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硅 FS 沟槽 IGBT - BT40T60 ANFU
欧盟 RoHS 指令。警告 1. 超过器件的最大额定值使用器件可能会损坏器件，甚至造成永久性故障，从而影响机器的可靠性。建议在器件最大额定值的 80% 以下使用。 2. 安装散热器时，请注意扭矩和散热器的平稳性。 3. IGBT 是对静电敏感的器件，使用时必须保护器件免受静电损坏。 4. 本出版物由华晶微电子制作，如有定期更改，恕不另行通知。无锡华润华晶微电子有限公司。
60V、58A、8.3mΩ N 沟道功率沟槽 MOSFET
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30V、-97A、7.3mΩ P 沟道功率沟槽 MOSFET
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30V，-45A，9.3mΩ P 沟道功率沟槽 MOSFET
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NH3 退火 4H-SiC 沟槽 MOSFET 中的隧穿效应
摘要。栅极氧化物和碳化硅 (SiC) 之间的界面对 SiC MOSFET 的性能和可靠性有很大影响，因此需要特别注意。为了减少界面处的电荷捕获，通常采用后氧化退火 (POA)。然而，这些退火不仅影响器件性能，例如迁移率和导通电阻，还影响栅极氧化物的可靠性。我们研究了 NH3 退火 4H-SiC 沟槽 MOSFET 测试结构的氧化物隧穿机制，并将其与接受 NO POA 的器件进行比较。我们发现，NH3 退火 MOS 结构存在 3 种不同的机制，即陷阱辅助隧穿 (TAT)、Fowler-Nordheim (FN) 隧穿和电荷捕获，而在 NO 退火器件中仅观察到 FN 隧穿。隧穿势垒表明，有效活化能为 382 meV 的陷阱能级可实现 TAT。
30V、-39A、13.7mΩ P 沟道功率沟槽 MOSFET
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60V、47A、8.2mΩ N 沟道功率沟槽 MOSFET
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40V、79A、3.1mΩ N 沟道功率沟槽 MOSFET
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美光半导体有限公司制造的沟槽隔离 LGAD 的首次特性分析
a 波兰克拉科夫 AGH 大学。b 西班牙巴塞罗那国立微电子中心 (CNM)。c 苏格兰格拉斯哥大学。d 苏格兰爱丁堡大学。e 美光半导体有限公司，英国兰辛。f 英国曼彻斯特大学。g 苏格兰爱丁堡微电子中心，苏格兰。
研究基于堆叠的源沟槽TFET
摘要：为了检测生物分子，提出了基于介电调节的堆叠源沟槽闸门隧道效果晶体管（DM-SSTGTFET）的生物传感器。堆叠的源结构可以同时使状态电流较高，并且较低的状态电流较低。沟槽栅极结构将增加隧道区域和隧道概率。技术计算机辅助设计（TCAD）用于对拟议的结构化生物传感器的灵敏度研究。结果表明，DM-SSTGTFET生物传感器的当前灵敏度可以高达10 8，阈值电压灵敏度可以达到0.46 V，亚阈值秋千灵敏度可以达到0.8。由于其高灵敏度和低功耗，该提议的生物传感器具有很高的前景。