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单原子光催化剂 Ni/TiO2 将生物质衍生物高选择性转化为有价值的化学品
乙酸和酮衍生物。[1] 这些化学品作为制造香水、染料和药物的重要分子构件和中间体具有广泛的应用。由于 C C 键能相对较高（90 kcal mol - 1 ），C C 键断裂在热力学上不利，传统的 C C 键断裂过程大多是由能量和成本密集型系统驱动的热催化反应，严重依赖有毒/昂贵的氧化剂、贵金属催化剂，并且通常需要恶劣的条件。[2] 因此，在温和条件下进行选择性 C C 键断裂作为升级生物质衍生多元醇的有效工具而备受追捧。甘油是一种用途广泛的多元醇，也是生物柴油生产中的重要副产品，生物柴油产量巨大，导致大量过剩产品以极低的价格（0.11 美元/公斤）涌入市场。[3] 因此，甘油被视为生物废弃物，也是生产高价值化学品的十大生物质衍生平台分子之一（美国能源部列出）。[4] 在适当条件下，甘油可以选择性地氧化或还原成精细化学品，如丙烯醛、[5] 二羟基丙酮、[6] 乳酸、[7] 丙烯酸、[8] 1,2-丙二醇、[9] 或 1,3-丙二醇。[10] 鉴于这种潜力，人们投入了大量精力来探索一种有效的催化剂，以实现高转化率和对目标产品的高选择性。金/碳催化剂是早期的例子之一，它只有在 NaOH 存在下才有效。因此，氧化产物通常是钠盐，这使得后净化过程非常困难。[11] 此后，人们致力于寻找不使用 NaOH 的替代催化剂。最近有报道称，Mn 2 O 3 可以在 140 °C 和 1 MPa O 2 下将甘油转化为乙醇酸，选择性为 52.6%。[12] 然而，开发高效、高选择性催化剂将甘油转化为特定产品仍然是一项重大挑战。因此，选择性甘油 CC 裂解不仅具有重要的科学意义，而且考虑到相关产品的高价格（例如，每公斤乙醇醛 9 美元，比反应物甘油贵 80 倍），也具有经济意义。光催化已被公认为在非常温和的条件下进行 C C 键裂解反应的一种有前途的策略。[13]
靶向聚电解质的补充信息...
摘要：使用三价ERBIUM（ER 3+）的使用，通常嵌入固态中的原子缺陷，在电信设备中广泛采用作为掺杂剂，并显示出基于自旋的量子记忆的量子记忆，以实现量子通信。尤其是其天然电信C波段光学转变和自旋 - 光子接口使其成为集成到现有光纤网络中的理想候选者，而无需量子频率转换。然而，成功的缩放需要具有固有核自旋的宿主材料，与半导体铸造工艺的兼容性以及与硅Pho-Pho-Photonics的直接整合。在这里，我们使用铸造型原子层沉积过程呈现二氧化钛（TiO 2）在硅底物上的薄膜生长，并在ER浓度上具有广泛的掺杂控制。即使在氧气退火后生长的膜是无定形的，它们也表现出相对较大的晶粒，并且嵌入的ER离子表现出来自氧化酶TiO 2的特征性光学发射光谱。至关重要的是，这种生长和退火过程保持了纳米光整合所需的低表面粗糙度。最后，我们通过evaneScent耦合与高质量的Si纳米腔腔接头，并展示了其光学寿命的大型purcell增强（≈300）。我们的发现表明，将ER掺杂材料与硅光子学集成在一起的低温，非破坏性和底物独立的过程。关键字：原子层沉积，纳米光子学，稀土离子，Purcell增强，量子记忆F在高掺杂密度下，该平台可以实现集成的光子组件，例如片上放大器和激光器，而稀释浓度可以实现单个离子量子记忆。
通过非接触式原子力显微镜
分子氧与半导体氧化物表面的相互作用在许多技术中起着关键作用。这个主题很难通过实验和理论来实现，这主要是由于多种施加电荷状态，吸附氧气的吸附构和反应通道。在这里，我们使用非接触原子力显微镜（AFM）和密度功能性the-Ory（DFT）的组合来解决金红石TIO 2（110）表面上的吸附O 2，这在金属氧化物的表面化学中提出了长期的挑战。我们表明，通过氧气量终止的化学惰性AFM尖端可以很好地解决吸附物种和底物的氧气sublattice。吸附的O 2分子可以从表面接受一个或两个电子极性，形成超氧或过氧物种。在与应用相关的任何条件下，过氧状态是最优选的。非侵入成像的可能性使我们能够解释与尖端注入电子/孔注入相关的行为，与紫外光的相互作用以及热退火的效果。
PTFE的准备和属性@tio2/epoxy ...
抗菌1。引言生物污染带来许多危害，例如船舶结垢，从而降低了速度并增加了燃油消耗[1-4]，以及对医疗设备和食品表面的微生物粘附，这很容易对人类安全构成危害[5-7]。在过去的几十年中，已经开发了基于抗生素，有毒材料或超薄处理结构的几种主动和被动抗菌表面[8,9]。受莲花叶的启发，超疏水材料具有出色的水性特性，例如抗腐蚀[10,11]，电子设备保护[12]，冰保护[13,14]，自我清洁[15,16]，油水分离[17-19]，拖曳还原[20,21]和抗菌[22]。超疏水表面具有抗微生物的巨大潜力
TiO2作为室内光催化油漆的效果...
