金属氧化物半导体是一类在我们的生活中得到日益广泛应用的材料,因为它们具有有趣的可调能带隙、优异的化学和机械稳定性等。随着技术的进步,能够生产出薄膜、纳米粒子、纳米线和纳米棒形式的金属氧化物,它们的应用多年来不断增长,从半导体电子器件扩展到传感器、光电子器件、催化、能量收集和存储设备。1 – 38 半导体金属氧化物的一个有趣的应用源于这样一个事实:一些金属氧化物可以掺杂外来元素,从而表现出与金属相当的电导率。这种氧化物的薄膜允许光通过,几乎不产生吸收,因此这种薄膜非常适用于作为光电器件的电极,因为光电器件需要既对光透明又能像金属一样导电的材料。这导致了透明导电氧化物 (TCO) 的发展,它是近代大多数光电子和光伏设备不可或缺的一部分。导电透明金属氧化物薄膜,例如 SnO 2 和 ZnO(氧化锌),正在许多消费电子产品中找到应用,尤其是平板显示器、触摸屏、光伏设备、低辐射玻璃、节能窗和储能设备。8 – 10,12 – 14,39 透明导电膜是一种薄层导电材料,在可见光范围内具有低吸收率(或高光透射率),是上述任何设备的基本要求。20 电导率和透明度可以进行定制,以扩大其在大量应用中的效用。 20 – 26 除透明导电薄膜外,氧化物/金属/氧化物多层结构也得到了广泛的研究,以提高它们的光透射率和电导率,以满足 TCO 的要求。11,40 – 42 图 1 显示了不同的透明氧化物及其在光伏设备、触摸屏、平板显示器和节能智能窗中的应用。然而,只有少数掺杂特定元素的金属氧化物作为 TCO 表现出令人满意的性能,例如铟 (In) 掺杂的 SnO 2 (ITO)、氟 (F) 掺杂的 SnO 2、铝 (Al) 掺杂的 ZnO、镓 (Ga) 掺杂的 ZnO 等,尽管这些都有各自的局限性。二氧化锡作为透明导电氧化物 (TCO) 因其广泛的应用而受到了广泛的研究关注,并得到了许多研究人员的评述。 9,12,43,44 评论文章主要讨论了 ITO 的挑战和机遇。它既具有低电阻率,又具有
由于在高频和高功率固态微波电源设备中的巨大潜在应用,基于GAN的高电子迁移式晶体管(HEMTS)在过去的二十年中引起了很多关注,并且在实现市场商业化方面取得了巨大进展。为了进一步提高设备性能,尤其是在高压,高级材料和设备制造过程中,提出了新颖的设备结构和设计的高操作频率和设备可靠性。在提出的方法中,由于其独特的优质材料特性,基于Inaln的晶格匹配的异质结构可能成为下一个下摆的首选。在本文中,结合了III III化合物半导体材料和设备领域的相对研究工作,我们简要综述了基于Inaln基于Inaln的异质结构半导体组合的艺术状态的进展。基于对基于INALN的异质结构的外延生长的分析,我们讨论了提出的脉冲(表面反应增强)金属有机化学蒸气沉积(MOCVD)的优势和成就,用于INALN/GAN异质结构的外交。
电信的扩展会导致越来越严重的串扰和干扰,并且一种称为盲源分离(BSS)的物理层认知方法可以有效地解决这些问题。BSS需要最少的先验知识才能从其混合物,不可知论到载体频率,信号格式和通道条件中恢复信号。但是,由于固有的射频频率(RF)组件,数字信号处理器(DSP)的高能量消耗及其共同的低可伸缩性弱点,因此以前的电子实现并未实现这种多功能性。在这里,我们报告了一种光子BSS方法,该方法继承了光学设备的优势并完全实现了其“失明”方面。使用集成在光子芯片上的微型重量库,我们展示了跨19.2 GHz处理带宽的能量,波长划分多路复用(WDM)可伸缩BSS。由于最近开发的抖动控制方法,我们的系统还具有高(9位)的信号解析,即使对于不良条件的混合物,也会产生更高的信噪比(SIR)。
在过去的二十年中,现代智能社会见证了各种智能电动设备的广泛发展,包括可穿戴的小工具和无人机。技术进步的激增导致对可靠和高性能存储设备的需求不断增长。[1]尽管通过严格的研究和开发对电池的性能进行了显着增强,但许多电池仍然无法满足下一代储能设备的特定要求,例如灵活性,安全性和高充电率。作为具有众多优势的替代方案和有前途的候选人,超级电容器吸引了越来越多的关注。[2]纳米技术的快速演变为探索具有高功率密度和能量密度的各种超级电容器铺平了道路。其中包括利用双层机制[3]以及使用FARADIC机制的金属氧化物和基于聚合物的超级电容器的基于碳的超级电容器。[4]基于碳的超级电容器由于其高比表面积和良好的电子电导率而表现出了出色的特性。但是,由于其理论特异性低
