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解决跨 Sr 的多种氧气运输途径...
晶格、自旋和轨道自由度之间的相互作用。[1] 这些晶体可以容纳各种决定其性质的阳离子物种，从而产生不同的电子、磁性和光学行为。[2] 例如，它们的催化活性和性能可受到 A 位和/或 B 位阳离子取代或部分取代的显著影响。[3–6] 在众多用于催化应用的钙钛矿中，Sr 掺杂的镧铁氧体 (La 1 −xSr x FeO 3 ; LSFO) 在光催化水分解方面引起了特别的关注，[7–10] 其中 Fe 作为 B 位过渡金属阳离子驱动选择性氧化。 La 3 +阳离子被氧化态较低的阳离子（即Sr 2 +）取代，导致B阳离子部分氧化为氧化态较高和/或形成氧空位，从而产生更佳的催化活性。[10] 钙钛矿能够容纳多种取代基和掺杂剂，这为其组成和相关氧化态提供了很大的灵活性。这种可调性反过来又使得可以根据各种应用调整钙钛矿的物理化学性质，例如固体氧化物燃料电池（SOFC）中的阴极材料、非均相催化中的催化剂和氧载体、氧分离膜和固态气体传感器。[11]
阐明微电子封装材料中离子扩散率的巨大变化
腐蚀风险对满足在恶劣环境下使用的微电子设备的严格可靠性要求构成挑战。微电子设备通常封装在聚合物封装材料中，以防止腐蚀。然而，这些聚合物并非完全密封，因此允许少量离子和水分进入设备，这可能会导致微电子电路腐蚀。为了提高和预测设备的可靠性，量化这些材料中的离子扩散率非常重要。以前报告的离子扩散率值对于同一类材料来说相差多个数量级。在这里，我们使用三种实验方法调查这种差异的原因：(i) 盐水浸泡、(ii) 扩散池测量和 (iii) 瞬态电流测量。测试了几种材料，例如硅树脂、环氧树脂和聚酰胺，以涵盖微电子行业使用的广泛聚合物。我们发现，差异可能是由于离子扩散率对聚合物中的水分含量以及溶质的盐浓度和 pH 值有很强的依赖性。此外，我们发现，极低的离子扩散率会导致测量时间过长，因此样品中因污染、泄漏或微小缺陷而导致误差的风险很大。
透气、可拉伸的超结构，适用于多功能混合电子皮肤贴片，具有长期皮肤舒适性
个性化医疗、[9] 神经工程、[10] 人机界面 [11,12] 和智能假肢。[13] 通过电气方式监测生物信号可以将电子皮肤 (E-skin) 传感器与大数据、[14] 人工智能 [15] 和物联网 (IoT) 技术相结合。[16] 随着皮肤上设备的应用不断扩大，已经报道了在非传统基板（如 3D 自由曲面、皮肤和地形基板）上实现可穿戴电子产品的新方法。[8,17,18] 此外，还展示了电子皮肤的其他吸引人的功能。例如，实现光学功能以可视化与健康状况相关的信息是与人类直观交互的一个有吸引力的方向。[19] 具有自供电功能的可穿戴传感器也可以扩展其适用性。 [20,21] 无线电子皮肤系统可将测量数据传输到移动设备，并在监测健康状况的同时支持日常活动，在用户便利性方面也很有吸引力。 [22] 此外，仅传输生物信号中关键的必要信息这一可能功能是电子皮肤传感器的一个特别有吸引力的方向，因为它可以减少无线数据传输的功耗和后处理的数据数量。
轮烷环促进 DNA 模板分子染料聚集体的斜向堆积并延长其寿命
分子激子在自然和人工光收集、有机电子学和纳米级计算中起着核心作用。分子激子的结构和动力学对每种应用都至关重要，它们敏感地受分子堆积的控制。脱氧核糖核酸 (DNA) 模板化是一种强大的方法，它可以通过亚纳米级定位分子染料来实现受控聚集。然而，需要对染料堆积进行更精细的亚埃级控制，以针对特定应用定制激子特性。在这里，我们表明，将轮烷环添加到用 DNA 模板化的方酸菁染料中，可以促进难以捉摸的倾斜堆积排列，并具有非常理想的光学特性。具体而言，这些方酸菁：轮烷的二聚体表现出具有近乎等强度激子分裂吸收带的吸收光谱。理论分析表明，这些跃迁本质上主要是电子跃迁，并且仅在较窄的堆积角度范围内具有相似的强度。与方酸二聚体相比，方酸：轮烷二聚体还表现出更长的激发态寿命和更少的结构异质性。本文提出的方法可能普遍适用于优化激子材料，以用于从太阳能转换到量子信息科学的各种应用。
