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在加压三层中超导性的签名 -
日期：2024年10月10日摘要在LA 3 Ni 2 O 7中发现高温超导性，在压力下发现LA 4 Ni 3 O 10引起了广泛的关注。在此，我们报告了有关在各种压力下的结构，磁性和电阻的演变的系统研究。pr 4 ni 3 O 10-δ分别在约158 K和4.3 K处表现出在Ni和Pr sublattices上的密度波变变，并且可以通过压力逐渐抑制密度波。从单斜p 2 1 / a空间群到四方I 4 / mmm的结构转换发生在20 GPA左右。明显的磁场依赖性的电阻下降被观察到高于20 GPA的压力，表明PR 4 Ni 3 O 10-δ多晶样品中超导性的出现。在PR 4 Ni 3 O 10-δ中发现超导性的特征扩大了镍超导体的家族，并提供了一个新的平台，用于研究镍盐ruddlesden-Popper阶段中超导性的机理。1简介
在压力下，通过电子掺杂在三层镍中通过电子掺杂增强了S±波超导性的预测
是由最近报道的Trilayer LA 4 Ni 3 O 10在压力下的超导性的签名的动机，我们使用从头算和随机相近似技术全面研究了该系统。没有电子相互作用，NI D 3 z 2-r 2轨道显示通过op z轨道构成键合 - 抗抗反向和非键的分裂行为，这些轨道在La 4 Ni 3 O 10中诱导“ Trimer”晶格，类似于La 3 Ni 2 O 7的二聚体。费米表面由三个具有混合e轨道的电子纸组成，一个由D 3 z 2-r 2轨道组成的孔和电子袋组成，这表明Ni两轨最小模型。另外，我们发现由于M¼ðπ之间的部分嵌套，在S波通道中诱导了超导配对。以γ¼d为中心的费米表面的中心口袋和部分； 0Þ点。随着电子密度n的变化，S不稳定性保持领先，其配对强度显示出最大n¼4左右的Domelike行为。2（〜6。7％电子掺杂）。超导不稳定的消失在与新的1313堆叠La 3 ni 2 O 7中相同的电子密度消失，这与三层sublattice产生的孔口袋消失有关，这表明La 3 Ni 2 O 7的高t c超导性不源自trililayer and Monolayer and Monolayerererererereraner和monlayerererererereraner和mon。此外，我们在LA 4 ni 3 O 10中确认了拟议的自旋状态，其平面内（π，π）顺序（π，π）和底部Ni层之间的抗铁磁耦合，中间层中的旋转零。
相关的电子结构和三层中的密度波间隙
X.du 1，Y。D. Li 1，Y。T. Cao 2,3，C。Y. Pei 4，M。X. Zhang 4，W。X. Zhao 1，K。Y. Y. Zhai 1，R。Z. Xu 1，Z.
由邻近旋转轨道和交换耦合诱导的菱形三层石墨烯中的新兴相关阶段
理论上研究了接近性诱导的自旋轨道和交换耦合对菱形三层石墨烯（RTG）相关相图的影响。通过使用Ab Initif拟合的RTG的有效模型，该模型由过渡金属二分法（自旋 - 轨道接近效应）和铁磁CR 2 GE 2 TE 6（交换接近效应），我们将库仑相互作用纳入了随机相互作用，以探索在不同的位置和不同位置的潜在相关阶段。我们发现，由旋转轨道接近效应引起的丰富的自旋瓦利分辨石头和Intervalley相干性不稳定性，例如由于存在谷化量的耦合而出现了旋转 - 瓦利 - 固定相。同样，接近交换通过偏置旋转方向来消除相位变性，从而实现了磁相关效应 - 相关相位对封装铁磁性层的相对磁化方向（平行或反平行）的强灵敏度。
双极三层有机发光晶体管中电荷注入、电子传输和量子效率之间的相互作用
有机发光二极管 (OLED) 显示器的广泛使用推动了 OSC 逐渐渗透到日常生活中。[5] 低功耗、重量轻、亮度高、发光效率高和响应时间快等一系列技术优势推动了 OLED 作为传统液晶显示器的替代品的应用。[6] OLED 是一种纳米厚的半导体器件，在施加合适的电偏压时能够产生光子。然而，OLED 的垂直结构要求光子至少穿过一个电极，由于光腔效应和电极透明度有限，这对器件特性造成了很大限制。[7,8] 在这一背景下，有机发光晶体管 (OLET) 在过去十年中备受关注，因为它能够通过简单的平面结构将晶体管的逻辑开关功能与光发射相结合。 [6,9,10] 最重要的是，光发射可以调节到远离金属电极的位置。[11] 因此，对于 OLED，由于可以避免不希望的猝灭和光学效应，因此可以预测光学效率可能会提高。此外，平面 OLET 结构为实现具有复杂功能的集成系统提供了关键特性。[12,13] 在 OLET 中，
双极三层有机发光晶体管中电荷注入、电子传输和量子效率之间的相互作用
有机发光二极管 (OLED) 显示器的广泛使用推动了 OSC 逐渐渗透到日常生活中。[5] 低功耗、重量轻、亮度高、发光效率高和响应时间快等一系列技术优势推动了 OLED 作为传统液晶显示器的替代品的应用。[6] OLED 是一种纳米厚的半导体器件，在施加合适的电偏压时能够产生光子。然而，OLED 的垂直结构要求光子至少穿过一个电极，由于光腔效应和电极透明度有限，这对器件特性造成了很大限制。[7,8] 在这一背景下，有机发光晶体管 (OLET) 在过去十年中备受关注，因为它能够通过简单的平面结构将晶体管的逻辑开关功能与光发射相结合。 [6,9,10] 最重要的是，光发射可以调节到远离金属电极的位置。[11] 因此，对于 OLED，由于可以避免不希望的猝灭和光学效应，因此可以预测光学效率可能会提高。此外，平面 OLET 结构为实现具有复杂功能的集成系统提供了关键特性。[12,13] 在 OLET 中，