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通过透明保护层实现高效耐用的 III-V 族半导体催化剂光电阴极
太阳能驱动水分解的持久性能和高效率是光电化学 (PEC) 电池尚未同时实现的巨大挑战。虽然由 III-V 族半导体制成的光伏电池可以实现很高的光电转换效率，但它们与电催化剂的功能集成以及工作寿命仍然是巨大的挑战。在此，超薄 TiN 层被用作埋层结 n + p-GaInP 2 光电阴极上的扩散屏障，使得随后的 Ni 5 P 4 催化剂生长为纳米岛时能够升高温度，而不会损坏 GaInP 2 结。所得 PEC 半电池的吸收损失可以忽略不计，饱和光电流密度和 H 2 释放量与用 PtRu 催化剂装饰的基准光电阴极相当。高耐腐蚀 Ni 5 P 4 /TiN 层在 120 小时内显示出不减损的光电阴极运行时间，超过了之前的基准。通过蚀刻去除电沉积铜（引入的污染物），恢复了全部性能，证明了操作耐用性。 TiN 层扩大了合成条件并防止腐蚀，使 III-V PEC 设备稳定运行，而 Ni 5 P 4 催化剂则取代了昂贵且稀缺的贵金属催化剂。
基于La2nio4+δ的模拟熟悉设备为...
神经形态计算最近已成为传统的von Neumann计算机范式的潜在替代方法，该范式由于其建筑瓶颈而固有地受到限制。因此，需要新的人工组件和用于脑启发的计算硬件实现的架构。双极模拟熟悉设备，其电阻（或电导）可以连续调节（作为突触重量），是人工突触应用的潜在候选者。在这项工作中，混合离子电子导电氧化物（La 2 NiO 4+δ，L2NO4）与TIN和PT电极结合使用。TIN/L2NO4/PT设备显示双极电阻开关，以及用于集合和复位过程的逐渐过渡。电阻（电导）可以通过脉冲幅度和持续时间逐渐调节，显示出良好的数据保留特征。通过实验测量电阻变化和总应用脉冲持续时间之间的线性关系。此外，突触抑郁和增强特征是生物共生的重要功能之一，是为这些设备人为复制的，然后在尖峰神经网络环境中进行了建模并成功测试。这些结果表明使用TIN/L2NO4/PT回忆设备作为神经形态计算中的长期人造突触的适用性。
2020-2021 年马来西亚矿产行业
2020 年，马来西亚的矿业主要开采金属矿石以及原油和天然气。该国还生产了大量的精炼锡（来自国内生产和进口的锡精矿）和稀土氧化物 (REO) 化合物（主要来自进口的稀土矿物精矿）。马来西亚是世界排名第三的冶炼锡生产国（占全球产量的 7%）、排名第十的锰矿石生产国（2%）和排名第十一位的矿产锡生产国（1%）。 2015 年，马来西亚曾是世界第四大铝土矿生产国（占全球产量的 12%，不包括美国产量），但该国政府于 2016 年禁止铝土矿开采，自 2017 年以来，马来西亚一直未跻身十大生产国之列，每年的铝土矿产量占全球产量的不到 1%（Bray，2022a，第 10.14 页；2022b；Merrill，2022a，b；Schnebele，2022）。
2021年6月赠款电话
oflcg21jun-0014 MOH-001072通过新兴技术（目标）对应PI：Aung Tin主题PIS：Aung Chiea Chuen，Cheng Chuen，Cheng Ching Yu，Rachel Chong Yu，Rachel Chong Chong chon，Rachely Giopold Schmeter，Michael Girard，Thame wone katir thame kat katir，
在ND膨胀中强烈各向异性离子发射：...
最新的纳米印刷谱依赖于13.5 nm极端紫罗兰色（EUV）光，这些光（EUV）是由Tin激光生产的等离子体（LPP）产生的。1–3热和致密的锡血浆的扩展可能会以多种方式阻碍EUV源操作，在这种方面，高能离子可能会损坏或涂上EUV euv光学元件。4,5有效缓解方案是消除这种不良过程的EUV来源所必需的。这些缓解方案可能包括使用缓冲气体停止和去除离子碎片6,7或使用强磁场将其转化为脱离等离子收集器镜子的情况。5,8–11在没有任何形式的缓解形式的情况下，理解驱动血浆扩展的机制而有益于理解驱动血浆扩展的机制。血浆扩展到真空12–14的分析模型已经开发了多年，并且已应用于TIN激光生产的血浆扩展的特定情况。最近15,16，Hemminga等。17进行了二维（2D）辐射流动力学模拟，从激光辐照的锡液滴中进行了血浆扩展，因为发现强烈简化的分析模型无法完全捕获扩张。采用单流体单温方法的模拟与从A
在130 nm sige bicmos Technology的Beol中，晶圆级薄膜封装的MM-Wave RF-MEMS开关的单片整合
摘要 - 对于任何微电动机械系统（MEMS）设备的工厂最为明显的挑战之一，是该设备的低成本和高吞吐包装，以保护其免受环境颗粒，水分和配置的影响。在这项工作中，通过晶状级别CMOS（BICMOS）技术的130 nm双极CMOS（BICMOS）技术的RF-MEMS开关单一地整合到基于铝的后端线（BEOL）中，这是通过晶状级级别的薄级薄薄薄层薄层包装（WLE）。在晶片级封装包装之前，开发并证明了用于释放MEMS设备的湿式和蒸气释放技术。最终装置的封装是用Ti/Tin/Tin/Alcu/Ti/Tin层的堆栈实现为3- µm金属网格的晶圆级包装的。最后，将具有高沉积速率（HDR）的二氧化硅沉积过程用于释放孔的完整封装。通过低频C - V和D-Band时高频S-参数测量值评估了封装对RF-MEMS开关性能的影响。结果指示设备的完整功能，没有明显的性能下降。封装不需要额外的掩码，并且将其开发为8英寸晶圆级工艺，因此为RF-MEMS设备封装和包装提供了低成本和高吞吐量解决方案。
对化学、生物等的使用情况的描述性分析……
作者：D Tin · 2023 年 · 被引用 6 次 — 本研究的目的是通过分析暴力非国家行为者 (VNSA) CBRN 事件数据库来探索非国家行为者对 CBRN 武器的使用情况。
Vishay 为航空电子、军事和航天市场提供解决方案 (...
特性 • 锡/铅终端涂层（≥ 4 % Pb） • 符合 AEC-Q200 要求，可提供 PPAP • 提供 0402 至 1210 尺寸 • 湿法制造工艺 • 贵金属电极 (NME) 系统 应用 • 低地球轨道卫星 (LEO) • 太空 • 航空航天 • 航空电子 • 军事 • 锡晶须缓解 白皮书支持 • 应用 • 可靠性
带有 RF 和光子模块的 SiGe BiCMOS 技术
PIC SOI 晶圆上的附加光子设计层与 BiCMOS BEOL 层一起 LBE 提供局部背面蚀刻模块，用于局部去除硅以提高无源性能（适用于所有技术） TSV 模块是 SG13S 和 SG13G2 技术中的附加选项，可通过硅通孔提供 RF 接地以提高 RF 性能。 MEMRES 基于 SG13S 技术中的电阻式 TiN/HfO 2-x/TiN 开关器件的完全 CMOS 集成忆阻模块。还提供包括布局和 VerilogA 仿真模型的工艺设计套件。 TSV+RDL 模块是 SG12S 和 SG13G2 技术中的附加选项，在 BiCMOS 上提供具有单个重新分布层的 TSV