今天的摘要文章信息，通过有效利用自然资源，可以使用景观中的节能解决方案。但是，我们可以通过自然消耗自然资源而自我更新的能源来满足我们的能源需求。本研究旨在揭示如何在节能解决方案框架内解决景观计划和设计过程中涉及的所有活动。该研究的材料包括可再生能源和节能解决方案中使用的其他自然资源，以及能够可持续使用及其产生的作品的资源价值。该研究的方法介绍了传统的景观设计过程和节能景观设计过程，并确定了定义节能景观设计方法的参数。在城市或农村地区的节能景观设计，或各种尺寸的开放绿色空间，将通过使用植物材料潜力和地理数据来确保能源有效地利用能源，以进行气候控制，阴影和凉爽的区域，设置良好的结构，适当的材料选择，有效的土地利用，良好的土地使用，有效的花园以及有效的农业生产。为开发一种用于节能景观设计的模型，已经确定了在景观设计中使用太阳能，风能，地热和生物质能量的标准。此外，还考虑了能源在生存和非生存材料，绿色屋顶，绿色墙壁，爱好花园，永续农业花园，雨水花园和Xeriscape地区的实用和经济使用。在这种情况下，目的是通过这些标准为景观设计过程创建指南。
超级 - 杂种聚苯胺-tio2层次结构...
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锂离子电池用不同结晶度介孔 TiO2 纳米颗粒负极材料的机理研究
由于其储量丰富、生产成本低以及理论容量合理（372 mA hg 1），它被认为是最先进的 LIBs 负极材料。1,2然而，它存在严重的结构崩塌、循环过程中的剥落、与低工作电压相关的锂枝晶生长以及低温应用的限制。1,3 – 8由于 LIB 技术的快速发展，寻找新型负极材料迫在眉睫。在各种类型的负极材料中，氧化物基插层型负极因其高体积能量密度、增强的安全性和不错的功率密度而备受关注。 2,9 – 14 特别是钛基氧化物材料，例如 TiO 2 ，由于其成本低、毒性低、理论容量好、安全操作电位（1.7 V vs. Li/ Li + ）、锂嵌入过程中体积变化小（< 4％）和往返效率高，对锂离子电池很有吸引力。2,12,15 – 18 氧化物电极材料的电化学性质在很大程度上受原子排列的影响。已研究了用于 LIBs 的各种同质异形体的 TiO 2，包括锐钛矿 ( I 4 1 / amd )、19 – 21 金红石 ( P 4 2 / mnm )、19,22,23 TiO 2 -B ( C 2 / m )、24,25 板钛矿 ( Pbca )、26 斜方锰矿 ( Pbmn ) 27 和钙钛矿 ( I 4 / m )。28 在所有同质异形体中，锐钛矿 TiO 2 的研究最为广泛。2,11,29 此外
3D打印TiO2负电极，用于钠离子和...
长期（大本营，HAB，Art VIII+）3 https://ntrs.nasa.gov/citations/20240003016#:~: text=lunar%20Command%20Command%20AND%20Control%20Control%20Control%20 Interperability%20 Interperability%20(Lucciproject）; ％20 Overview％20％20LUNAR，COMBLECT％20Partners％2C％20和％20International％20Partners。
接触颜料级二氧化钛 (TiO2) 的工人的 DNA 损伤以及与氧化应激和炎症生物标志物的关系
本研究旨在调查从事颜料级 TiO 2 生产的工人（15 名接触工人和 20 名未接触工人）口腔细胞的 DNA 损伤、微核频率和元核改变。我们还评估了遗传毒性生物标志物与尿液和呼出气冷凝液 (EBC) 中的氧化应激/炎症生物标志物的关联，以及生物标志物和报告的呼吸道症状之间的可能关联。尽管符合 TiO 2 职业接触限值，结果显示接触工人的直接/氧化性 DNA 损伤和微核频率增加。遗传毒性参数与尿液和 EBC 中的氧化应激/炎症生物标志物有关，从而证实了 TiO 2 暴露会影响氧化平衡。遗传毒性/氧化应激生物标志物水平较高的工人报告出现早期呼吸道症状，表明分子改变可以预测早期健康功能障碍。这些发现表明需要在健康监测计划中评估早期健康损害，并妥善解决处理 TiO 2 的工作场所的安全问题。
低温条件下（1.5 K）Al 2O3/TiO2–x 忆阻器的电阻开关和传输机制研究
固态量子技术的不断进步已带来前景光明的高质量硅基量子比特 [1], [2]。此类量子系统在低至 10 mK 的低温下工作，目前由位于室温低温恒温器外部的经典电子设备控制。虽然这种方法可以操作少量子比特系统，但很明显，管理数量大幅增加的量子比特将是不可能的。因此，要迈向大规模量子系统，有必要探索新颖的集成和封装方法，以在具有一个或多个温度阶段的低温环境中开发量子经典接口 [3]。与此同时，纳米级电阻开关存储器（也称为忆阻器）是室温应用（如基于大规模并行神经形态电子架构的大容量存储器和内存计算应用）最有前途的候选者之一 [4]。在低温下展示可逆、非挥发和高度非线性的忆阻器器件电阻编程将为基于忆阻器的低温电子学铺平道路，从而有助于克服实现量子霸权的障碍。到目前为止，研究电阻存储器的最低温度是 4 K [5]–[10]，主要是为了更好地了解基于过渡金属氧化物的器件的温度相关行为和传导机制。