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膳食计划合同协议条款
1.1. 根据大学政策，住在任何大学宿舍（包括家庭和研究生宿舍 (FGSH)）的单身新生都必须维持青铜级或以上的膳食计划。 1.1.1. 如果您是住在校园内的新生，并且没有在住房申请中指定膳食计划选择，则每学期都会从您的财务主管账户中扣除住校新生所需的最低计划青铜计划的费用。有关膳食计划选项的信息可在 UDS 网站 https://dining.okstate.edu/meal-plan.html 上找到 1.1.2. 所有新生都必须住在校园内，并且最低膳食计划要求是青铜膳食计划。这项政策的豁免情况很少。任何未申请住房且未获准住在校外的新生将自动被分配到住房并分配青铜膳食计划，并且他的财务主管账户将被扣款。为避免这种情况，请使用在线申请申请住房。 1.2.膳食计划是涵盖整个学年的年度合同。每个膳食计划都是一份涵盖整个学年的合同协议，包括秋季和春季学期*（星号表示下面的重要日期）。1.2.1. 您的学年合同膳食计划仅涵盖秋季和春季学期，在夏季课程期间无效。1.3. 夏季课程期间不需要膳食计划；但是，那些希望在暑期课程期间拥有计划的学生可以以折扣价购买。1.4. 如果选择非合同计划 G 并且您未指定金额，您的请求将默认为 100 美元。非合同计划 G 的最低金额为 100 美元，任何额外资金只能以 100 美元的增量添加。1.5.可以通过现金、信用卡、支票或财务处费用向任何膳食计划中添加额外资金，具体时间为周一至周五上午 8 点至下午 5 点，联系学生会楼 301 号的膳食计划办公室，电话为 405-744-4920，或发送电子邮件至 dining@okstate.edu。
撒哈拉以南非洲的人工智能能力 - 概要报告
4IR 第四次工业革命 AIMS 非洲数学科学研究所 ACE-DS 非洲数据科学卓越中心 ADB 非洲开发银行 ADC 非洲发展中心 AI 人工智能 AI4D 人工智能发展 CAIR 人工智能研究中心 CIRG 计算智能研究组 CPD 持续专业发展 CSTD 联合国科学技术发展委员会 DSA 非洲数据科学 EBtI 埃塞俄比亚生物技术研究所 FAIR 人工智能研究论坛 GDP 国内生产总值 GIBS 戈登商学院 GPU 图形处理单元 Hons 荣誉 HPC 高性能计算 IDRC 国际发展研究中心 IIS 智能信息系统研究所 IP 知识产权 ISG 智能系统组 IT 信息技术 IoT 物联网 ITU 国际电信联盟 JKUAT 乔莫肯雅塔农业技术大学 K4A 全民知识基金会 MIIA 非洲机器智能研究所 ML 机器学习 MUST 马拉维科技大学 NICOG 自然启发计算优化组 NUL 莱索托国立大学 NWU 西北大学OECD 经济合作与发展组织 PRASA 南非模式识别协会 R&D 研究与开发 RAIL 实验室 机器人、自主智能与学习实验室 RL 强化学习 ROI 投资回报率 SDG 可持续发展目标 SSA 撒哈拉以南非洲 STEM 科学、技术、工程和数学 SU 斯泰伦博斯大学 TPU 张量处理单元 TU 电信联盟 UAE 阿拉伯联合酋长国 UCT 开普敦大学 UDS 达累斯萨拉姆大学 UKZN 夸祖鲁纳塔尔大学 UN 联合国 UNESCO 联合国教育、科学及文化组织 UniSwa 斯威士兰大学 UP 比勒陀利亚大学 UJ 约翰内斯堡大学 UWC 西开普大学 VC 风险投资 WEF 世界经济论坛 WIDS 威特斯数据科学研究所 威特斯威特斯兰大学 WiMLDS 机器学习和数据科学领域的女性
射频识别/ NFC
凭借基于移动应用程序和 NFC 非接触式技术的三项不同举措，Casino 集团正在为其分销网络铺平道路，以实现互联商店和订购墙，从而实现个性化的购物之旅，实现更顺畅、更移动的购物。首先，将在巴黎第16区设立一个销售点，作为品牌的“数字实验室”。在这家超市，顾客可以使用他们的智能手机注册所有商品，就像大型零售商已经使用的扫描仪一样，然后使用移动支付解决方案付款。该法国集团将同时在首都和里昂部署真实的联网海报，并在公共交通枢纽等繁忙区域展示。通过这些海报，消费者可以扫描自己所需产品的图像，然后可以在商店中领取或者要求送货上门。这面交互式数字墙相当于一个电子商务网站，但采用巨型触摸屏的形式，可从公共空间访问，这将是该分销商的第三次全面实验。mCasino 移动应用程序既可以在巴黎销售点使用，也可以在该品牌未来的订购墙上使用。
射频识别/ NFC
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用于量子信息应用的全耗尽绝缘体上硅器件中量子点的工业方法
使用在低温下运行的先进互补金属氧化物半导体 (CMOS) 技术实现基于量子点的电子自旋量子比特，可以实现大规模自旋量子比特系统的可重复和高通量工业制造。采用纯工业 CMOS 制造技术制造的硅基量子点架构的开发是朝着这个方向迈出的重要一步。本论文研究了意法半导体公司（法国克罗尔）的 28 nm UTBB（超薄体和埋氧化物）全耗尽绝缘体上硅（FD-SOI）技术的潜力，以实现明确定义的量子点，能够实现自旋量子比特系统。在此背景下，在 4.2 K 下对 FD-SOI 微结构进行了霍尔效应测量，以确定量子点应用的技术节点的质量。此外，还介绍了一种针对量子设备实施而优化的集成工艺流程，该工艺流程仅使用硅铸造方法进行大规模生产，重点是降低制造风险和总体交货时间。最后，设计了两种不同几何形状的 28 nm FD-SOI 量子点器件，并研究了它们在 1.4 K 下的性能。作为 Nanoacademic Technologies、Institut quantique 和 STMicroelectronics 合作的一部分，开发了 3D QT-CAD（量子技术计算机辅助设计）模型，用于建模 FD-SOI 量子点器件。因此，除了通过传输测量和库仑阻塞光谱对测试结构进行实验表征之外，还使用 QTCAD 软件对其性能进行建模和分析。这里介绍的结果证明了 FD-SOI 技术相对于其他量子计算应用方法的优势，以及在此背景下 28 nm 节点的已知局限性。该工作为基于较低技术节点的新一代FD-SOI量子点器件的实现铺平了道路。