XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search SystemTrivial
量子轨迹的微不足道，靠近定向的渗滤过渡
我们研究由统一门，投影测量和控制操作组成的量子电路，将系统带向纯净的吸收状态。随着这些对照操作的速率提高：测量引起的纠缠过渡，以及向吸收状态的定向渗透过渡（在这里被视为产品状态）。在这项工作中，我们分析表明，这些过渡通常是不同的，并且在达到吸收状态过渡之前，量子轨迹变得脱节，我们分析了它们的关键特性。我们介绍了一类简单的模型，其中每个量子轨迹中的测量值定义有效张量网络（ETN） - 最初时空图的亚图，在该图中发生了非平凡的时间演化。通过分析ETN的纠缠特性，我们表明纠缠和吸收状态过渡仅在有限的局部希尔伯特空间维度的极限下重合。专注于允许大型系统大小的数值模拟的Clifford模型，我们验证了我们的预测并研究了大型局部希尔伯特空间维度的两个过渡之间的有限尺寸的交叉。我们提供的证据表明，纠缠过渡由与没有反馈的混合电路相同的固定点约束。
NbP Weyl 半金属薄膜中费米能级的大偏移和简单表面态的抑制
利用其电子结构的特性来观察独特的物理现象，例如手性[15–17]和轴引力异常、[18]圆形光电效应、[19–20]手性声波、[21–22]表面态增强的埃德尔斯坦效应[23]或最近提出的手性霍尔效应。[24]大多数这些效应的观察取决于是否可以轻松访问WSM的拓扑电子态。在这方面，抑制非拓扑（平凡）表面态以及修改费米能级位置以获得所需费米面拓扑的能力将允许充分揭示拓扑表面态对物理可观测量的作用，此外，还可以按需构造费米面以利用电、声或光可测输出。到目前为止，电子结构的多样性是通过探索不同的 WSM 实现的，但对同一材料中拓扑能带形状和大小的真正控制仍然难以实现，主要是因为缺乏自下而上的超高真空合成方法，无法控制表面终止和费米能级位置，例如通过掺杂或应变。需要克服这一挑战才能实现费米能级设计的韦尔半金属异质结构，从而产生大量新平台来探索基于拓扑的基本现象和设备应用。在这项工作中，我们展示了 I 型韦尔半金属 NbP 电子结构的两种显著修改，这得益于成功的外延薄膜生长合成路线。 [25] 首先，由于表面悬空键被有序磷终端饱和，NbP 的蝴蝶结状（平凡）表面态被完全抑制，表现为（√2×√2）表面重构。其次，通过用 Se 原子化学掺杂表面，费米能级发生约 + 0.3 eV（电子掺杂）的大幅偏移，同时保留了原始的 NbP 能带结构特征，从而首次在实验中可视化了远高于 Weyl 点的拓扑能带色散，并强调了通过分子束外延过程中的表面化学掺杂可以实现的大费米能级可调性。我们的工作为实现最近的理论提议开辟了可能性，例如依赖于纯拓扑
GA – CU模型催化剂的结构演化用于CO2氢化反应
其电子结构的特性观察到独特的物理现象，例如手性[15-17]和轴向重力异常，[18]圆形光钙效应，[19-20]手性声波，[21-22]表面状态增强的Edelstein效应[23]或最近提出的Chiral Hall-Chiral Hall-Hall-Hall-Hall-Hall-Hall-Hall-Hall-feff。[24]大多数这些效果的观察取决于WSM的拓扑结构是否可以轻松访问。In this regard, the ability to sup- press non-topological (trivial) surface states, as well as to modify the Fermi-level posi- tion to get a desired Fermi surface topology, would allow full access to unveil the role of topological surface states on physical observables, and, in addition, to construct on-demand Fermi-surfaces to harness electrical, acoustic or optical measurable outputs.到目前为止，通过探索不同的WSM来实现电子结构的多样性，但是对同一材料中拓扑带的形状和大小的真实控制仍然存在，这主要是由于缺乏自下而上的超高维库姆合成方法，从而可以控制表面终端和Fermi-Level的位置，以通过dopsing或Fermi-Level的位置来控制。需要克服这一挑战，以实现Fermi级工程的Weyl Semimetal异质结构，从而导致了众多的新型平台，以探索基于拓扑的基本质量和设备应用。在这项工作中，我们展示了I型Weyl Semimetal NBP的电子结构的两个引人注目的修改，它们由于成功的外延薄膜生长合成途径而变得可访问。[25]首先，由于有序的磷末期表面悬挂键的饱和，因此获得了NBP的弓形状（琐碎）表面状态的完全抑制，这表现在A（√2×2×√2）表面重构中。第二，通过化学对表面进行化学掺杂，fermi-Energy经历了大约 + 0.3 eV（电子掺杂）的实质转移，同时保留原始的NBP NBP的谱带特征，从而使拓扑范围的范围优点和点亮点能够达到较大的范围，从而实现了第一个实验性的视觉效果，并实现了范围的范围，并实现了范围的范围，并实现了范围的范围。分子束外延过程。我们的工作打开了实现最新理论建议的可能性，例如依赖纯拓扑>