本专著将详细讨论电子监控法律的现状,特别是关于《电子隐私法案》如何影响电子监控的可用性和使用(例如,窃听、窃听器、克隆寻呼机、笔录机)。作为重要的背景说明,检察官应该知道,《电子隐私法案》中第三章的修正案是由国会为承认通信和通信拦截技术的最新进展而制定的,旨在明确划定执法机构调查侵入这些领域的允许范围。在解决社会安全和隐私的相互竞争目标时,国会通过《电子隐私法案》试图达成一个可行的妥协方案,即执法机构必须获得某些高级司法部官员的批准,然后获得法院命令授权或批准其拟议行动,然后才能使用某些最有效和最具侵入性的电子监控技术。包含这些概念的新起草的示范表格将包含在专著中。以下段落将试图澄清和总结司法部内部审查过程的具体内容。(将在即将出版的专著中深入阐述这一问题及其相关问题。)
可穿戴电子系统能够监测和测量多种生物物理、生化信号,帮助研究人员进一步了解人类健康以及人类表现与疾病之间的关系。在体育训练、健康监测和疾病诊断需求不断增长的推动下,基于材料科学、结构设计和化学技术的最新进展,生物集成系统正在以惊人的速度发展。各种可穿戴系统被创造出来,具有独特的测量目标和方法以及柔软、透明、可拉伸的特性。本综述总结了可穿戴电子技术的最新进展,其中还包括材料科学、化学科学和电子工程。可穿戴基础知识的介绍涵盖了随后对材料、系统集成和有前景的平台的考虑。还提到了对其物理和化学检测功能的详细分类。充分讨论了实现可拉伸性的策略和有前景的材料 AgNW。本文最后讨论了这一新兴领域面临的主要挑战性障碍,并承诺将开发出具有良好发展潜力的材料。
制定使用生成人工智能 (GAI) 的法律迫在眉睫。2022 年年底,OpenAI 向国际公众推出了其突破性的软件 ChatGPT,每月有 18 亿用户使用。从来没有一项技术应用如此迅速地取得成功。在本文中,作者概述了人工智能 (AI) 的历史,讨论了当今生成人工智能 (GAI) 技术的使用方式,并描述了 GAI 在所有学习领域的教育中的未来应用。重点是分析 GAI 的优点和缺点,特别关注人类代理与机器代理的考虑。作者研究了避免当前使用 GAI 出现问题的方法。还考虑了人类未来可以使用 GAI 的方式,同时保持自己的权力、自主权和控制力。为了支持这一点,马歇尔·麦克卢汉的电子媒体定律被修订为“生成人工智能定律”,以帮助从幼儿园到高等教育的教育工作者在“GAI时代”进行教学。
高频信号传输,低介电常数(D K)和低介电损耗因子(D F)的替代品以取代传统的二氧化硅材料。4 - 6聚酰亚胺(PI)通常被评为合适的候选者,因为其低分子极化性以及出色的热,机械和化学耐药性特征,并且在电信和微电子工业中表现出了理想的前景。7当前,低二型聚合物材料的结构和组成设计主要集中于结构修饰,改进材料制造过程和复合修饰。常规PI的固有介电常数位于约3.5中,但是,通常需要较低的值以最大程度地减少超大尺度集成电路,高频通信天线基板和毫米波雷达的层间介电信号传输的功率耗散和延迟。8 - 11通过减少主链上酰亚胺基团之间的极化,已经研究了许多方法来减少介电常数和PI的介电损失。12 PI聚合物的分子结构在其介电特性中起主要作用。固有偶极矩和
2012 年至今 德克萨斯大学奥斯汀分校 Seth R. Bank 教授 研究生助理 先进半导体外延实验室 – 研究和开发使用分子束外延的高应变 III-V 和稀释双胺 III-V 半导体中红外(3-5 µm)光电材料和器件的晶体生长技术。 – 演示了具有无铝有源区的 GaSb 基 I 型二极管激光器的最长波长发射(>3.6 µm)。 – 演示了 GaInAsSbBi 合金的首次外延生长和首次室温光致发光。 – 开发了基于 III-V 的半导体激光器的器件生长和制造工艺。 – 设计和实施工具和技术来维护、修理和操作两个分子束外延系统,同时避免耗时的真空系统烘烤。 – 设计并建造了具有亚皮秒分辨率的泵浦探测传输测试台,用于测量半导体中的载流子复合寿命。 – 通过添加自动测试功能改进了多个实验测试站。 – 将未充分利用的实验室空间改造成傅里叶变换红外 (FTIR) 光谱和红外显微镜分析站。 – 监督和指导参加夏季和学期研究体验的八个人的工作。
n 2024年9月17日,并于2024年9月18日,以色列,通过现在被标记为“供应链互动”(SCI)攻击,引爆了先前截获的先前截取的寻呼机和其他电子真主党使用的其他电子设备。真主党是伊朗支持的黎巴嫩民兵,已被美国政府指定为外国恐怖组织(FTO),于1982年成立,称自己为“伊斯兰抵抗以色列的领导人”,并对以色列进行了许多袭击。参见黎巴嫩真主党,国会研究局(2021年2月1日),黎巴嫩真主党(Justice.gov)(上次访问,于2024年9月23日)。除了充当武装的民兵外,真主党还担任中东地区球员,并在黎巴嫩发挥强大的影响力,无论是一个政党和准军事组织。请参阅ID。为了实施攻击,据信以色列特工在袭击之前的15年中向多种设备增加了少量的爆炸性材料,并将其传递给真主党特工,几乎同时引爆了该设备,并在一次攻击中造成了2,931人的攻击并杀死了37。
