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PowerTitan 储能系统
随着全球可再生能源发电的普及应用和智能电网的快速发展，全球储能行业也进入快速发展时期。截至2021年底，全球已投运储能项目累计装机容量达209.4GWh，同比增长9%。其中锂离子电池项目装机容量达25.4GWh，同比增长67.7%。这表明锂离子电池项目在新能源市场占据主导地位，市场份额超过90%。在新能源应用中，除抽水蓄能应用外，锂离子电池是发展最快、产业基础最好的。尽管受到新冠疫情全球影响，但2020年以来，储能行业和装机容量均逆势增长。从已投运电化学储能项目规模增量来看，中国、北美、欧洲增幅分别为24%、34%、22%，引领全球储能市场规模化发展。
硅光子平台上的电磁钡调节剂
具有铁电极内化（面向A轴或X切片膜）。这样的X切割调节器的好处是在不构图BTO的情况下轻松地在标准的硅光子过程中制造。波导可以由沉积在BTO层的硅或氮化硅制成，并在沉积的BTO层和电极上形成，以形成Te-Mode EO调节剂[13]。然而，沿晶体的X方向应用的磁场访问R 42在BTO材料中经历了极高的介电常数，通常超过1000。这个高介电常数直接转化为EO调制效率的降低。相比之下，沿z-方向应用的字段访问R 33 Pockels组件经历了典型的BTO介电常数小于60。介电载荷的减少可以抵消EO系数的降低。我们为配置制造了Mach-Zehnder调制器，并比较其制造和调节效率的易度性，并证明SI平台上的BTO适合于与硅光子制造兼容的低功率，小型脚印Mach-Zhhnder调制器兼容。
泰坦话题
他很小就爱上了 IT。在他七岁生日时，Hodulik 的家人凑钱给他买了一台 Commodore 64，这是当时家用电脑的黄金标准。“我的父母还在托莱多大学为孩子们找到了一个周末电脑班，我开始学习编程。我喜欢电子游戏、计算器、机器人、机器——任何技术性的东西，”他说。到六年级时，他已经开始在 Mac 上进行桌面出版。“我听一位老师说，她从未见过有人像我一样自然而然地弄清楚如何让所有事情都运转得如此之快，几乎就像我在学会如何做之前就知道自己在做什么一样。这句话从那时起就描述了我与技术的关系。我对所有这一切都有天生的能力，就像有些人对运动或音乐有天生的能力一样，”他说。他的天赋促使他在 12 岁时开始了第一次商业冒险：“我会为镇上的小企业安装电脑和调制解调器。”
文章结构，氮化钛电极的氧气含量和电性能X /LA：HFO 2 /TIN X堆叠在Sio 2 /si 2 /si < /div>
TRON能量损失光谱被彻底考虑。研究表明，在底部电极中的氧气浓度较高（约14.2±0.1 at。％）与顶部电极相比（约11.4±0.5 at。％）。以下平均化学计量公式为锡0。52 o 0。20上衣和锡0。54 O 0。 26底部和底部电极的底部。 由于血浆中的氧杂质与SIO 2和HFO 2的扩散相比，血浆中的氧气量不足。 这种不对称性，以及在Si底物上生长的样品的结果表明，与从SIO 2底物和PEALD生长过程中从SIO 2底物和HFO 2介电介质的扩散相比，与血浆本身的氧杂质相比是一个较小的部分。 我们观察到HF氧化物层和Ti nitride Electrodes以及SIO 2界面之间的界面上的TIO 2存在。 EELS分析导致底部锡X O Y的带隙范围为2.2至2.5 eV，而顶部锡X O Y的带隙范围为1.7-2.2 eV，使用光吸收光谱与顶部Tin X电极（1.6±01 eV）上的结果公平吻合。 测量板电阻，电阻率和温度系数通过在20到100°C的顶部锡x o y电极上的四点探头的电阻系数对应于半导体的典型值。54 O 0。26底部和底部电极的底部。由于血浆中的氧杂质与SIO 2和HFO 2的扩散相比，血浆中的氧气量不足。这种不对称性，以及在Si底物上生长的样品的结果表明，与从SIO 2底物和PEALD生长过程中从SIO 2底物和HFO 2介电介质的扩散相比，与血浆本身的氧杂质相比是一个较小的部分。我们观察到HF氧化物层和Ti nitride Electrodes以及SIO 2界面之间的界面上的TIO 2存在。EELS分析导致底部锡X O Y的带隙范围为2.2至2.5 eV，而顶部锡X O Y的带隙范围为1.7-2.2 eV，使用光吸收光谱与顶部Tin X电极（1.6±01 eV）上的结果公平吻合。测量板电阻，电阻率和温度系数通过在20到100°C的顶部锡x o y电极上的四点探头的电阻系数对应于半导体的典型值。
