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ISO 14001:2015 - 芬兰 VTT 技术研究中心
VTT芬兰技术研究中心ESPOO认证网站：VTT Microelectronics流程和操作（ESPOO）Tietotie 3，02150 ESPOO，Finland VTT Mikes（ESPOO）Tekniikantie 1，02150 VTT芬兰技术研究中心（Espoo，Tietotie 4 A）Tietotie 4 A，02150 ESPOO，芬兰VTT芬兰技术研究中心（ESPOO，Tietotie 4 C）Tietotie 4 C，02150 ESPOO，ESPOO，ESPOO，芬兰VTT技术研究中心，芬兰LTD技术研究中心（ESPOO 4 E ESPOTIE 4 E）芬兰有限公司（Espoo，Kemistintie）Kemistintie 3，02150 Espoo，芬兰VTT技术研究中心芬兰有限公司（埃斯波，Kivimiehentie）Kivimiehentie 3，02150 埃斯波，芬兰 芬兰技术研究中心有限公司（埃斯波，Otakaari）Otakaari 3 A，02150 埃斯波，芬兰 芬兰技术研究中心有限公司（埃斯波，Ruukinmestarintie）Ruukinmestarintie 2，02330 埃斯波，芬兰 芬兰技术研究中心有限公司（埃斯波，Sähkömiehentie）Sähkömiehentie 4，02150 埃斯波，芬兰 芬兰技术研究中心有限公司（埃斯波，Tekniikantie 1）Tekniikantie 1，02150 埃斯波，芬兰 芬兰技术研究中心有限公司（埃斯波，Tekniikantie 15 A）Tekniikantie 15 A，埃斯波，芬兰
芬兰 VTT 技术研究中心有限公司埃斯波 ISO 45001:2018
VTT Microelectronics过程和操作（ESPOO）Tietotie 3，02150 Espoo，芬兰VTT Mikes（ESPOO）Tekniikantie 1，02150 ESPOO，芬兰VTT Mikes（Kajaani） IE 4 A）Tietotie 4 A，02150 ESPOO，芬兰VTT技术研究中心（Espoo，Tietotie 4 C）Tietotie 4 C，02150 ESPOO，芬兰VTT芬兰技术研究中心（ESPOO，TIETOTIE，TIETOTIE，TIETOTIE 4 E） IE 3，02150 ESPOO，芬兰VTT芬兰技术研究中心（Espoo，Kivimiehentie）Kivimiehentie 3, 02150 埃斯波，芬兰 芬兰技术研究中心有限公司（埃斯波，Ruukinmestarintie） Ruukinmestarintie 2, 02330 埃斯波，芬兰 芬兰技术研究中心有限公司（埃斯波，Sähkömiehentie） Sähkömiehentie 4, 02150 埃斯波，芬兰 芬兰技术研究中心有限公司（埃斯波，Tekniikantie 1） Tekniikantie 1, 02150 埃斯波，芬兰 芬兰技术研究中心有限公司（埃斯波，Tekniikantie 15 A） Tekniikantie 15 A，埃斯波，芬兰 芬兰技术研究中心有限公司（埃斯波，Tekniikantie 21） Tekniikantie 21，埃斯波，芬兰
DOI: 10
纳米结构锗在 300-1600 nm 波长处的吸收率 > 99 % Toni P. Pasanen*、Joonas Isometsä、Moises Garin、Kexun Chen、Ville Vähänissi 和 Hele Savin Toni P. Pasanen 博士、Joonas Isometsä、Kexun Chen 博士、Ville Vähänissi 博士、Hele Savin Aalto 教授University, Department of Electronics and Nanoengineering, Tietotie 3, 02150 Espoo,Finland E-mail: toni.pasanen@aalto.fi Dr. Moises Garin Aalto University, Department of Electronics and Nanoengineering, Tietotie 3, 02150 Espoo,Finland Universitat de Vic – Universitat Central de Catalunya, Department of Engineering, c/ de la Laura 13, 08500 Vic, 西班牙大学Politècnica de Catalunya, Gran Capità s/n, 08034 巴塞罗那, 西班牙 关键词：锗、纳米结构、干法蚀刻、传感器、近红外
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自然资源学院芬兰卢克，Latokartanonkaari 9，FI-00790，赫尔辛基，芬兰B迪普拉克经济学与管理，赫尔辛基大学，邮政信箱27，FL-00014，赫尔辛基，赫尔辛基，芬兰C自然资源C自然资源finland finland Luke，finland luke，fi-316芬兰D H ame应用科学大学HAMK，Mustialantie 105，FI-31310，Mustiala，Mustiala，Mustiala，芬兰E芬兰环境学院Syke，Latokartanononononkaar 11，FI-00790，赫尔辛基，赫尔辛基，芬兰，芬兰物理学部，Nansoscience Center，Nansoscience Center，Nancience Center，Nancience Center和School Doment， Jyv University of Askyl - A Askyl - A，PO Box 35，Fi-40014，Jyv�Askyl - ，芬兰G Soilfood Ltd，Viikinkaari 6，Fi-00790，赫尔辛基，芬兰H大气与地球研究所（Inar） FI-00014，芬兰赫尔辛基
基于...的大面积QHE器件的制作与研究
1 阿尔托大学微纳米科学系，Micronova，Tietotie 3，02150，埃斯波，芬兰 2 联邦物理技术研究院，Bundesallee 100，38116 不伦瑞克，德国 3 MIKES，Tekniikantie 1，FI-02150，埃斯波，芬兰 电子邮件：novikov@aalto.fi，alexandre.satrapinski@mikes.fi 摘要 — 基于在 SiC 上生长的外延石墨烯膜的量子霍尔效应 (QHE) 器件已被制造和研究，以开发 QHE 电阻标准。霍尔器件中的石墨烯-金属接触面积已得到改进，并使用双金属化工艺制造。测试器件的初始载流子浓度为 (0.6 - 10)·10 11 cm -2，在相对较低的 (3 T) 磁场下表现出半整数量子霍尔效应。光化学门控方法的应用和样品的退火为将载流子密度调整到最佳值提供了一种方便的方法。在中等磁场强度 (≤ 7 T) 下对石墨烯和 GaAs 器件中的量子霍尔电阻 (QHR) 进行精密测量，结果显示相对一致性在 6 · 10 -9 范围内。索引术语 - 外延石墨烯、石墨烯制造、接触电阻、精密测量、量子霍尔效应。