 凝胶方法。nptno即使以50°C的充电速率,在5 c时为1000个周期和lini 0.5 mn 1.5 o 4-耦合的全细胞容量重新构成的全细胞能力接力为81%和87%的87%和87%cass in 1000 cycles at 1 c cycles at 1 c cycles at 1 c cycles nptno的高可逆能力为210 mAh g –1。 对1000个循环的NPTNO电极的研究表明,IL指导的介孔结构可以增强NPTNO细胞的可环性,这是由于缓解了重复的机械应力和由重复的LI +插入 - 插入 - 攻击过程引起的重复性机械应力和体积波动。 测得的LI +扩散系数从Galvanostatic间歇性滴定技术中表明,IL-启动策略确实确保了基于快速LI +扩散动力学的NPTNO细胞的快速再核能。 受益于纳米多孔结构,具有未阻碍的Li +扩散途径的NPTNO在基于钛基的氧化物材料中实现了Supe-rior速率能力,并且在TNO材料中具有最佳的全细胞环环性。 因此,证明了IL的模板潜力,并且出色的电化学性能确立了IL定向的NPTNO作为可快速回流LIB的有前途的阳极候选者。nptno的高可逆能力为210 mAh g –1。对1000个循环的NPTNO电极的研究表明,IL指导的介孔结构可以增强NPTNO细胞的可环性,这是由于缓解了重复的机械应力和由重复的LI +插入 - 插入 - 攻击过程引起的重复性机械应力和体积波动。测得的LI +扩散系数从Galvanostatic间歇性滴定技术中表明,IL-启动策略确实确保了基于快速LI +扩散动力学的NPTNO细胞的快速再核能。受益于纳米多孔结构,具有未阻碍的Li +扩散途径的NPTNO在基于钛基的氧化物材料中实现了Supe-rior速率能力,并且在TNO材料中具有最佳的全细胞环环性。因此,证明了IL的模板潜力,并且出色的电化学性能确立了IL定向的NPTNO作为可快速回流LIB的有前途的阳极候选者。
注意:本手册中描述的信息和建议不可能涵盖产品的所有应用或产品使用条件的变化。此处的建议基于制造商的经验、研究和测试。它们被认为是准确的,但不作任何明示或暗示的保证。此外,此处包含的规格均为名义规格,代表我们当前的生产。所描述的产品可能会发生变化。请随时联系 Ensign-Bickford Aerospace & Defense Company 进行验证。无保证或责任:此处描述的产品按“原样”出售,不提供任何明示或暗示的、由法律或其他方式产生的保证或担保,包括但不限于任何适销性或适用于特定用途的保证。买方和用户进一步同意免除卖方因购买或使用此处描述的任何产品而产生的任何和所有责任,无论此类责任是否由卖方的疏忽引起或基于严格的产品责任或赔偿或分担原则。内容©2021 Ensign-Bickford Aerospace & Defense Company,美国康涅狄格州辛斯伯里 06070
扫描率。循环伏安法曲线将对称形状从0.005 V•s -1至0.1 V•S -1保持,表明电极材料的放大能力。由于法拉第反应时间不足以高扫描速率,特定电容随扫描速率的增加而降低。图5C显示了在不同电流密度下TN-MO-S的充电偏差曲线。几乎对称的三角形轮廓表现出电极的电容和可逆特征。
注意:本手册中描述的信息和建议不可能涵盖产品的所有应用或产品使用条件的变化。此处的建议基于制造商的经验、研究和测试。它们被认为是准确的,但不作任何明示或暗示的保证。此外,此处包含的规格均为名义规格,代表我们当前的生产。所描述的产品可能会发生变化。请随时联系 Ensign-Bickford Aerospace & Defense Company 进行验证。无保证或责任:此处描述的产品按“原样”出售,不提供任何明示或暗示的、由法律或其他方式产生的保证或担保,包括但不限于任何适销性或适用于特定用途的保证。买方和用户进一步同意免除卖方因购买或使用此处描述的任何产品而产生的任何和所有责任,无论此类责任是否由卖方的疏忽引起或基于严格的产品责任或赔偿或分担原则。内容©2021 Ensign-Bickford Aerospace & Defense Company,美国康涅狄格州辛斯伯里 06070
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TiNiCu 0.1 Sn HH 合金(即 Ti 32.8 -Ni 32.8 -Sn 32.8 -Cu 1.6)的微观结构。主要动机
传统上,工程部件的结构健康和完整性是通过在附近安装的传感器来监测的。近年来,已报道了自报告或自感知材料,其中传感器集成到功能材料中。 [5] 通常,将传感器安装到内部、表面或附近并不能改善整体性能。在这里,我们提出了一种自主自报告材料的概念,其中未经改性的材料本身充当传感器。为此,需要确定一种与所讨论的结构和/或化学变化具有因果关系的材料属性。此后,这种属性被称为自主自报告属性。此外,这种属性需要在应用过程中可测量,并且应用引起的结构和/或成分变化需要导致自报告属性幅度的显著变化。 TiN 被选为参考系统,因为它被广泛用作保护涂层 [6]、扩散屏障 [7] 或微电子学 [8],并且最近作为等离子体材料引起了人们的关注。[9] 它表现出很高的热稳定性 [10] 和金属电性能,[11] 而其氧化物 TiO 2 的带隙约为 3.1 eV。[12]