本章中的大部分数据均已四舍五入到不超过三位有效数字。总计和百分比是根据未四舍五入的数据计算得出的。除非另有说明,本章中的所有统计数据均以钨含量公吨为单位。大多数钨价格和许多来自美国地质调查局 (USGS) 以外来源的钨统计数据都以三氧化钨 (WO 3 ) 为单位。美国使用的短吨单位是一短吨 [20 磅 (lb)] 的 1%,而 WO 3 占钨重量的 79.3%。因此,一短吨单位的 WO 3 等于 20 磅 WO 3,含 7.19 公斤 (kg) (15.86 磅) 钨。大多数其他国家使用的公吨单位是一公吨 (10 kg) 的 1%。因此,1公吨单位的WO3等于10千克WO3,含有7.93千克(17.48磅)钨。
免责声明本文件是作为由美国政府机构赞助的工作的帐户准备的。美国政府和劳伦斯·利弗莫尔国家安全,有限责任公司,或其任何雇员均不对任何信息,设备,产品或流程的准确性,完整性或有用性承担任何法律责任或责任,或承担任何法律责任或责任,或者代表其使用不会侵犯私有权利。以本文提及任何特定的商业产品,流程或服务,商标,制造商或其他方式不一定构成或暗示其认可,建议或受到美国政府或Lawrence Livermore National Security,LLC的认可。本文所表达的作者的观点和意见不一定陈述或反映美国政府或劳伦斯·利弗莫尔国家安全,有限责任公司的观点和观点,不得用于广告或产品代表目的。
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薄膜................................................ .薄膜形成.................................... 6 凝聚和成核........................... 7 薄膜生长.................... ■ ................... 13 岛状阶段................................... 14 聚结阶段................................... 14 通道阶段.................... 即连续膜................................... , 1 6 生长模式........................................ 17 外延生长........................................ 19 薄膜分析技术................................... 2 0 X 射线衍射................................ 20 衍射仪方法................................... 22 薄层电阻................................... 23 四点探针法....... ' .............. 23 扫描电子显微镜.......................................2 6 俄歇电子能谱................................... 2 9 薄膜厚度测量....................... ..34 化学气相沉积.............'.................... 37 CVD 的基本步骤 .............................. 3 8 CVD 的实验参数 .................... 39 沉积温度 ........ 39 气体流速 .............................. 44 晶体取向 .............................. 47 基材位置 .............................. 48 反应物分压。................... 49 表面积 .............................. 49 化学气相沉积反应器 ................ 49 热壁反应器 ............................. 50 冷壁反应器 ............................. 50 大气压反应器 ............................. 50 低压 CVD 反应器。..'................. 52 等离子体增强 CVD 反应器 ............................. 54 光子诱导 CVD 反应器。.................. 55 钨的化学气相沉积 ................. .56 钨的 CVD 反应 .......................... 59 WF 6 的 Si 还原 ................................ 61
一种简单的无压两步烧结法解决了生产致密超细晶粒 (UFG) 钨的难题。该方法可提供均匀的微观结构,理论密度约为 99%,晶粒尺寸约为 700 nm,这是文献中报道的最佳纯钨烧结方法之一。得益于更细腻、更均匀的微观结构,两步烧结样品在弯曲强度和硬度方面表现出更好的机械性能。在验证了抛物线晶粒生长动力学的同时,在 1400°C 时观察到标称晶界迁移率的转变,高于此温度时有效活化焓约为 6.1 eV,低于此温度时晶界运动迅速冻结,活化焓异常大,约为 12.9 eV。活化参数相对于温度的这种高度非线性行为表明活化熵和可能的集体行为在晶粒生长中发挥了作用。我们相信,所报道的两步烧结方法也适用于其他难熔金属和合金,并且可以推广到使用机器学习的多步或连续冷却烧结设计。© 2020 Acta Materialia Inc. 由 Elsevier Ltd. 出版。保留所有权利。
1选择(杂交和有机太阳能中心)和电子工程系,罗马·托尔·维加塔(University Rome tor Vergata),通过Del Polytechnic 1,00133 Rome,Italy,意大利罗马; attiq986@yahoo.com(A.U.R. ); aliah1995@hotmail.com(A.E.A.-Q. ); francesca.brunetti@uniroma2.it(f.b。) 2 DGTCSI-ISCTI(通信技术和IT机构通信和信息技术研究所的安全总局),公司部并在意大利制造(Mimit),Viale America,201,201,00144 Rome,Rome,Italia 3 Greatcell Solar Italia Italia Italia Italia Italia Italia Italia Italia Italia Castro Pretorio Pretorio Instrucoio 122,0022,002,002,002,002,002,0022, C.N.R材料,通过意大利罗马00133的Del Fosso del Cavaliere 100; barbara.paci@ism.cnr.it(B.P. ); amanda.generosi@ism.cnr.it(a.g.); ussia.righirive@artov.ism.cnr.it(f.r.r。) * corpsondence:rea@uniroma2.it†这些作者为这项工作做出了贡献。); aliah1995@hotmail.com(A.E.A.-Q.); francesca.brunetti@uniroma2.it(f.b。) 2 DGTCSI-ISCTI(通信技术和IT机构通信和信息技术研究所的安全总局),公司部并在意大利制造(Mimit),Viale America,201,201,00144 Rome,Rome,Italia 3 Greatcell Solar Italia Italia Italia Italia Italia Italia Italia Italia Italia Castro Pretorio Pretorio Instrucoio 122,0022,002,002,002,002,002,0022, C.N.R材料,通过意大利罗马00133的Del Fosso del Cavaliere 100; barbara.paci@ism.cnr.it(B.P. ); amanda.generosi@ism.cnr.it(a.g.); ussia.righirive@artov.ism.cnr.it(f.r.r。) * corpsondence:rea@uniroma2.it†这些作者为这项工作做出了贡献。2 DGTCSI-ISCTI(通信技术和IT机构通信和信息技术研究所的安全总局),公司部并在意大利制造(Mimit),Viale America,201,201,00144 Rome,Rome,Italia 3 Greatcell Solar Italia Italia Italia Italia Italia Italia Italia Italia Italia Castro Pretorio Pretorio Instrucoio 122,0022,002,002,002,002,002,0022, C.N.R材料,通过意大利罗马00133的Del Fosso del Cavaliere 100; barbara.paci@ism.cnr.it(B.P.); amanda.generosi@ism.cnr.it(a.g.); ussia.righirive@artov.ism.cnr.it(f.r.r。)* corpsondence:rea@uniroma2.it†这些作者为这项工作做出了贡献。
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