通过二聚有机金属掺杂剂实现的高度空气稳定的n掺杂共轭聚合物
化学掺杂是控制分子半导体电子特性（包括其电导率和功函数）的关键过程。n 型掺杂聚合物的一个常见限制是在环境条件下不稳定性，这限制了 n 型掺杂聚合物的特性分析和器件应用。在本研究中，在以萘二酰亚胺和苝二酰亚胺为基础的主链的聚合物半导体薄膜上进行了用有机金属掺杂剂的顺序 n 型掺杂。(RuCp*Mes)2，{Cp* = 五甲基环戊二烯基；Mes = 1,3,5-三甲基苯} 实现了中等环境稳定性，这与简单的单电子还原剂二茂钴获得的不稳定 n 型掺杂状态形成鲜明对比。(RuCp*Mes)2 的高度阴极有效氧化还原电位约为。 − 2.0 V vs 二茂铁，抑制了空气中的反向电子转移反应和随后的掺杂剂损失，从而产生了观察到的空气稳定性。它还允许将苝二酰亚胺基聚合物还原到重复单元主要是双离子的状态。光电子测量表明，重掺杂聚合物的电离电位约为 3.9 eV。我们的研究结果表明，用 (RuCp*Mes) 2 进行化学掺杂是生产高稳定性、n 掺杂共轭聚合物的有效方法。
chiplet的最新和前景异质整合和混合键
i ntroduction c hiplet c hiplet c hiplet c hiplet c hiplet c hiplet c hiplet c hiplet c hiplet c hiplet c hiplet c hiplet c hiplet c hiplet c hiplet c hiplet c hiplet c hiplet c hiplet c。微处理器，例如AMD的EPYC [1-3]和Intel的湖泊场[4-6]和FPGA（可编程的门阵列），例如Xilinx的Virtex [14]，具有大量的Chiplet Design和Chiplet Design和杂物整合包装。chiplets之间的一种层状（横向）通信（互连）是桥梁[17，33-42]杂交粘合物已引起了很多关注[17，43-87]，因为索尼（Sony 2016年传感器和其他基于图像的设备[45，46]。在这项研究中，将提出chiplet设计和异质整合包装以及混合键合的最新和前景。固定在有机包装底物和环氧造型化合物（EMC）的刚性桥梁和富裕的桥梁。系统 - 芯片（SOC）将首先提到。
![arxiv：2409.10380v2 [cond-mat.mes-hall] 24年9月24日2024](/simg/6\669cc5e60579e0516e6a48d7c6b8bce3cd3d77e4.webp)
arxiv：2409.10380v2 [cond-mat.mes-hall] 24年9月24日2024
我们提出了一项有关通过任意极化光照射增强双层石墨烯（BLG）的热电（TE）性能的综合研究，重点是具有锯齿形边缘的AA和AB堆放的配置。利用紧密结合理论和密度功能理论（DFT）的结合，我们系统地分析了光照射对电子和语音传输特性的影响。光照射改变了电子跳跃参数，创造了不对称的传输函数，从而显着增加了Seebeck系数，从而增强了功绩（FOM）的整体形象。对于语音贡献，DFT计算表明，与AA相比，ABSTACKSTACKSTACKENSTACK STACKENS呈现较低的晶格导热率，这归因于增强的Anharmonic散射和声子组速度。组合分析表明，在两种堆叠类型中，FOM都超出了统一性，在辐射引起的间隙附近有了显着改善。此外，我们探讨了FOM对系统尺寸和温度的依赖性，这表明光辐射的BLG对有效的热电学转换和废热恢复具有很大的希望。我们的结果显示在广泛的辐照参数中的响应良好。这些发现提供了通过光引起的修改为高级TE应用优化BLG的关键见解。