利用油棕锅炉灰、膨润土和二氧化钛纳米复合材料制备环保吸附剂
摘要 利用源自农业废弃物的产品作为低成本吸附材料去除有机或无机污染物是理想的选择，因为这些材料在许多国家都很容易获得。这项研究旨在制备由纳米复合材料 OPBA / 膨润土 / TiO 2 制成的环境友好型吸附剂。采用共沉淀法制备 OPBA，在膨润土制备中添加 CTAB 表面活性剂。同时，采用溶胶-凝胶法制造 TiO 2 。通过 XRD、FTIR、SEM 和 BET 进行表征。吸附剂光谱没有显示吸收的显著变化，其中 OH 键变弱是由于膨润土层间存在 TiO 2 造成的。另一种可能性是由于煅烧和加热的影响。H 2 O 中的 OH 基团在层间被羟基化和脱水。 OPBA/TiO 2 /Bentonite复合材料的形成并没有明显改变TiO 2 的结晶性，证明OPBA和Bentonite的加入并没有降低光催化活性，整个样品的形貌为片状结构，且存在孔隙；在Bentonite/TiO 2 中加入OPBA导致样品的比表面积降低。
田口法优化激光粉末床熔合TA15钛合金工艺参数
1 湖南科技大学机电学院，湖南省高效轻合金构件成形技术与抗损伤评价工程研究中心，湘潭 411201 2 中南大学，国家级高强度结构材料技术重点实验室，长沙 410083 3 杭州电子科技大学材料与环境工程学院，先进磁性材料研究所，杭州 310018 4 长春工业大学材料科学与工程学院，先进结构材料教育部重点实验室，长春 130012 * 通讯作者：liuyang7740038@163.com (YL); federer.song@163.com (YS); songxiaolei@ccut.edu.cn (XS)
自体骨、甲基丙烯酸甲酯、多孔聚乙烯和钛网在颅骨修补术中的比较
回顾性分析我院2016年至2019年实施的颅骨修补术，对年龄、性别、诊断、手术材料、并发症进行分类，常规进行脑CT检查，创伤、肿瘤、缺血性、出血性中风、脑内血肿纳入研究，因颅颌面创伤行重建手术者排除。术后患者控制至少1年。在术前准备阶段，对每位患者进行脑CT检查，必要时进行脑磁共振成像观察。调查每位患者是否有伤口部位感染或全身感染灶，感染灶解决后至少1个月计划手术。开颅减压术中保留骨骼的患者骨瓣常规一次性置入腹部皮下组织，涉及额窦区的开颅手术用骨蜡和患者骨骼封闭额窦口，切除窦黏膜，开颅额窦。保存在腹部皮下脂肪组织内的骨瓣在开颅手术同期取出，使用前用含万古霉素的生理盐水彻底冲洗。自体骨、甲基丙烯酸甲酯和多孔聚乙烯植入物用粗vicryl缝线固定在颅骨上为标准。钛网用微型螺钉固定在颅骨上。
k+诱导的分层钛二硫化物的相变促进超快钾离子储存
钾双离子电池（K-DIBS）由于其高安全性和功率密度引起了极大的兴趣。但是，为K-Dibs实现高率和良好的环状阳极仍然是一个巨大的挑战。在此，层次的TIS 2被认为是K-Dibs的有吸引力的阳极，该阳极的排放能力为91.0 mA H G-1，同时被放电/充电到半细胞中的2000个周期。有趣的是，这种稳定的能力归因于K +诱导的相变的机理。原位特征和第一原理计算表明，插入的K +最终是产生热力学稳定的TI-S层之间的支柱，最终最终是TIS 2相。可靠的K 0.25 Tis 2相显示扩大的层间空间，增强的电子电导率以及较低的扩散屏障，可以使K +的高度稳定和快速存储。此外，首次报道了基于Tis 2阳极和中碳微粒阴极的新型K-DIB。K-DIB在100 mA g-1处实现75.6 mA H G-1的可逆能力，并在5000 mA g-1时保持了85.8％的容量保留/充电，可容纳85.8％的能力保留。这种机械研究为分层硫化物/硒化的反应过程提供了新的见解，并将促进其在安全和高功率K-DIB中的应用。