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索引 太空中的第一个晶体管
晶体管技术于 1947 年在贝尔实验室发明，并于 1948 年 6 月公开发布，注定要成为早期太空飞行的基本支持组件。晶体管的关键性能特征包括极低功耗、坚固耐用、重量轻和使用寿命长，与太空飞行要求非常匹配，并支持了整个 20 世纪 50 年代至 70 年代航天器和导弹技术的快速发展。这种非凡技术组合的一个历史性例子是 1958 年 1 月成功发射了第一颗美国卫星“探险者 1 号”，它仅使用晶体管电子设备（没有真空管），并且表现超出预期，测量了辐射水平并返回了由此产生的科学数据，这为发现范艾伦辐射带奠定了基础。晶体管博物馆很高兴开设这个新部分，重点介绍晶体管技术对早期航天器和导弹的历史贡献。我们很快就会扩展此部分，所以请经常回来查看。
PEDOT的电气和光学调制：多个神经递质介导的人工突触的基于PSS的电化学晶体管
最近已经以人工突触的形式引入了基于生化信号活性的突触调节的神经形态系统，该系统是人工突触的形式，这些突触是建立组织交织的平台的模型设备。在这方面，生物杂交突触有望适应性神经元积聚。然而，这些系统从两个分子跨言中辅助，因为生物神经回路信号传递通常涉及多个神经调节剂，并且不稳定的电子接线是需要复杂的架构来接口组织的复杂体系结构。此外，尽管新颖的尖峰电路可以作为人工神经元起作用，但它们只能重新创建生物电信号通路，而电化学信号转导需要进行静脉间通信。因此，人工化学介导的突触对于执行记忆/学习计算功能至关重要。，一种电化学神经形态有机装置（eNODE）作为人工突触，在模拟两个神经递质的突触重量调节及其在突触cleft裂中的循环弹性调节及其回收机械时，它克服了电化学和读取干扰。通过将两个独立的神经递质介导的化学信号转换为PEDOT的可逆和不可逆变化：PSS电导，可以复制神经元短期和长期可塑性。通过利用PEDOT的电致色素特性：PSS，引入了一种替代的光学监测策略，该策略有望从复杂的Bio-Hybrid接口中稳定的多边形读数。平台模拟了高阶生物学过程，例如内在遗忘，记忆巩固和神经递质共同调节。这些受脑启发的功能预示着结合峰值（电神经元）和非尖峰（电化学突触）元素的组织综合神经形态系统的发展，从而设想假肢桥梁用于神经工程和再生药物。
2SB1261 PNP 硅外延平面晶体管
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顶部接触有机电化学晶体管-NSF-PAR
有机电化学晶体管（OECTS）将离子转换为电信号，这使它们成为广泛的生物电子应用的有前途的候选人。，尽管他们承诺，但仍未完全了解其设备几何形状对性能的影响。在此，将两个不同的设备几何形状（顶部接触和底部接触OECT）根据其接触性，可重复性和开关速度进行比较。表明，底部接触设备的切换时间更快，而其顶部接触式对应器在略有降低的接触抗性和增加的可重复性方面表现出色。讨论了速度和可重复性之间这种权衡的起源，该速度和可重复性之间的权衡为特定应用程序提供了优化指南。
通道宽度对顶门自我对准的Coplanar Igzo薄膜晶体管的电气性能降解的定量分析
Dong-Ho Lee 1 , Hwan-Seok Jeong 1 , Yeong-Gil Kim 1 , Myeong-Ho Kim 2 , Kyoung Seok Son 2 , Jun Hyung Lim 2 , Sang-Hun Song 1,* , and Hyuck-In Kwon 1,* Abstract —In this study, a quantitative analysis was conducted on the effects of channel width on electrical performance degradation induced by self-heating stress (SHS) in顶门自我对准的共蓝淀粉锌氧化物（IGZO）薄膜晶体管（TFTS）。从SHS之前和之后获得的转移和电容 - 电压曲线，我们透露，TFT的电性能沿通道长度方向不均匀地降解，并且该降解的程度在具有较宽通道宽度的TFT中更为显着。在制成的Igzo TFT中，SHS下的阈值电压偏移（δVTh）主要归因于Igzo活性区域的浅供体状态的密度和受体样的深状态的增加，并且电子陷入了Sio X Gate Patectric中的快速和慢速陷阱。此外，我们使用基于状态δVTh Th Th的TFTs的TFTS的子仪密度来进行SHS诱导的δv Th起源于每个降解机制。尽管每种降解机制的每一个δv th都随着通道宽度的增加而增加，但增加了电子捕获到Sio X Gate中的慢陷阱