可编程生物分子介导的处理器
每当提到“计算机”一词时，我们的直觉都会自动将其与监视器和键盘的图像相关联，或各种技术术语，例如中央程序单元（CPU）（CPU），随机访问存储器（RAM）和仅阅读内存（ROM）。这是因为我们已经习惯了通过使用通常称为数字计算机的设备来模拟计算的概念，这些设备包括在硅基板上组装的一系列功能性组件。自1970年代初期引入第一台数字计算机以来，提高了其计算能力 - 处理速度，并行性，最小化和能源效率 - 一直是最令人关注的问题。要满足对加工速度和并行性的不断增长的需求，必须减小单个晶体管元素的大小。，因此允许将其他处理单元包装在同一硅死亡上；但是，提高包装密度总是会带来问题，包括增加功耗和有问题的散热问题。此外，在制造数字计算机中，硅基质作为基础材料始终对健康和环境产生负面影响。1最重要的是，整个半导体行业正在迅速接近摩尔定律所预测的身体约束。2此外，基于
双重稳定的钙钛矿纳米晶发光下调
和现代建筑建立在更普遍的有机LED（OLEDS）的基础上。[1,3-5]在整个可见频谱中具有电荷平衡和高效率仍然远离最佳的QD，QD通常被用作颜色 - 纯发光下调转换器，用于在背光无机LED中显示。[2,6]虽然对设备档案的研究对于将来的开发至关重要，但许多小组也在探索QD的替代材料，以降低成本，最大程度地减少丰富的问题并限制毒性。[7-9]最初在2012年作为照片伏特的有前途的材料出现，[10]卤化物钙钛矿对于几乎所有光启动器件（例如光电探测器）具有巨大的潜力，例如光电探测器，[11]激光器，[12]和LED。[13–15]卤化物钙钛矿NC对于光发射特别有利，其发射波长可以通过组合和形态在整个可见范围内进行调谐，[16]超高的量子产量（Qys）（Qys），即使接近统一，甚至接近统一，[17-19]，[17-19]和合成，通常是actile and facile conigile facile cookile cookile，sable，便宜，易于扩展。[20,21]相比之下，传统QD通常需要Inorranic Core-shell结构，高前体纯度和复杂的，乏味的合成以获得令人印象深刻的光学特性。[22]但是，钙钛矿NC缺乏足够的稳定性
当前和...
摘要：审查了基于NBO 2的记忆，能量产生和存储薄膜设备的当前研究方面。溅射等离子体包含NBO，NBO 2和NBO 3簇，影响NBO 2的NU锻炼和生长，通常会导致纳米棒和纳米固定剂的形成。nbo 2（i4 1 /a）在1081 K到金红石（p4 2 /mnm）处进行莫特拓扑转变，从而产生电子结构的变化，这主要在回忆录中使用。Seebeck系数是控制热电设备性能的关键物理参数，但其温度行为仍然存在争议。尽管如此，它们在900 K以上的表现有效。由于尚未达到理论能力，因此有很大的潜力可以证明NBO 2电池，这可以通过未来的扩散研究来解决。功能材料的热管理，包括热应力，热疲劳和热休克，即使可能导致失败，也经常被忽略。NBO 2表现出相对较低的热膨胀和高弹性模量。NBO 2薄膜设备的未来看起来很有希望，但是需要解决一些问题，例如属性对应变和晶粒尺寸的依赖性，具有点和扩展缺陷的多个接口，以及与各种自然和人造环境相互作用，可以实现多功能应用和耐用性能。