EPC7020 – 抗辐射功率晶体管
Rad Hard eGaN® 晶体管专为高可靠性或商业卫星空间环境中的关键应用而设计。GaN 晶体管在空间环境中具有出色的可靠性性能，因为单事件没有少数载流子，作为宽带半导体，质子和中子的位移更小，而且没有氧化物击穿。这些器件具有极高的电子迁移率和低温度系数，从而导致非常低的 R DS(on) 值。芯片的横向结构提供了非常低的栅极电荷 (QG ) 和极快的开关时间。这些特性使电源开关频率更快，从而实现更高的功率密度、更高的效率和更紧凑的设计。
铁疗法：高流动和高速全外ALSCN/gan铁电晶体管
摘要 - 我们报告了ALSCN屏障宽带氮化物晶体管中铁电盖的首次观察。通过直接外观生长生长所实现的这些铁热型装置，其中一类新的铁电晶体管本身是极性的，其中半导体是极性的，并且结晶铁电屏障与底物搭配。迄今为止，此处报道的铁热室使用最薄的氮化物高和铁电屏障，以在4 A/mm处提供最高的电流，以及在任何铁电晶体管中观察到的最高速度ALSCN晶体管。ferrohemts hysteric i d-v gs环，阈值斜率低于玻尔兹曼的极限。对照ALN屏障Hemt既不表现出滞后，也不表现出子螺栓行为。这些结果将第一个外延高K和铁电屏障技术引入了RF和MM-Wave电子设备，但它们也引起了人们的兴趣，它是将数字电子中记忆和逻辑功能相结合的新材料平台。
实验证明了1.2 kV的沟槽簇状隔热栅极双极晶体管
硅IGBT的开发一直以更高的功率效率和更高的当前处理能力来设计优化和降低电源转换器系统的成本。在过去的三十年中，通过引入沟槽几何学[1]，野外停机（FS）技术[2]和注射增强（IE）效应来取得重大进展。但是，在州绩效，切换频率和长期可靠性方面的进一步改善变得难以实现。这是因为动态雪崩（DA）在限制高电流密度操作能力方面起着关键因素[4-7]。要打破常规IGBT的基本限制，并保持与宽带差距（WBG）功率设备的竞争力，必须以可靠的方式实施创新的硅技术，以实现自由运营和显着降低功率损失，同时与WBG替代品相比保持硅的成本竞争力。这是因为无DA的操作可以降低门电阻，从而降低开关损耗并提高可靠性。沟槽簇的IGBT（TCIGBT）是唯一到目前为止已实验证明的无DA的解决方案[7-11]。其自晶状功能和PMOS操作可有效地管理沟槽门下的峰值电场分布。此外，即使将NPT-TCIGBT与FS-IGBT进行比较，固有的晶闸管操作也会提供更低的状态损失[10，11]。因此，TCIGBT提供了一种高度有希望的解决方案，可以超越当前IGBT技术的限制。
数字晶体管 TDTA(R1=R2 系列)CA
订购信息 型号 标记 封装代码 TDTA114ECA 14 SOT-23 TDTA124ECA 15 SOT-23 TDTA143ECA 13 SOT-23 TDTA144ECA 16 SOT-23
硅锗异质结双极晶体管
晶体管诞生 75 周年（从“跨阻放大器”缩写为“跨阻器”再缩写为“晶体管”）。时光飞逝。这是一个非凡的量子物理学小片段。2022 年，晶体管将像病毒一样大小，速度几乎与光速一样快，而且重要的是，它们巧妙地拥有放大这一独特黄金属性，可使微小的电压和电流变得更大。到 2022 年，地球上将有超过 10 24 个晶体管，这得益于摩尔定律所体现的令人瞠目结舌的指数增长模式。晶体管在现代生活中无处不在，无论技术提供者还是消费者是否看到它们。当然，“晶体管”一词应该添加到地球上每个人的词汇表中。同样，从智能手机到汽车、飞机、互联网、GPS，所有现代技术，如果从地球上消失，无一例外都会立即停止运行。事实上，就其对人类文明轨迹的影响而言，人们可以公平地说，晶体管的发明是人类历史上最重要的发现。这话很大胆，但有理有据 [1]。1947 年底，巴丁和布拉顿在贝尔实验室使用点接触装置首次观察到了晶体管的作用。这次固态放大器的演示在历史记录中也是独一无二的，因为我们可以精确地定位它——1947 年 12 月 23 日下午 5 点左右。正是在那一刻，世界发生了不可逆转的变化。新泽西州默里山正下着雪。肖克利不甘示弱，到 1948 年 2 月，“晶体管三人组”中的第三位成员肖克利开发出了晶体管。